等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种能够缓和在大气压下的环境中对被处理物的限制的等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置。实施方式的等离子体处理装置具备：放电部，在大气压下生成等离子体；以及非金属管，能够供在所述放电部中生成的等离子体行进；且从所述管向大气压下的环境释放等离子体。

Manufacturing methods of plasma processing device, semiconductor manufacturing device and semiconductor device

The invention relates to a plasma processing device, a semiconductor manufacturing device and a manufacturing method of a semiconductor device. The embodiment provides a plasma processing device, a semiconductor manufacturing device and a semiconductor device that can ease the limitation of the treated substance in an atmospheric pressure environment. The plasma processing device according to the embodiment comprises a discharge section which generates plasma at atmospheric pressure, a non-metallic tube which can be used for the plasma generated in the discharge section to travel, and a plasma is released from the tube to the atmospheric environment.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法[相关申请]本申请享有以日本专利申请2017-144709号(申请日：2017年7月26日)及日本专利申请2018-1802号(申请日：2018年1月10日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知一种在经减压的环境下产生等离子体来对被处理物进行处理的等离子体处理装置。
技术实现思路
实施方式提供一种能够缓和在大气压下的环境中对被处理物的限制的等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置。实施方式的等离子体处理装置具备：放电部，在大气压下生成等离子体；以及非金属管，能够供在所述放电部中生成的等离子体行进；且从所述管向大气压下的环境释放等离子体。另外，在另一实施方式的半导体装置的制造方法中，使用具有在大气压下生成等离子体的放电部以及能够供在所述放电部中生成的等离子体行进的非金属管的等离子体处理装置，朝向半导体晶片照射从所述管向大气压下的环境释放的等离子体，来对所述半导体晶片的表面进行处理。附图说明图1是表示实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于具备：放电部，在大气压下生成等离子体；以及非金属管，能够供在所述放电部中生成的等离子体行进；且从所述管向大气压下的环境释放等离子体。

【技术特征摘要】
2017.07.26 JP 2017-144709;2018.01.10 JP 2018-001801.一种等离子体处理装置，其特征在于具备：放电部，在大气压下生成等离子体；以及非金属管，能够供在所述放电部中生成的等离子体行进；且从所述管向大气压下的环境释放等离子体。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：还具备腔室，所述腔室中插入了所述管，且所述放电部配置在所述腔室的外侧。3.一种半导体制造装置，其特征在于具备：腔室；晶片支撑部，配置在所述腔室内；非金属管，延伸到所述腔室内；以及等离子体放电部，连接在所述管，且配置在所述腔室的外侧。4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于：还具备喷嘴，所述喷嘴对保持在晶片支撑部的晶片供给化学液，且所述管是以朝向所述化学液照射等离子体的方式配置。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于：所述喷嘴是以朝向所述晶片的表面喷出化学液的方式配置，且所述管是以朝向覆盖所述晶片表面的化学液照射等离子体的方式配置。6.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于：所述晶片浸渍在所述化学液中，且所述管是以朝向覆盖所述晶片表面的所述化学液照射等离子体的方式配置。7.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于：所述喷嘴是以朝向所述晶片的表面喷出化学液的方式配置，且所述管是以朝向到达所述晶片之前的所述化学液照射等离子体的方式配置。8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：使用具有在大气压下生成等离子体的放电部以及能够供在所述放电部中生成的等离子体行进的非金属管的等离子体处理装置，朝向半导体晶片照射从所述管向大气压下的环境释放的等离子体，而对所述半导体晶片的表面进行处理。9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉水康人，安井祐之，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP