反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室，包括腔体和设置在腔体底部的底板，还包括保护结构，保护结构位于腔体与底板的对接处的内侧，用于将底板与腔体的内部隔离；并且，腔体的底壁、保护结构朝向腔体的内周壁的表面与底板朝向腔体内部的表面环绕形成隔离空间，可通过向隔离空间中通入保护气体，来阻挡反应腔室中的腐蚀性气体接触底板。本发明专利技术提供的反应腔室能够防止腐蚀性气体腐蚀金属盘，从而避免反应腔室中的晶圆受到腐蚀物的污染。

reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
反应腔室
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种反应腔室。
技术介绍
目前，采用热处理装置生长氧化膜或者进行扩散工艺制程，由于工艺制程的需要，会向反应腔室通入腐蚀性气体。通常，位于反应腔室底部的盘状工艺门采用金属材料制作而成，在高温条件下，金属容易受到腐蚀性气体的腐蚀，导致进行热处理制程的晶圆遭受金属污染，或者引起晶圆表面缺陷，影响到产品良品率，因此，需要可靠地解决因金属腐蚀问题而造成的工艺缺陷。现有技术中，在反应腔室的腔体与盘状工艺门之间设置有石英密封板，该石英密封板一侧与盘状工艺门贴合，以将盘状工艺门与反应腔室内的腐蚀性气体隔离，避免因腐蚀性气体与盘状工艺门接触而造成金属腐蚀。但是，由于反应腔室的腔体与密封板均采用石英材料制作，在腔体与密封板的两个贴合面之间会产生间隙，导致腐蚀性气体能够从该间隙中漏出，密封性难以保证。因此，目前亟需一种能够在保证密封性的前提下，避免盘状工艺门被腐蚀性气体腐蚀的结构。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，包括腔体和设置在所述腔体底部的底板，其特征在于，还包括保护结构，所述保护结构位于所述腔体与所述底板的对接处的内侧，用于将所述底板与所述腔体的内部隔离；并且，所述腔体的底壁、所述保护结构朝向所述腔体的内周壁的表面与所述底板朝向所述腔体内部的表面环绕形成隔离空间，可通过向所述隔离空间中通入保护气体，来阻挡所述反应腔室中的腐蚀性气体接触所述底板。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括腔体和设置在所述腔体底部的底板，其特征在于，还包括保护结构，所述保护结构位于所述腔体与所述底板的对接处的内侧，用于将所述底板与所述腔体的内部隔离；并且，所述腔体的底壁、所述保护结构朝向所述腔体的内周壁的表面与所述底板朝向所述腔体内部的表面环绕形成隔离空间，可通过向所述隔离空间中通入保护气体，来阻挡所述反应腔室中的腐蚀性气体接触所述底板。


2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述保护结构包括采用抗腐蚀材料制作的环形挡板，且所述腔体的底壁、所述环形挡板的外周壁与所述底板朝向所述腔体内部的表面环绕形成所述隔离空间。


3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述隔离空间包括缓冲子空间；
在所述环形挡板的外周壁形成有环形凹部，所述腔体的底壁，所述环形凹部朝向所述腔体的内周壁的表面与所述底板朝向所述腔体内部的表面构成所述缓冲子空间；
所述环形凹部的轴向长度小于所述环形挡板的外周壁的轴向长度，且所述环形凹部沿轴向贯通至所述环形挡板朝向所述腔体内部的表面或者背离所述腔体内部的表面。


4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体的底壁包括第一对接面和位于所述第一对接面外侧的第二对接面，所述环形挡板包括第一表面，所述底板包括第二表面，其中：
所述第二对接面与所述第二表面对接；所述第一对接面与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：董金卫，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11