半导体刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成，多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得反应腔的侧壁不会相对于晶片露出。本实用新型专利技术提供的半导体刻蚀设备设有片状构件，使其沿侧壁排布并至少一部分重叠而形成内衬，从而能够阻止等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触，实现对反应腔侧壁的全面保护。涡轮泵工作时，能够通过内衬产生螺旋气流，对聚合物产生强大的吸除力，便于清洁反应腔，提高反应腔的清洁度。

【技术实现步骤摘要】
半导体刻蚀设备
本技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体刻蚀设备。
技术介绍
在半导体器件的生产过程中，刻蚀工艺已经广泛使用来在晶片上形成不同的图案。目前，在半导体刻蚀的过程中，一般的半导体刻蚀设备会包括反应腔，通常会在反应腔内设置内衬对腔体进行保护，从而避免等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触。并且在刻蚀过程中，伴随刻蚀会产生需要去除掉的聚合物，通过设置内衬，可以使得聚合物沉积于内衬上之后去除，提高反应腔的清洁度。在现有技术中，常用的内衬分为密布孔型环绕内衬或栏栅型环绕内衬。密布孔型环绕的内衬因为形成为多孔状，所以去除聚合物时难度偏高，工作量较大。采用栏栅型环绕的内衬时，由于栏栅之间的间隔较大，使得聚合物更容易被清除，但正因栏栅之间的间隔较大，导致反应腔侧壁相对于晶片或者腔室内部露出的面积更大，等离子体更容易接触到反应腔侧壁，从而大幅降低了内衬对反应腔侧壁的保护效果。并且，由于栏栅之间的间隔较大，因此会有部分聚合物沉积到反应腔的侧壁上，增加了清理的难度和工作量。综合上述问题，如何在通过内衬对腔体侧壁进行较好的保护同时，使得刻蚀过程中产生的聚合物快速沉积并减少清理的工作量成为了亟待本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在所述反应腔内设置有晶片支座，所述晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，其特征在于，所述反应腔还包括内衬，所述内衬围绕所述反应腔的侧壁设置，所述内衬由多个片状构件沿着所述侧壁围合而成，所述多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得所述反应腔的侧壁不会相对于所述晶片露出。

【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在所述反应腔内设置有晶片支座，所述晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，其特征在于，所述反应腔还包括内衬，所述内衬围绕所述反应腔的侧壁设置，所述内衬由多个片状构件沿着所述侧壁围合而成，所述多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得所述反应腔的侧壁不会相对于所述晶片露出。2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述侧壁为圆柱状，每个所述片状构件相对于所述侧壁倾斜地设置。3.根据权利要求2所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述片状构件相对于所述侧壁的径向所形成的角度呈110°-130°。4.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述片状构件的截面形状为翼型。5.根据权利要求2所述的半导体刻蚀设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亚勇，盖晨光，曾德强，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32