等离子体刻蚀机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种等离子体刻蚀机。该等离子体刻蚀机包括：反应舱、观察窗、显微镜。该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内。观察窗被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品。所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品的进行观察。所述等离子体刻蚀机在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜物镜可以实时观察样品的细微结构，无需反复拿出被刻蚀样品就可以观察刻蚀进度，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀机
本技术是关于芯片失效分析领域，特别是关于一种等离子体刻蚀机。
技术介绍
芯片是由多层的金属布线结构与介质通孔层结构构成，而金属布线层为若干层相似结构，介质与通孔位于每相邻两层金属之间。介质作为金属层间的绝缘介质，不同层金属通过金属钨做的通孔实现连接。顶层的介质层无通孔且厚度相对其它层较厚，被称作钝化层。当芯片内部失效时，需要定位失效关键位置，对芯片逐层去层，分析失效原因；而进行芯片电路细节分析时，同样需要对芯片逐层去层以观察芯片内部结构。芯片去层是指将芯片的金属层及金属层上的介质通孔层(或钝化层)平整的移除。图1示出了现有技术的一种等离子体刻蚀机。观察窗10设置在反应舱11的舱体侧面，刻蚀芯片时，样品水平放置在反应舱11内，通过舱体侧面的观察窗10进行观测实验进程，在刻蚀之前通过真空系统12对反应舱进行抽真空。现有的等离子体刻蚀机有如下缺点：1.现有的等离子体刻蚀机观察窗10设置在反应舱11前侧，样品水平放置在反应舱内。实验过程中只能从侧面观察芯片。由于芯片线宽通常小于几十微米，实验过程中肉眼通过观察窗直接观察芯片样品无法看清芯片上细节图案，判断刻蚀厚度，只能等实验完本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀机，其具有反应舱，该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内，其特征在于，该等离子体刻蚀机包括：观察窗，被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品；以及显微镜，所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品进行观察。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀机，其具有反应舱，该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内，其特征在于，该等离子体刻蚀机包括：观察窗，被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，单书珊，乔彦彬，李建强，陈燕宁，张海峰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，国网信息通信产业集团有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11