本发明提供了一种判断工艺腔室内等离子体起辉状态的方法，所述工艺腔室包括阻抗匹配单元，所述方法包括：获取所述阻抗匹配单元的实时阻抗参数；判断获取到的实时阻抗参数是否在预设阻抗参数范围内，且持续预定时间，若是，判定起辉失败；若否，判定起辉成...

本发明提供一种制膜方法，其包括：第一溅射阶段，向靶材加载射频功率，以在晶片表面上形成保护层；第二溅射阶段，同时向靶材加载射频功率和直流功率，以在保护层上形成薄膜。本发明提供的制膜方法，其可以减少对晶片表面造成损伤，从而可以提高产品性能。

本实用新型提供一种内衬接地装置，用于使内衬与基座之间电导通；包括弹性接地件，弹性接地件包括连接部、延展部和弯折部；连接部用于与内衬连接，延展部沿着内衬的轴向平整地延伸，弯折部相对于内衬的轴向倾斜并向基座的方向平整地延伸，弯折部用于产生弹...

本实用新型提供一种加热炉体和半导体设备，该加热炉体包括：环形保温体；环绕设置在所述环形保温体周围的炉壳；设置在所述环形保温体和所述炉壳之间的缓冲层；以及相互独立的多个加热结构，沿环形保温体的轴向依次设置在环形保温体的内侧；并且，有至少一...

本发明公开了一种承载装置、工艺腔室和半导体处理设备。包括：静电卡盘以及环绕所述静电卡盘的周向侧壁设置的支撑环，所述静电卡盘和所述支撑环共同承载待加工件，还包括第一驱动组件，用于驱动支撑环移动至第一卸载位置，以使得待加工件与静电卡盘脱离；...

本发明提供一种反应腔室，包括腔体和设置在腔体底部的底板，还包括保护结构，保护结构位于腔体与底板的对接处的内侧，用于将底板与腔体的内部隔离；并且，腔体的底壁、保护结构朝向腔体的内周壁的表面与底板朝向腔体内部的表面环绕形成隔离空间，可通过向...

本发明公开了一种微环境的压力控制系统及其控制方法、半导体处理设备。包括压差检测单元，分别连接至微环境、外部大气环境以及工艺腔室，用于分别获取微环境内部与外部大气环境之间的第一压力差以及微环境内部与工艺腔室内部之间的第二压力差；控制单元，...

本发明公开了一种硅片位置检测方法、装置及半导体加工设备。包括：步骤S110、基座加载硅片之前，测量硅片槽的槽底面上的多个第一采集点分别至预设测距面的距离，以获得多个初始距离值；步骤S120、基座加载硅片之后，测量硅片的上表面上的多个第二...

本发明提供一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室和设置在反应腔室顶部的谐振腔，谐振腔的底壁设置有介质窗，还包括介质板，介质板设置于谐振腔的底壁的下方，其中，介质板在谐振腔的底壁上的正投影遮挡至少部分介质窗以及至少部分介质窗以外的区域。...

本发明公开了工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体以及套设在所述腔室本体外侧的冷却元件，所述冷却元件与所述腔室本体的外周壁之间形成有冷却气体通道，所述工艺腔室还包括温度感应元件、加热元件以及控制元件，所述温度感应元件、所述加热元件均与所...

本发明公开了一种表面波等离子体装置和半导体处理设备。包括依次相连的微波产生结构、微波传输匹配结构、谐振腔室、介质窗和真空腔室，介质窗朝向真空腔室的一面上设置有介质层，该介质层朝向所述真空腔室的一面为图形化表面，所述图形化表面使得所述介质...

本发明涉及一种半导体加工设备。在本发明的一实施例中，该半导体加工设备包含反应腔室，其内设置有用以承载待加工工件的基座；第一等离子体产生腔，与反应腔室连通设置，用于沿第一方向向待加工工件提供离子束；第二等离子体产生腔，该第二等离子体产生腔...

本发明提供一种半导体设备报警分析方法及装置，该方法包括：在报警触发后，根据报警配置文件中预置的报警信息项目收集所述报警对应的报警信息，并将所述报警信息保存在报警信息数据库中；根据所述报警的报警编号，在所述数据库中查找所述报警信息，并根据...

本发明公开了一种硬件参数的监控方法、装置、半导体处理系统和计算机可读存储介质。包括：实时获取硬件参数的实际值；将硬件参数的实际值与预设的硬件参数的目标值进行比较，并当硬件参数的实际值与硬件参数的目标值一致时，将硬件参数的状态标记为第一状...

本发明公开了一种机械手的校准方法、装置和半导体处理设备。包括控制机械手进入粗略取片位以取测试晶片，并记录机械手在粗略取片位时的粗略伸缩半径和粗略旋转角度；控制机械手将测试晶片放置到直线性校准器上以进行校准，获得测试晶片的圆心偏移量和旋转...

本发明提供一种腔室离线控制方法及系统，该腔室离线控制方法包括：当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断所述腔室是否容纳有晶片；若判断结果为是，则向所述腔室发送晶片传出指令，以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室；再次判断所述腔...

本申请实施例提供了一种晶圆传送装置，包括：移动臂及接合盘；其中，移动臂设置有抽气通道，该抽气通道可与抽气系统连通设置；接合盘的轴向贯穿有抽气口，该抽气口与抽气通道连通；连接部与移动臂柔性连接，当接合盘与晶圆的边缘接触时，以吸附晶圆。本申...

本发明公开了一种气体输运系统，包括：工艺管路、排空管路和多条气源管路，其中，工艺管路连通于气源管路的出口与反应腔室的入口；排空管路连通于气源管路的出口与尾气处理装置的入口；每条气源管路能够独立的连通于工艺管路或排空管路，从而实现多条气源...

本发明提供一种表面波等离子体装置，包括谐振板，在谐振板的远离反应腔室的一个表面上形成有凹槽，该凹槽中可分离的填充有介质结构，用于调节反应腔室中的等离子体分布均匀性。本发明提供的表面波等离子体装置，其不仅可以提高调节等离子体分布均匀性的便...

本发明提供一种可变电容步进电机的位置校准装置、射频匹配器及半导体设备，该可变电容步进电机的位置校准装置包括：校准组件，设置在所述步进电机的转轴上，随所述转轴同轴旋转，且所述校准组件上设置有用于标识所述转轴的单位旋转角度的标识结构，所述单...