The invention relates to a pulse modulated radio frequency power supply system, which comprises a modulation output module and a frequency regulation module; the modulation output module is used for outputting a pulse modulated radio frequency signal, each pulse period of the pulse modulated radio frequency signal includes a pulse opening stage and a pulse closing stage, and the initial time period of the pulse opening stage is provided with an overshoot stage; and The frequency adjusting module, which is connected with the modulation output module, is used to adjust the RF frequency of the pulse modulated RF signal in the overshoot stage, so as to make the reflection power or reflection coefficient of the overshoot stage meet the requirements. The invention also provides a reaction chamber. It is not only easy to achieve ignition success, but also reduces the design requirements and cost of RF system.
【技术实现步骤摘要】
射频电源的脉冲调制系统及方法
本专利技术属于半导体设备制造
,具体涉及一种射频电源的脉冲调制系统及方法。
技术介绍
等离子体设备广泛地被应用于制造集成电路IC或MEMS器件的制备工艺中,主要借助射频电源输出射频功率来激发工艺气体形成等离子体。目前,等离子体设备包括电容耦合等离子体(CCP)设备、电感耦合等离子体(ICP)设备、表面波或电子回旋共振等离子体(ECR)设备。其中,CCP设备是利用电容耦合方式产生等离子体,其结构简单、造价低且容易产生大面积均匀分布的等离子体,适用于介质等类型膜的刻蚀工艺;ECR设备可以在较低的气压下获得密度较高的等离子体,但是其造价相对较高;ICP设备不仅可以在较低的气压下获得高密度的等离子体,而且结构简单,造价低,并且其可以对用于产生且决定的等离子体密度的射频源,以及用于决定入射到晶片上的粒子能量的射频源进行独立控制,适用于金属和半导体等材料的刻蚀工艺。图1为典型的电感耦合等离子体设备的结构示意图,请参阅图1,该ICP设备包括反应腔室10,在反应腔室10的顶壁上内嵌有介质窗11,在介质窗11的上方设置有感应线圈12,感应线圈12通过第一阻抗匹配器13与第一射频电源14电连接,用以激发反应腔室10内的工艺气体形成等离子体,即,第一射频电源14为用于产生且决定的等离子体密度的射频源;在反应腔室10内设置有用于承载晶片S的静电卡盘15,静电卡盘15通过第二阻抗匹配器16与第二射频电源17电连接,用以吸引等离子体朝向晶片S运动,以实现等离子体对晶片S完成沉积、刻蚀等工艺,即 ...
【技术保护点】
1.一种射频电源的脉冲调制系统,其特征在于,包括:调制输出模块和频率调节模块;/n所述调制输出模块,用于输出脉冲调制射频信号,所述脉冲调制射频信号的每个脉冲周期包括脉冲开启阶段和脉冲关闭阶段,在所述脉冲开启阶段的初始时间段设置有过冲子阶段;/n所述频率调节模块,与所述调制输出模块相连,用于调节所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的射频频率,以使所述过冲子阶段的反射功率或反射系数满足要求。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种射频电源的脉冲调制系统,其特征在于,包括:调制输出模块和频率调节模块;
所述调制输出模块,用于输出脉冲调制射频信号,所述脉冲调制射频信号的每个脉冲周期包括脉冲开启阶段和脉冲关闭阶段,在所述脉冲开启阶段的初始时间段设置有过冲子阶段;
所述频率调节模块,与所述调制输出模块相连,用于调节所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的射频频率,以使所述过冲子阶段的反射功率或反射系数满足要求。
2.根据权利要求1所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,还包括:输入模块;
所述输入模块与所述频率调节模块相连,用于接收输入的所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的射频频率,并发送至所述频率设置模块作为预设频率;
所述频率调节模块,用于调节所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的射频频率为预设频率。
3.根据权利要求1所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,所述频率调节模块,用于利用扫频匹配算法自动调节所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的射频频率。
4.根据权利要求1所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,所述反射系数小于0.5。
5.根据权利要求4所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,所述反射系数小于0.2。
6.根据权利要求1所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的功率范围为所述射频电源的最大输出功率的0.5~1倍。
7.根据权利要求6所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,所述过冲子阶段的所述脉冲调制射频信号的功率范围为所述射频电源的最大输出功率的0.8~1倍。
8.根据权利要求1所述的脉冲调制射频电源系统,其特征在于,所述过冲子阶段的时长≤所述脉冲开启阶段的时长的10%,所述脉冲调制射频信号的脉冲调制频率为10Hz~100KHz,占空比是10%~90%。
技术研发人员:韦刚,卫晶,杨京,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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