反应腔室以及等离子体设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种反应腔室以及等离子体设备，反应腔室包括：腔室本体、内衬、支撑组件和升降驱动装置；内衬包括：第一内衬和第二内衬；第二内衬同轴外套或内套于第一内衬上，在第一内衬与第二内衬之间具有间隙，升降驱动装置用于驱动第二内衬上升或下降；在对晶圆进行工艺处理时，第一内衬和第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，使得晶圆位于由第一内衬和第二内衬围成的工艺区域内。本实用新型专利技术的反应腔室以及等离子体设备，可以在工艺处理过程中将等离子体限定在一定的工艺区域内，同时能够保护腔室本体的内壁不被刻蚀，提高了工艺过程中的气流均匀性，能够保证工艺长时间稳定，使晶圆中心到边缘的刻蚀结果有较好的一致性，提高产品良率。

Reaction chamber and plasma equipment

The embodiment of the utility model discloses a reaction chamber and a plasma device. The reaction chamber comprises a chamber body, an inner liner, a supporting component and a lifting driving device; the inner liner comprises a first liner and a second liner; the second liner is coaxial or sleeved on the first liner, with a gap between the first liner and the second liner, and the lifting driving device is used to drive the second liner. The lining rises or falls; when the wafer is processed, the length of the overlapping part of the first and second linings is a predetermined length, so that the wafer is located in the process area surrounded by the first and second linings. The reaction chamber and plasma equipment of the utility model can confine the plasma to a certain process area in the process of process treatment, at the same time, can protect the inner wall of the chamber body from being etched, improve the air flow uniformity in the process, ensure the long-term stability of the process, make the etching results from the center of the wafer to the edge of the wafer have better consistency, and improve the products. Yield.

【技术实现步骤摘要】
反应腔室以及等离子体设备
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种反应腔室以及等离子体设备。
技术介绍
等离子体设备广泛用于当今的半导体、太阳能电池、平板显示等制作工艺中。在目前的制造工艺中，已经使用等离子体设备类型有多种，例如电容耦合等离子体、电感耦合等离子体以及电子回旋共振等离子体等类型。目前这些类型的放电被广泛应用于物理气相沉积、等离子体刻蚀以及等离子体化学气相沉积等。图1是现有的一种常见的用于半导体干法刻蚀设备的反应腔结构。工艺气体通过进气通道02流入反应腔09内部，上部电极射频天线01产生的高频能量透过介质窗03将介质窗03下方的工艺气体电离成等离子体04，等离子体04通过物理轰击或者化学反应的方式对晶圆06上的目标区域进行刻蚀。反应腔09内部的内衬05将等离子体04限定在一定区域，同时能够保护反应腔09内壁不被刻蚀。工艺过程产生的刻蚀副产物通过内衬05底部的排气通道08排到压力控制器010，最终被抽气泵011抽走。内衬05侧面上的传片口015用于刻蚀工艺开始前传入晶圆06以及刻蚀工艺完成后传出晶圆06。刻蚀工艺开始前，内门013在内门驱动器012的作用下下降，门阀014本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、内衬、用于支撑晶圆的支撑组件和升降驱动装置；所述内衬和所述支撑组件设置在所述腔室本体内；所述内衬包括：第一内衬和第二内衬；所述第一内衬与所述腔室本体固定连接，所述第二内衬同轴外套或内套于所述第一内衬上，在所述第一内衬与所述第二内衬之间具有间隙，所述升降驱动装置用于驱动所述第二内衬上升或下降；其中，在对晶圆进行工艺处理时，所述升降驱动装置驱动所述第二内衬下降并位于预设的第一位置，所述第一内衬和所述第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，所述晶圆位于由所述第一内衬和所述第二内衬围成的工艺区域内。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、内衬、用于支撑晶圆的支撑组件和升降驱动装置；所述内衬和所述支撑组件设置在所述腔室本体内；所述内衬包括：第一内衬和第二内衬；所述第一内衬与所述腔室本体固定连接，所述第二内衬同轴外套或内套于所述第一内衬上，在所述第一内衬与所述第二内衬之间具有间隙，所述升降驱动装置用于驱动所述第二内衬上升或下降；其中，在对晶圆进行工艺处理时，所述升降驱动装置驱动所述第二内衬下降并位于预设的第一位置，所述第一内衬和所述第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，所述晶圆位于由所述第一内衬和所述第二内衬围成的工艺区域内。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述升降驱动装置包括：可伸缩的升降波纹管；所述升降波纹管与所述第二内衬连接，通过所述升降波纹管的伸缩驱动所述第二内衬升降。3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述升降驱动装置包括：气缸组件；其中，通过所述气缸组件驱动所述升降波纹管伸缩。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11