用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法技术

本发明专利技术涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。

Method for processing chamber components and manufacturing products of chambers

The invention relates to a method for processing chamber components and manufacturing products of a chamber. A method of manufacturing a product includes providing a ring for an etching reactor. Subsequently, ion-assisted deposition (IAD) is performed to deposit a protective layer on at least one surface of the ring, in which the protective layer is a plasma-resistant rare earth oxide film having a thickness of less than 300 microns and an average surface roughness of less than 6 microinches.

【技术实现步骤摘要】
用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法本申请是申请日为2014年7月15日，申请号为201480040772.6、名称为“用于工艺环上的稀土氧化物基薄膜涂层的离子辅助沉积”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2014/046734)的分案申请。
本专利技术的实施例大体上涉及具有薄膜式抗等离子体的保护层的腔室工艺环。
技术介绍
在半导体工业中，通过许多制造工艺来制造器件，所述工艺制造不断减小的尺寸的结构。一些制造工艺(诸如，等离子体蚀刻和等离子体清洁工艺)使基板暴露于高速的等离子体流以蚀刻或清洁所述基板。等离子体可能是高度侵蚀性的，并可能侵蚀处理腔室以及暴露于所述等离子体的其他表面。目前的工艺套件环由于高腐蚀速率和等离子体化学交互作用而具有性能问题。通常用于导体蚀刻的插入环和单环由石英制成，而用于电介质蚀刻的插入环和单环由Si制成。这些环坐落在晶片周围以使等离子体密度均匀，从而进行均匀的蚀刻。然而，石英和Si在各种蚀刻化学物质和偏置功率下具有极高的腐蚀速率。这些环受到的严重的腐蚀可能导致晶片上的粒子缺陷、工艺偏移、腐蚀副产物在其他腔室部件上的沉积以及腔室良率的减小。
技术实现思路
本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理腔室的腔室部件，包括：环形主体，所述环形主体包括氧化物基陶瓷、氮化物基陶瓷或碳化物基陶瓷中的至少一者，其中所述环形主体是包括顶部区域、环内侧和环外侧的烧结陶瓷体；以及保护层，所述保护层在所述环形主体的至少所述顶部区域、所述环内侧和所述环外侧上，其中：所述保护层是包含Y2O3和ZrO2的共形层；所述保护层具有小于1％的孔隙度；所述保护层具有小于6微英寸的平均表面粗糙度；以及所述保护层在所述顶部区域上具有小于300μm的第一厚度并且在所述环内侧上具有第二厚度，其中所述第二厚度是所述第一厚度的45‑70％。

【技术特征摘要】
2013.07.19 US 61/856,597;2013.09.19 US 14/032,0981.一种用于处理腔室的腔室部件，包括：环形主体，所述环形主体包括氧化物基陶瓷、氮化物基陶瓷或碳化物基陶瓷中的至少一者，其中所述环形主体是包括顶部区域、环内侧和环外侧的烧结陶瓷体；以及保护层，所述保护层在所述环形主体的至少所述顶部区域、所述环内侧和所述环外侧上，其中：所述保护层是包含Y2O3和ZrO2的共形层；所述保护层具有小于1％的孔隙度；所述保护层具有小于6微英寸的平均表面粗糙度；以及所述保护层在所述顶部区域上具有小于300μm的第一厚度并且在所述环内侧上具有第二厚度，其中所述第二厚度是所述第一厚度的45-70％。2.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层具有5-15μm的厚度。3.如权利要求1所述的腔室部件，进一步包括：过渡层，所述过渡层在所述环形主体和所述保护层之间。4.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述环内侧进一步包括竖直壁或阶梯中的至少一者。5.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层的孔隙度低于0.1％。6.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层包括保护层叠层，所述保护层叠层包括：在所述至少一个表面上的第一抗等离子体稀土氧化物膜以及在所述第一抗等离子体稀土氧化物膜上的第二抗等离子体稀土氧化物膜。7.如权利要求6所述的腔室部件，其中所述第一抗等离子体稀土氧化物膜包含着色剂，所述着色剂使所述第一抗等离子体稀土氧化物膜具有与所述第二抗等离子体稀土氧化物膜不同的颜色。8.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层具有2-3微英寸的粗糙度。9.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述环外侧是圆形的。10.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层包含40-100摩尔％的Y2O3、0-60摩尔％的ZrO2和0-10摩尔％的Al2O3。11.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层包含含有Y4Al2O9和Y2O3-ZrO2固溶体的陶瓷化合物。12.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述保护层具有选自由下列各项组成的列表的组分：40-60摩尔％的Y2O3、30-50摩尔％的ZrO2和10-20摩尔％的Al2O3；以及40-50摩尔％的Y2O3、20-40摩尔％的ZrO2和20-40...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·Y·孙，B·P·卡农戈，V·菲鲁兹多尔，Y·张，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US