反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔室侧壁和腔室底壁，还包括热交换元件和用于提供能量的热交换源，其中，热交换元件包括均匀分布在腔室侧壁中的第一部分，和均匀分布在腔室底壁中的第二部分。本发明专利技术提供的反应腔室，其可以避免使用多个加热器很难保证温度一致性的问题，而且还可以保证腔室温度均匀性。

Reaction chamber and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前，LED刻蚀机是LED光源生产过程中所需要的重要设备，主要用于刻蚀GaN基外延层或蓝宝石衬底，刻蚀的效果直接关系到光源芯片的质量高低，进而影响光源的质量。在刻蚀工艺中，通常需要对反应腔室进行加热，为了保证温度的均匀性，通常使用多个加热器对反应腔室的不同区域进行加热。图1为现有的反应腔室的剖视图。如图1所示，在反应腔室内设置有基座2，用于承载晶片3。并且，在腔室底壁1中设置有4个加热器4。如图2所示，4个加热器4分布在靠近腔室底壁1的四个边角的位置处。并且，在每个加热器4的周围设置有热电偶5和过温开关6，组成一个加热控制单元。为了简明的表示加热布局，图2中只画出了一个热电偶5和一个过温开关6。4个加热器共用一个电源供电。过温开关6用于在腔室温度过高时切断电源，并输出报警信息。另外，在腔室顶壁设置有同样的加热控制单元。上述反应腔室在实际应用中不可避免地存在以下问题：其一，腔室顶壁和腔室底壁中共设置有8个加热器同时对腔室加热，在此过程中，需要通过控制8个加热器的温度一致性来保证本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，包括腔室侧壁和腔室底壁，其特征在于，还包括热交换元件和用于提供能量的热交换源，其中，所述热交换元件包括均匀分布在所述腔室侧壁中的第一部分，和均匀分布在所述腔室底壁中的第二部分。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括腔室侧壁和腔室底壁，其特征在于，还包括热交换元件和用于提供能量的热交换源，其中，所述热交换元件包括均匀分布在所述腔室侧壁中的第一部分，和均匀分布在所述腔室底壁中的第二部分。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述热交换元件为热交换管路，所述热交换管路包括输入端和输出端；所述热交换源为热交换液体源，所述热交换液体源包括输出口和回收口，所述输出口通过所述输入端向所述热交换管路通入热交换液体；所述回收口通过所述输出端回收所述热交换管路中的热交换液体。3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述热交换元件为加热丝；所述热交换源为电源。4.根据权利要求2或3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一部分和第二部分相互串联或者相互并联。5.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述热交换液体的温度与期望的腔室温度一致。6.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，通过控制所述热交换液体在所述热交换管路中的流速和/或温度，来控制加热速度。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：程旭文，姜宏伟，杨雄，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11