腔室离线控制方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种腔室离线控制方法及系统，该腔室离线控制方法包括：当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断所述腔室是否容纳有晶片；若判断结果为是，则向所述腔室发送晶片传出指令，以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室；再次判断所述腔室中是否容纳有晶片；若所述再次判断的结果为否，则向所述腔室发送离线指令，以控制所述腔室转为离线状态。通过本发明专利技术，减小了机台的损失。

Off line control method and system of chamber

【技术实现步骤摘要】
腔室离线控制方法及系统
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种腔室离线控制方法及系统。
技术介绍
目前，在半导体领域，工厂自动化系统监视设备的状态，特别是该设备在工艺过程中各个参数指标，一旦该设备的某个腔室的某个参数指标失控(OutOfControl，以下简称OOC)，即某个参数指标超出预设范围时，需要人员停止该腔室的工作，即使腔室离线，该使腔室离线的方式人为因素影响比较大，人员从接到通知到使腔室离线往往需要耗时1-4小时不等，这样不能在第一时间使腔室离线，后续晶片会继续进入该腔室进行工艺，可能导致晶片工艺不达标甚至导致晶片报废。进一步，人为使腔室离线，可能会导致整个设备的其他腔室也暂时无法使用，即耗时又费力同时还影响机台的正常运行和产量。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室离线控制方法及系统。为实现本专利技术的目的而提供一种腔室离线控制方法，所述方法包括：当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断所述腔室是否容纳有晶片；若判断结果为是，则向所述腔室发送晶片传出指令，以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室；再次判断所述腔室中是否容纳有晶片；若所述再次判断的结果为否，则向所述腔室发送离线指令，以控制所述腔室转为离线状态。优选地，所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后，还包括：判断当前工艺任务中是否存在与所述腔室中的晶片属于同一批次的待加工晶片；若判断结果为是，则调度其他待加工晶片进入至处于在线状态的腔室进行工艺，以完成当前所述工艺任务。优选地，所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后，还包括：向指定终端发送故障检修信息和/或警报信息。优选地，所述当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息的步骤之后，且判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前，还包括：重新获取新的物料传输路径，以完成所述晶片对应的所述工艺任务；以及所述尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室的步骤之后，且再次判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前，还包括：根据已获取的所述能够完成所述晶片的工艺任务的新的物料传输路径来传输所述晶片。优选地，所述控制所述腔室转为离线状态，包括：控制所述腔室停止当前工艺；以及在预设时间段内，控制所述腔室之外的处于在线状态的腔室或其他设备拒绝接收处于非正常工艺状态的所述腔室所发出的信息。优选地，所述非正常工艺状态的通知信息，包括：至少一个超出预设指标范围的电源值、功率值、压力值以及工艺气体流量值。优选地，所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后，还包括：判断所述晶片在进入所述腔室之前、装载该晶片的晶圆传送盒中是否存在未出盒晶片；若判断结果为是，则停止从该晶圆传送盒中拾取晶片。优选地，在所述判断所述腔室是否容纳有晶片的步骤之后，若判断结果为否，则直接向所述腔室发送离线指令，以控制所述腔室转为离线状态。一种腔室离线控制系统，包括：状态判断模块以及离线控制模块；所述状态判断模块，在接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断所述腔室是否容纳有晶片；若判断结果为是，则向所述离线控制模块发送晶片传出指令；所述状态判断模块还用于再次判断所述腔室中是否容纳有晶片；若所述腔室中未容纳有晶片，则向所述离线控制装置发送离线指令；所述离线控制模块用于在接收到所述晶片传出指令时，尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室；在接收到所述离线指令时，控制所述腔室转为离线状态。优选地，还包括：警报模块，用于在所述腔室转为离线状态之后，向指定终端发送故障检修和/或报警信息。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的腔室离线控制方法及系统的技术方案中，当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断腔室是否容纳有晶片；若是，则向腔室发送晶片传出指令，以尝试控制腔室将晶片传出该腔室；再次判断腔室中是否容纳有晶片；若再次判断的结果为否，则向腔室发送离线指令，以控制腔室转为离线状态。因此，遇到工艺OOC后设备能够自动接受命令，识别腔室是否还有未出片的晶片，有则不出片，并且同时等待出现OOC问题的晶片传出该腔室后立即离线该腔室，因此，并不需要人员手动终止当前运行的工作，更重要的一点是能够保证后续晶片不会再进入OOC腔室工艺影响后续晶片工艺质量甚至出现报废的情况，减小了机台的损失，提高了机台产量。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的腔室离线控制方法的流程框图；图2为本专利技术实施例二提供的腔室离线控制方法的流程框图；图3为本专利技术实施例三提供的腔室离线控制方法的流程框图；图4为本专利技术实施例四提供的腔室离线控制方法的流程框图；图5为本专利技术实施例五提供的腔室离线控制方法的流程框图；图6为本专利技术实施例六提供的腔室离线控制系统的结构示意图；图7为本专利技术实施例七提供的腔室离线控制系统的结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的腔室离线控制方法及系统进行详细描述。实施例一如图1所示，为本专利技术实施例一提供的腔室离线控制方法的流程框图，本专利技术实施例一中，腔室离线控制方法包括：步骤101：当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断腔室是否容纳有晶片；若是，执行步骤102。具体地，非正常工艺状态的通知信息包括：至少一个超出预设指标范围的电源值、功率值、压力值以及工艺气体流量值。进一步，预设指标范围是针对不同参数指标设置的不同的参数指标范围值，该不同的参数指标范围值由不同工艺要求以及不同机台型号确定。步骤102：向腔室发送晶片传出指令，以尝试控制腔室将晶片传出该腔室。步骤103：再次判断腔室中是否容纳有晶片；若否，执行步骤104。步骤104：向腔室发送离线指令，以控制腔室转为离线状态。具体地，控制腔室转为离线状态，包括：控制腔室停止当前工艺；以及在预设时间段内，控制腔室之外的处于在线状态的腔室或其他设备拒绝接收处于非正常工艺状态的腔室所发出的信息。具体地，预设时间可以由工艺需求确定。本专利技术实施例提供的腔室离线控制方法，当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断腔室是否容纳有晶片；若是，则向腔室发送晶片传出指令，以尝试控制腔室将晶片传出该腔室；再次判断腔室中是否容纳有晶片；若再次判断的结果为否，则向腔室发送离线指令，以控制腔室转为离线状态。因此，遇到工艺OOC后设备能够自动接受命令，识别腔室是否还有未出片的晶片，有则不出片，并且同时等待出现OOC问题的晶片传出该腔室后立即离线该腔室，因此，并不需要人员手动终止当前运行的工作,更重要的一点是能够保证后续晶片不会再进入OOC腔室工艺影响后续晶片工艺质量甚至出现报废的情况，减小了机台的损失，提高了机台产量。实施例二如图2所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种腔室离线控制方法，其特征在于，所述方法包括：/n当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断所述腔室是否容纳有晶片；/n若判断结果为是，则向所述腔室发送晶片传出指令，以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室；/n再次判断所述腔室中是否容纳有晶片；/n若所述再次判断的结果为否，则向所述腔室发送离线指令，以控制所述腔室转为离线状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种腔室离线控制方法，其特征在于，所述方法包括：
当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时，判断所述腔室是否容纳有晶片；
若判断结果为是，则向所述腔室发送晶片传出指令，以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室；
再次判断所述腔室中是否容纳有晶片；
若所述再次判断的结果为否，则向所述腔室发送离线指令，以控制所述腔室转为离线状态。


2.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法，其特征在于，所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后，还包括：
判断当前工艺任务中是否存在与所述腔室中的晶片属于同一批次的待加工晶片；
若判断结果为是，则调度其他待加工晶片进入至处于在线状态的腔室进行工艺，以完成当前所述工艺任务。


3.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法，其特征在于，所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后，还包括：
向指定终端发送故障检修信息和/或警报信息。


4.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法，其特征在于，
所述当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息的步骤之后，且判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前，还包括：重新获取新的物料传输路径，以完成所述晶片对应的所述工艺任务；以及
所述尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室的步骤之后，且再次判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前，还包括：根据已获取的所述能够完成所述晶片的工艺任务的新的物料传输路径来传输所述晶片。


5.根据权利要求1所述的一种腔室离线控制方法，其特征在于，所述控制所述腔室转为离线状态，包括：
控制所述腔室停止当前工艺；以及在预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：方林，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11