【技术实现步骤摘要】
用于磁控溅射设备的磁控溅射方法、控制模块和设备
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种用于磁控溅射设备的磁控溅射方法、一种用于磁控溅射设备的控制模块以及一种磁控溅射设备。
技术介绍
磁控溅射设备广泛应用于集成电路、液晶显示器等领域。所谓溅射是荷能粒子(例如氩离子)轰击靶材表面，引起靶材表面各种粒子(原子、分子或离子活性基团)逸出的现象。在磁控溅射设备中，等离子体形成于工艺腔室中，等离子体的正离子被阴极负电所吸引，轰击靶材，从靶材上击落的原子沉积到晶片上。现有磁控溅射工艺中，在靶材附近使用了小型但是功率较高的磁控管，该磁控管作用于一个靶材的小区域上，这样可以在单位面积上产生较高的功率密度，这样可以增加靶材的离化率。但是，现有技术中存在靶材利用率低，不能保证晶片的工艺一致性以及磁控管存在误差累积的问题。因此，如何设计一种磁控溅射方法以提高靶材利用率、保证晶片的工艺一致性以及减少或者消除磁控管的误差累积成为本领域的亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于磁控溅射设备的磁控溅射...
【技术保护点】
1.一种用于磁控溅射设备的磁控溅射方法，所述磁控溅射设备包括驱动装置和磁控管组件，所述磁控管组件包括公转轴、自转轴和磁控管，所述驱动装置能驱动所述磁控管绕所述自转轴自转和/或驱动所述磁控管绕所述公转轴公转，其特征在于，/n所述磁控溅射方法包括：/n步骤S1、所述驱动装置驱动所述磁控管旋转至预设初始位置；/n步骤S2、所述驱动装置驱动所述磁控管继续绕所述公转轴旋转，同时或间隔预设时间对当前晶片执行沉积步骤；/n步骤S3、所述当前晶片沉积步骤结束后，下一个晶片作为当前晶片，重复执行所述步骤S1至所述步骤S3。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于磁控溅射设备的磁控溅射方法，所述磁控溅射设备包括驱动装置和磁控管组件，所述磁控管组件包括公转轴、自转轴和磁控管，所述驱动装置能驱动所述磁控管绕所述自转轴自转和/或驱动所述磁控管绕所述公转轴公转，其特征在于，
所述磁控溅射方法包括：
步骤S1、所述驱动装置驱动所述磁控管旋转至预设初始位置；
步骤S2、所述驱动装置驱动所述磁控管继续绕所述公转轴旋转，同时或间隔预设时间对当前晶片执行沉积步骤；
步骤S3、所述当前晶片沉积步骤结束后，下一个晶片作为当前晶片，重复执行所述步骤S1至所述步骤S3。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述预设初始位置满足以下条件：
定义所述磁控管的自转轨迹的中心与公转轨迹的中心的连线为X轴，定义所述磁控管的自转轨迹和公转轨迹与X轴的交点为参照点，所述参照点所在方向为X轴的正方向，定义所述磁控管的自转轨迹的中心为原点；
每个晶片对应一个溅射周期，在所述溅射周期的非整周期内，所述预设初始位置与所述原点的连线与X轴的正方向所成的角度在[-π/2，0)，或，所述预设初始位置与所述原点的连线与X轴的正方向所成的角度在(0，π/2]；
当所述预设初始位置与所述原点的连线与X轴的正方向所成的角度在[-π/2，0)时，所述驱动装置驱动所述磁控管沿逆时针方向旋转；当所述预设初始位置与所述原点的连线与X轴的正方向所成的角度在(0，π/2]时，所述驱动装置驱动所述磁控管沿顺时针方向旋转。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述预设初始位置与所述原点的连线与X轴的正方向所成的角度为-π/2，所述驱动装置驱动所述磁控管沿逆时针方向旋转半个圆周；
或者，
所述预设初始位置与所述原点的连线与X轴的正方向所成的角度为π/2，所述驱动装置驱动所述磁控管沿顺时针方向旋转半个圆周。
4.根据权利要求2所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述磁控溅射方法还包括在确定所述预设初始位置的步骤之前进行的下述步骤：
确定所述磁控管的零点位置，以对所述磁控管的位置初始化。
5.一种用于磁控溅射设备的控制模块，其特征在于，所述控制模块包括：
驱动装置控制单元，用于在溅射工艺开始前，控制所述驱动装置驱动所述磁控管旋转至预设初始位置，之后再控制所述驱动装置驱动所述磁控管从所述预设初始位置继续绕所述公转轴旋转；
沉积控制单元，用于在所述驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓强，侯珏，兰玥，张瑶，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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