The invention belongs to the technical field of semiconductor processing, in particular to a high temperature electrostatic chuck. The high temperature electrostatic chuck includes a base and a chuck body positioned above the base. The chuck body is used to support the wafer. The outer side of the chuck body is surrounded by a pressure ring and a deposition ring. The pressure ring is used to limit the chuck body. The deposition ring is located above the pressure ring. The pressure ring is provided with an opening, the deposition ring and/or the base. A contact foot is arranged in the area corresponding to the opening, which makes the depositing ring directly contact with the base. By redesigning the structure of metal base, pressing ring and depositing ring, the depositing ring is directly contacted with the base in the form of opening of pressing ring and setting contact foot, so as to avoid sticking between depositing ring and wafer caused by thermal expansion of pressing ring.
【技术实现步骤摘要】
高温静电卡盘
本专利技术属于半导体加工
,具体涉及一种高温静电卡盘。
技术介绍
在集成电路的制备过程中,需要物理气相沉积(以下简称PVD)设备完成沉积薄膜工艺,常用的技术是磁控溅射方式,典型的磁控溅射设备如图1所示。反应腔体1内设置有高温静电卡盘(HighTemperatureElectrostaticChuck,简称HESC),溅射时直流电源会施加偏压至靶材4,使其相对于接地的腔体成为负压,以致氩气放电而产生等离子体,负偏压同时能将带正电的氩离子吸引至靶材4。当氩离子的能量足够高并在由旋转的磁控管5形成的磁场作用下轰击靶材4时,会使金属原子逸出靶材表面,并通过扩散沉积在晶片10(Wafer)上。如图2所示,一种典型的高温静电卡盘由卡盘主体13和基座9组成。基座9内置加热器,用来给卡盘主体13加热,保证卡盘主体13在一个高于常温的温度下工作,并控制晶片10的温度。卡盘主体13一般采用热膨胀极小的陶瓷做成盘状结构,卡盘主体13和基座9之间用粘接剂来粘接,但采用粘接剂在高温工艺中会造成污染腔室的风险,故如图3所示采用通过螺钉122和压环12压接的方式进行连接。压环12(Clampring)内缘加工有一定弹性的薄片型压爪121,压爪121部分压住卡盘主体13,用螺钉122将压环12连接至基座9上,就形成了对卡盘主体13的固定。因高温静电卡盘不易更换,为避免其在膜层镀制过程中被污染,通常会其上方设置一个沉积环11(Dep-ring),沉积环11的结构如图4A和图4B所示。沉积环11为陶瓷材质,底面是平面;并且,如图5A所示,沉积环11直接落放在压环12上。同 ...
【技术保护点】
1.一种高温静电卡盘,包括基座和设置于所述基座上方的卡盘主体,所述卡盘主体用于支撑晶片,所述卡盘主体的外侧环绕设置有压环和沉积环,所述压环用于对所述卡盘主体进行限位,所述沉积环位于所述压环的上方,其特征在于,所述压环开设有豁口,所述沉积环和/或所述基座在对应所述豁口的区域设置有接触脚,所述接触脚使得所述沉积环与所述基座直接接触。
【技术特征摘要】
1.一种高温静电卡盘,包括基座和设置于所述基座上方的卡盘主体,所述卡盘主体用于支撑晶片,所述卡盘主体的外侧环绕设置有压环和沉积环,所述压环用于对所述卡盘主体进行限位,所述沉积环位于所述压环的上方,其特征在于,所述压环开设有豁口,所述沉积环和/或所述基座在对应所述豁口的区域设置有接触脚,所述接触脚使得所述沉积环与所述基座直接接触。2.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口和所述接触脚成对设置,所述豁口的形状和所述接触脚的形状匹配。3.根据权利要求2所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口和所述接触脚包括多对,多对所述豁口和所述接触脚沿所述卡盘主体的周向均匀分布。4.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口和所述接触脚均为环形,所述豁口的形状和所述接触脚的形状匹配。5.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口开设于所述压环的径向外边缘;在所述沉积环的径向外边缘且对应所述豁口的区域设置有朝向所述基座的一侧延伸形成的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新颖,李冰,赵梦欣,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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