SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括如下步骤：a、将FTO导电玻璃清洗干净，安装于磁控溅射机基片座上；b、开启真空抽气系统抽真空；c、通入氩气，执行预溅射程序；d、再次执行抽本底真空；e、再次通入氩气，当真空室内真空度达到2～9×10-1Pa后，开启SnS靶材的溅射电源制备SnS薄膜；SnS薄膜制备完成后制备ZnS薄膜；f、重复操作，总共制备2～4个P-N结；g、制备Al薄膜后即得到SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池。本发明专利技术方法能够提高电池光吸收率，即能提高电池光电转换效率，制备过程稳定、温度低、能耗低，适于大范围的工业推广应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于包括如下步骤：a、将作为基片的FTO导电玻璃清洗干净，安装于磁控溅射机基片座上；然后再安装SnS靶材、ZnS靶材和Al靶材后关闭磁控溅射机真空室门；b、开启真空抽气系统抽真空，使本底真空度达到2×10‑3Pa以上；c、开启氩气进气阀门通入氩气，使真空室内真空度达到2×10‑1Pa时，开启所有靶材溅射电源执行预溅射程序；d、预溅射程序结束后，关闭所有靶材电源，关闭氩气进气阀，再次抽本底真空至2×10‑3Pa以上；e、再次开启氩气进气阀门通入氩气，当真空室内真空度达到2～9×10‑1Pa后，开启SnS靶材的溅射电源制备SnS薄膜，控制功率密度100～300W/cm2、溅射时间10～30分钟，薄膜厚度50～80nm；SnS薄膜制备完成后制备ZnS薄膜，控制功率密度200～350W/cm2、溅射时间10～30分钟，薄膜厚度50～80nm；f、重复执行步骤e中制备SnS薄膜和ZnS薄膜的程序，总共制备2～4个由SnS薄膜和ZnS薄膜组成的P‑N结；g、P‑N结制备完成后制备Al薄膜，控制功率密度100～250W/cm2、溅射时间10～15分钟，溅射厚度70～100nm，Al薄膜制备完成后即得到SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：霍红英，邹敏，张勇，范文娟，
申请(专利权)人：攀枝花学院，
类型：发明
国别省市：四川;51