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本实用新型提供了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成，多个片状构件设置为彼此至少有一部分...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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