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本发明涉及一种等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种能够缓和在大气压下的环境中对被处理物的限制的等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置。实施方式的等离子体处理装置具备：放电部，在大气压下生成等离子体；...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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