磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备，其中的组件包括：适配器；适配器被设置为遮蔽内衬的底部和侧壁，用于将内衬固定在反应腔室内；适配器的侧壁与内衬的侧壁之间具有预设的间隙，适配器的底部与内衬的底部相接触，适配器设置有冷却水道，用以对内衬的侧壁、底部进行降温。本发明专利技术的冷却组件及其磁控溅射设备，能够增加热接触面积，增加适配器与内衬侧壁的传热效率；通过对内衬侧壁和底面的降温，稳定工艺反应区域温度，避免反应区域温度升高对衬底和薄膜的影响；减少水道加工步骤和难度，减少清洗难度；无需密封圈对水路的密封，能够减少漏水的风险。

Cooling Module of Magnetron Sputtering Reaction Chamber and Its Magnetron Sputtering Equipment

The embodiment of the invention discloses a cooling component of a magnetron sputtering reaction chamber and a magnetron sputtering device thereof, in which the components include an adapter; an adapter is set as the bottom and side walls of the shielding lining for fixing the lining in the reaction chamber; a preset gap exists between the side walls of the adapter and the side walls of the lining, and the bottom of the adapter is in contact with the bottom of the lining. The distributor is provided with a cooling channel for cooling the side wall and bottom of the lining. The cooling component and the magnetron sputtering device of the invention can increase the thermal contact area, increase the heat transfer efficiency between the adapter and the liner side wall; stabilize the temperature of the process reaction area by cooling the liner side wall and the bottom, avoid the influence of the rising temperature of the reaction area on the substrate and the film; reduce the processing steps and difficulties of the waterway, and reduce the difficulty of cleaning; and do not need the sealing ring to the waterway. Sealing can reduce the risk of leakage.

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术被广泛应用于半导体领域，其采用溅射(Sputtering)沉积技术，在衬底和靶材之间通入氩气等惰性气体，高电压将惰性气体电离产生等离子体，通过磁场增强束缚电子的能力使产生的等离子体轰击靶材，将靶材材料的原子或离子沉积在衬底上形成薄膜。现有的磁控溅射设备如图1所示，该设备有反应腔室1，反应腔室1内置靶材2，靶材2上方置有绝缘材料3用于实现靶材的绝缘，该材料和靶材2中间可添加水冷，用于冷却靶材。溅射工艺时电源施加偏压至靶材2，使其相对于接地的腔体成为负压，在真空的环境下通入惰性气体放电使其电离形成等离子体，负偏压同时能将带正电的等离子体吸引至靶材2。当等离子体的能量足够高并在由旋转的磁控管4形成的磁场作用下轰击靶材2时，会使金属原子或者金属离子逸出靶材表面，并通过扩散沉积在晶片6上，标号5为承载衬底6的基座，但是即使有磁控管4对金属原子的束缚作用，仍有大量的金属原子和金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射反应腔室的冷却组件，其特征在于，包括：适配器；所述适配器被设置为遮蔽内衬的底部和侧壁，用于将所述内衬固定在反应腔室内；所述适配器的侧壁与所述内衬的侧壁之间具有预设的间隙，所述适配器的底部与所述内衬的底部相接触，所述适配器设置有冷却水道，用以对所述内衬的侧壁、底部进行降温。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射反应腔室的冷却组件，其特征在于，包括：适配器；所述适配器被设置为遮蔽内衬的底部和侧壁，用于将所述内衬固定在反应腔室内；所述适配器的侧壁与所述内衬的侧壁之间具有预设的间隙，所述适配器的底部与所述内衬的底部相接触，所述适配器设置有冷却水道，用以对所述内衬的侧壁、底部进行降温。2.如权利要求1所述的冷却组件，其特征在于，在所述适配器的侧壁内部和所述适配器的底部内部设置有所述冷却水道。3.如权利要求2所述的冷却组件，其特征在于，所述适配器为两端开口的筒状结构；所述适配器的侧壁内侧与所述内衬的外壁间隙配合；所述适配器的底部设置有支撑部，所述内衬的底部与所述支撑部相接触。4.如权利要求3所述的冷却组件，其特征在于，所述冷却水道包括：第一水道、第二水道；所述第一水道设置在所述适配器的侧壁内部，所述第二水道设置在所述支撑部内部，所述第一水道和所述第二水道相连通。5.如权利要求4所述的冷却组件，其特征在于，所述第一水道包括：出水...

【专利技术属性】
技术研发人员：常青，李冰，边国栋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11