一种半导体加工设备制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体加工设备。在本发明专利技术的一实施例中，该半导体加工设备包含反应腔室，其内设置有用以承载待加工工件的基座；第一等离子体产生腔，与反应腔室连通设置，用于沿第一方向向待加工工件提供离子束；第二等离子体产生腔，该第二等离子体产生腔与反应腔室连通设置，且第二等离子体产生腔的出口距所述基座的距离大于预设距离，以实现沿第二方向向待加工工件提供自由基；其中，第一方向与第二方向呈一定角度。

A semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工设备
本专利技术大体上涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体加工设备。
技术介绍
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料正在迅速崛起。凭借其优异特性，SiC材料可应用于Si、GaAs、InP等传统材料难以胜任的场合，为器件性能带来突破。在广泛应用的SiC刻蚀工艺中，需要提高等离子体密度以获得高刻蚀速率。然而，高密度等离子体对SiC材料存在加热作用，其热源来自于三个方面：一是离子轰击加热，二是化学反应热，三是辐射热。高密度等离子体的上述加热作用将不利地导致晶圆表面温度迅速升高、键合结构遭到破坏，并最终导致生产过程终止。因此，现有技术在等离子体密度与温度之间存在一对矛盾关系，导致现有技术难以在高刻蚀速率与低晶圆温度之间取得平衡。
技术实现思路
本专利技术公开了一种半导体加工设备以解决
技术介绍
中的问题，以同时实现高刻蚀速率与低晶圆温度，并实现对刻蚀过程的灵活控制。根据本专利技术的一实施例，揭露一种半导体加工设备，该半导体加工设备包含反应腔室，其内设置有用以承载待加工工件的基座；第一介质筒，与所述反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工设备，其特征在于，包含：/n反应腔室，其内设置有用以承载待加工工件的基座(503)；/n第一等离子体产生腔(601)，与所述反应腔室连通设置，用于沿第一方向向所述待加工工件提供离子束；/n第二等离子体产生腔(602)，所述第二等离子体产生腔(602)与所述反应腔室连通设置，且所述第二等离子体产生腔的出口距所述基座的距离大于预设距离，以实现沿第二方向向所述待加工工件提供自由基；/n其中，所述第一方向与所述第二方向呈一定角度。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备，其特征在于，包含：
反应腔室，其内设置有用以承载待加工工件的基座(503)；
第一等离子体产生腔(601)，与所述反应腔室连通设置，用于沿第一方向向所述待加工工件提供离子束；
第二等离子体产生腔(602)，所述第二等离子体产生腔(602)与所述反应腔室连通设置，且所述第二等离子体产生腔的出口距所述基座的距离大于预设距离，以实现沿第二方向向所述待加工工件提供自由基；
其中，所述第一方向与所述第二方向呈一定角度。


2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，还包括真空系统(701)，所述真空系统(701)与所述反应腔室相连通，并与所述第二等离子体产生腔(602)相对设置，其中所述真空系统(701)经配置以使所述自由基向所述待加工工件加速运动。


3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述基座(503)耦合至偏压电源，以吸引所述离子束沿所述第一方向朝所述待加工工件加速运动。


4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述偏压电源的频率为0.4MHz-13.56MHz。


5.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一等离子体产生腔(601)包括过滤栅(302)，所述过滤栅(302)耦合至直流偏压电源，以使得所述离子束沿所述第一方向朝所述待加工工件加速运动。


6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述过滤栅距所述基座的最小距离为10mm-100mm。


7.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述预设距离范围为60mm-300mm。


8.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述预设距离为200mm。


9.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向呈90°夹角。

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴存，张受业，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11