本发明提供一种热交换装置及半导体加工设备，包括热交换器主体、导流组件和抽气组件；其中，热交换器主体的正面含有进气口，导流组件设置于进气口的前端，用于对即将流入热交换器主体、尚未处理的热气流进行导向；抽气组件含有出风口；热交换器主体的侧面...

本发明涉及薄片晶圆背金层的制备方法，该方法通过在溅射工艺气体中进一步加入应力控制填充气体，以降低金属合金或金属化合物中的晶格缺陷，从而降低膜层应力。本发明提供的薄片晶圆背金层制备方法，工艺设备简单、过程有效。采用该方法可获得较低应力金属...

本发明提供一种基片的刻蚀方法。该方法包括：将形成有掩膜图形的基片设置在刻蚀腔内，所述掩膜图形的形状与所述斜台结构的图形对应；向所述刻蚀腔内通入工艺气体，所述工艺气体包括刻蚀气体和沉积气体；对所述工艺气体进行等离子体化，以使得等离子体化的...

本发明公开了一种压环组件、工艺腔室和半导体处理设备。包括隔热件、压环以及夹设在所述压环和所述隔热件之间的绝缘支撑件，所述隔热件位于所述压环上方，所述绝缘支撑件的两端分别与所述隔热件和所述压环抵接，并且，所述绝缘支撑件的两端的横截面尺寸大...

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括：腔室本体；基座，位于所述腔室本体内；盖板，盖设在所述腔室本体上，且与所述腔室本体之间绝缘间隔；下电极射频电源，与所述基座和所述盖板选择性地电连接；并且，启辉阶段，所述盖板为悬浮状态，所述下...

本发明公开了一种图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管。包括初始阶段：在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜；形貌形成阶段，通入第一刻蚀气体，在预设的第一刻蚀工艺参数下，形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底；拐角形成抑制阶...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及射频脉冲匹配方法、射频脉冲装置和脉冲等离子体产生系统。该射频脉冲匹配方法，包括S1)：预设匹配门限值，以及将脉冲计数值初始化为脉冲参考值；S2)：采集上电极射频电源的脉冲信号，并计算匹配参数；S3)...

本发明提供一种加热器故障检测装置、加热系统、加热器故障检测方法和半导体加工设备。该加热腔故障检测装置包括电流互感模块和控制模块；所述电流互感模块，用于感应加热器所在加热回路上的电流信号并发送至所述控制模块；所述控制模块，用于根据所述电流...

本实用新型提供一种缓冲腔室，包括腔体、加热装置和导流装置，其中，在腔体上设置有排气口，导流装置设置在腔体上，并在导流装置中设置有与腔体内部连通的导流通道，且导流通道与腔体内部连通，用于向腔体内部导流气体；加热装置与导流通道对应设置，用于...

本发明公开了一种磁控溅射工艺中直流电源的控制方法、控制装置及系统，其中控制方法包括：预先接收工控机下发的参数指令，参数指令包括：电源设定功率、定时启动功率、电源加载时间；在磁控溅射工艺的过程中，实时判断电源设定功率和定时启动功率是否满足...

本实用新型实施例公开了一种磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备，其中的组件包括：适配器；适配器被设置为遮蔽内衬的底部和侧壁，用于将内衬固定在反应腔室内；适配器的侧壁与内衬的侧壁之间具有预设的间隙，适配器的底部与内衬的底部相接触，适...

本发明提供一种基片固定方法及装置、半导体加工设备。该基片固定方法至少包括以下步骤：步骤S1，将基片放置在静电卡盘上；步骤S2，使叠压件叠压在基片上；步骤S3，向静电卡盘施加直流电压，以实现采用静电吸附的方式固定将基片固定在静电卡盘上。本...

本发明提供了一种用于铝基片的等离子体刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：采用氯基气体对表面设置有掩膜层的铝基片进行刻蚀；去除所述铝基片上的所述掩膜层；采用氮气对所述铝基片进行预定时间的防腐蚀处理。所述等离子体刻蚀方法可以有效地除去铝基片表面的残...

本申请实施例提供了一种物料加工路径选择方法及装置，该方法包括：计算得出多个候选物料加工路径；确定瓶颈工艺槽，瓶颈工艺槽为所有工艺槽中使用频度最高的工艺槽；对于多个候选物料加工路径中的每一个候选物料加工路径，计算其瓶颈工艺槽利用率，选择多...

本发明公开了一种磁控管控制方法、装置及磁控溅射设备。包括：获取在磁控管匀速转动状态下晶圆上各不同沉积区域沉积的膜层的膜厚；其中，使靶材溅射出的粒子在特定入射角度范围内溅射到晶圆上；根据获得的膜厚的不同，将磁控管的运动区域划分为若干个子运...

本发明公开了一种Bosch工艺的工艺参数的监控方法、系统和存储介质。包括：获取父配方信息中包括的若干子配方以及每个子配方的循环次数；每个子配方均执行下述步骤：S110、设定当前子配方的各工艺步骤的采样点；S120、分别获取相同工艺步骤在...

本发明提供的基座组件及反应腔室，包括基座，基座中设置有气体通道，在承载面上形成有凹道，凹道与气体通道的出气端连通，用于在晶圆置于承载面上时，向晶圆的下表面与承载面之间的凹道通入热交换气体，本发明提供的基座组件还包括流量控制器，通过流量控...

本发明提供一种硅晶片的钝化方法和硅晶片的少子寿命的测量方法。该钝化方法包括：对待处理的硅晶片进行热氧化处理，以在所述硅晶片表面形成预定厚度的二氧化硅钝化层；利用冷却气体对热氧化处理后的所述硅晶片进行冷却，所述冷却气体包括氧气。可提高硅晶...

本发明为一种铜互联结构中扩散阻挡层的制作工艺及铜互联结构，该制作工艺包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽，所述沟槽的侧壁为介电材料，所述沟槽的底部为导电材料；采用含有钴和锗的前驱物对所述半导体衬底进行化学气相沉积或原...

本发明提供一种腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备，该压力平衡方法包括：根据当前工艺任务，对第一目标腔室进行抽气或充气；判断所述第一目标腔室与第二目标腔室之间的压力差值是否在第一预设范围内；若判断结果为是，则停止对第一目标腔室进...