本发明提供一种表面波等离子体加工设备，其包括反应腔室、设置在反应腔室上方的中心谐振腔、设置在中心谐振腔与反应腔室之间的介质窗、用于向中心谐振腔传输微波的微波传输机构以及微波源机构，其特征在于，还包括边缘增强结构，用于增加反应腔室内对应介...

本发明公开了一种匀流件、工艺腔室、原子层沉积设备及沉积方法。匀流件包括若干个间隔设置的第一匀流孔和第二匀流孔，所述第一匀流孔的出气口和所述第二匀流孔的出气口处于非同一平面。本发明的匀流件，相比传统的匀流件的结构，可以有效减少呈平面的匀流...

本发明提供一种气体集成块，包括气体集成块本体，所述气体集成块本体内形成有气体通道，所述气体通道具有工艺气体入口，且所述工艺气体入口形成于所述气体集成块本体的第一表面上，其中，所述气体集成块还包括封口组件，用于在气体集成块本体的第一表面暴...

本发明提供一种托架机构及反应腔室，托架机构包括托盘和托架臂，其中，托盘用于承载遮蔽盘，且能移动至位于反应腔室内的基座上方的遮蔽位置，或者移动至远离基座的非遮蔽位置，托盘中设有第一冷却通道；托架臂与托盘连接，且托架臂中设有第二冷却通道，第...

本发明提供一种远程等离子源的调整装置，设置在远程等离子源与反应腔室之间；调整装置包括固定支架和至少三个调整组件，其中，固定支架设置在反应腔室的顶部；每个调整组件分别与远程等离子源和固定支架连接，并且每个调整组件用于调节远程等离子源与该调...

本发明提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括等离子体发生装置、用于承载晶片基座和用于为基座供电的偏压电源，其中，所述偏压电源能够周期性地输出电压，所述偏压电源的每个输出周期都包括正偏压输出阶段和负偏压输出阶段，所述偏压电源能...

本发明公开了一种生产调度方法及装置、半导体处理设备、存储介质。包括：S110、接收用户输入的若干个工艺任务：S120、计算当前工艺任务的调度序列；S130、执行当前工艺任务的调度序列；S140、判断当前工艺任务中是否还有硅片未开始执行调...

本发明公开了一种气相沉积设备及其清洗方法。包括工艺腔室、设置在所述工艺腔室内的至少一组容性耦合电极组件以及位于所述工艺腔室外的至少一组电感耦合组件，每组所述电感耦合组件均包括介质筒和环绕在所述介质筒外周的射频线圈，其中，所述介质筒的第一...

本发明提供了一种用于磁控溅射设备的磁控溅射方法，磁控溅射设备包括驱动装置和磁控管组件，磁控管组件包括公转轴、自转轴和磁控管，驱动装置能驱动磁控管绕自转轴自转和/或驱动磁控管绕公转轴公转，其中，磁控溅射方法包括：步骤S1、驱动装置驱动磁控...

本发明提供一种腔室冷却装置及半导体加工设备，包括：冷却槽，设置在腔室底部，用于盛放冷却液体；多根冷却管，设置在冷却槽中，且在多根冷却管的管壁上均设置有出流口，多根冷却管上的出流口喷出的水流能够带动冷却槽中的冷却液体形成旋转湍流；多根进水...

本发明提供一种半导体设备中滤波电路的控制方法，包括：获取射频电源的目标频率；根据所述目标频率调整所述滤波电路中的高通滤波单元和/或低通滤波单元中的可调滤波元件，使所述滤波电路的通带与所述目标频率相匹配。在本发明提供的控制方法中滤波电路中...

本发明的实施例提供一种固体前驱体蒸汽的稳压和纯化装置，包括：壳体，壳体内部形成封闭的处理空间；壳体设有与处理空间相通的进气口和排气口；以及，多个匀流部件，多个匀流部件设置在壳体内部并且沿着竖直方向依次排列，将处理空间分隔成从下至上依次排...

本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。该物理气相沉积腔室包括，腔室本体，在所述腔室本体内设置有上电极组件，所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件，与所述底板组件间隔叠置的背板，以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件...

本发明的实施例提供一种用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法，包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层；其中，在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层的步骤包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成子成核层，子成核层的厚度小于成核层的目标厚度；对子成核层的表面进行表面...

本发明公开了一种工艺腔室用控温装置、控温方法和工艺腔室。包括第一测温单元，用于测量测温窗的当前温度；第二测温单元，用于测量硅片的当前温度；第一温度控制单元，用于将测温窗的当前温度与预设的测温窗目标温度进行比较，当两者不一致时，调整测温窗...

本发明提供一种多晶硅功能层的制备方法，其包括：在衬底上形成隔离层；在隔离层上形成多晶籽晶层；在多晶籽晶层上形成多晶硅层。本发明提供的多晶硅功能层的制备方法，其可以避免形成低阻区，减少多晶硅功能层内部电荷数量，提高多晶硅功能层的厚度均匀性...

本发明提供的反应腔室及等离子体加工设备，包括感应线圈、射频源和介质窗，感应线圈与介质窗相对设置，感应线圈的输入端与射频源电连接，介质窗包括第一介质板，在第一介质板外侧表面设置有电极板，电极板中设置有贯穿电极板厚度的狭缝，电极板接地；且电...

本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，该冷却腔室包括旋转机构，用于承载待冷却件，并驱动待冷却件围绕待冷却件的中心旋转。本发明提供的冷却腔室，其可以提高待冷却件的不同区域的温度均匀性，从而可以减少待冷却件中的应力产生，提高产品性能和一致性。

本发明提供一种反应炉及冷却方法，该反应炉包括炉腔、设置在炉腔内的石墨坩埚及用于加热石墨坩埚的感应线圈，炉腔包括腔壁，在腔壁中设置有中空空间，感应线圈设置在中空空间中。本发明提供的反应炉，其可以降低设备功耗，从而可以降低工艺成本。

本发明公开了一种图形化衬底的方法、图形化衬底及发光二极管。包括依次进行的掩膜降低阶段、主刻蚀阶段和过刻蚀阶段，掩膜降低阶段：对表面形成有掩膜的衬底以预设的第一刻蚀工艺参数进行刻蚀，第一刻蚀工艺参数满足掩膜的刻蚀速率大于衬底的刻蚀速率，以...