一种等离子体发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体发生装置。该等离子体发生装置包括依次连接的微波源、传输匹配结构和谐振腔，传输匹配结构能将微波源产生的微波能量馈入谐振腔，谐振腔的底壁下方用于设置介质窗和真空腔，谐振腔是由多段波导拼接构成的中心对称结构，且其对称中心与介质窗的中心在竖直方向上的投影重合，谐振腔的底壁上开设有多个狭缝，狭缝能将微波能量通过介质窗均匀地馈入真空腔。该等离子体发生装置通过开设在中心对称结构的谐振腔底壁上的多个狭缝将微波能量通过介质窗均匀地馈入真空腔中，能使真空腔内产生大面积均匀的表面波等离子体，从而满足对大面积晶圆的处理；同时，狭缝能够确保将微波能量馈入真空腔激发形成等离子体的稳定性。

A plasma generator

The invention provides a plasma generator. The plasma generator consists of sequentially connected microwave sources, transmission matching structures and resonators. The transmission matching structures feed microwave energy generated by microwave sources into the resonator. Under the bottom wall of the resonator, a dielectric window and a vacuum cavity are arranged. The resonator is a centrosymmetrical structure composed of multi-segment waveguides, and its symmetrical center and the center of the dielectric window are in the vertical direction. When the projection coincides, there are many slits on the bottom wall of the resonator, which can feed microwave energy evenly into the vacuum cavity through the dielectric window. The plasma generator feeds microwave energy evenly into the vacuum cavity through a dielectric window through a number of slits on the bottom wall of the resonator with a symmetrical central structure, which can produce a large area of uniform surface wave plasma in the vacuum cavity, thus satisfying the treatment of large area wafers. At the same time, the slit can ensure that microwave energy is fed into the vacuum cavity to stimulate the formation of plasma. Stability.

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体发生装置
本专利技术涉及半导体工艺
，具体地，涉及一种等离子体发生装置。
技术介绍
近年来，随着电子技术的高速发展，人们对集成电路要求总体趋势趋向于高度集成化和更大面积化，这就要求生产集成电路的企业不断提高半导体晶片的加工能力。等离子体装置在集成电路(IC)的制造工艺中是不可取代的。因此，高性能等离子体发生设备的研发对于半导体制造工艺的发展是至关重要的。当等离子体设备用于半导体制造工艺时，最主要的考察因素是：在一定气压范围能有效率的生成大面积均匀的等离子体。具体到工艺细节，关注点往往在于工艺气体和气压，等离子体均匀程度和等离子体内粒子成分即等离子体的可控性。对应于电子行业的发展，能在低气压下激发大面积，高密度均匀等离子体的等离子体源是当前的主要研究方向。在传统的半导体制造业，各种类型的等离子体设备被广泛应用于各种工艺。表面波等离子体(SWP)是近年来发展起来的新型等离子体发生技术，相比较电容耦合等离子体(CCP)，电感耦合等离子体(ICP)以及电子回旋共振等离子体(ECR)等类型，其结构上更加简单，成本更低，能够产生较高密度的等离子体，同时在等离子体的大面积均匀化上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体发生装置，包括依次连接的微波源、传输匹配结构和谐振腔，所述传输匹配结构能将所述微波源产生的微波能量馈入所述谐振腔，所述谐振腔的底壁下方用于设置介质窗和真空腔，其特征在于，所述谐振腔是由多段波导拼接构成的中心对称结构，且其对称中心与所述介质窗的中心在竖直方向上的投影重合，所述谐振腔的所述底壁上开设有多个狭缝，所述狭缝能将微波能量通过所述介质窗均匀地馈入所述真空腔。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生装置，包括依次连接的微波源、传输匹配结构和谐振腔，所述传输匹配结构能将所述微波源产生的微波能量馈入所述谐振腔，所述谐振腔的底壁下方用于设置介质窗和真空腔，其特征在于，所述谐振腔是由多段波导拼接构成的中心对称结构，且其对称中心与所述介质窗的中心在竖直方向上的投影重合，所述谐振腔的所述底壁上开设有多个狭缝，所述狭缝能将微波能量通过所述介质窗均匀地馈入所述真空腔。2.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述谐振腔为由两段矩形的所述波导正交构成的“十”字形结构，所述“十”字形结构的四个分支形状和尺寸均相同。3.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述谐振腔为由四段矩形的所述波导两两正交构成的“米”字形结构，所述“米”字形结构的八个分支形状和尺寸均相同。4.根据权利要求2或3所述的等离子体发生装置，其特征在于，在所述谐振腔的每个所述分支的所述底壁上均开设有四个所述狭缝，每个所述分支上的四个所述狭缝均排布形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：昌锡江，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11