【技术实现步骤摘要】
表面波等离子体加工设备
本专利技术涉及等离子体
，具体地，涉及一种表面波等离子体加工设备。
技术介绍
近年来，表面波等离子体源因其相对于射频等离子体具有低电子温度和低损伤的特点，被誉为最有潜力的等离子体源，这些无可比拟的优点使得表面波等离子体源已经成为下一代大规模集成电路器件加工的强有力竞争者。现有的表面波等离子体加工设备包括微波源及微波传输匹配结构、圆形谐振腔结构和反应腔室三个部分。请参阅图1，微波源及微波传输匹配结构包括微波源供电电源1、微波源2、谐振器3、环流器4、负载、定向耦合器6、阻抗调节单元7、矩形波导8和同轴转换单元9。圆形谐振腔结构包括腔体11、填充在腔体11中的慢波板12、设置在腔体11底部的狭缝天线13和设置在狭缝天线13下方的介质窗14。反应腔室16设置在介质窗14的下方。其中，同轴转换单元9用于将微波能量馈入到腔体11中，微波能量通过狭缝天线13中的缝隙向下辐射传播至介质窗14中，并在进入反应腔室16后产生等离子体15，且在介质窗14与等离子体界面处形成表面波。但是，现有的表面波...
【技术保护点】
1.一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室、设置在所述反应腔室上方的中心谐振腔、设置在所述中心谐振腔与所述反应腔室之间的介质窗、用于向所述中心谐振腔传输微波的微波传输机构以及微波源机构，其特征在于，还包括边缘增强结构，用于增加所述反应腔室内对应所述介质窗边缘区域的等离子体密度，以补偿由所述中心谐振腔产生的等离子体对应所述介质窗边缘区域与对应所述介质窗中心区域之间的差异。/n
【技术特征摘要】
1.一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室、设置在所述反应腔室上方的中心谐振腔、设置在所述中心谐振腔与所述反应腔室之间的介质窗、用于向所述中心谐振腔传输微波的微波传输机构以及微波源机构，其特征在于，还包括边缘增强结构，用于增加所述反应腔室内对应所述介质窗边缘区域的等离子体密度，以补偿由所述中心谐振腔产生的等离子体对应所述介质窗边缘区域与对应所述介质窗中心区域之间的差异。
2.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述边缘增强结构包括：
环形谐振腔，环绕设置在所述中心谐振腔的周围；并且，所述环形谐振腔和所述中心谐振腔分别覆盖所述介质窗上表面的边缘区域和中心区域；
环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的下表面与所述介质窗的上表面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；
所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波。
3.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述边缘增强结构包括：
环形谐振腔，环绕设置在所述介质窗的周围；
环形狭缝天线，设置在所述环形谐振腔的内周面与所述介质窗的外周面之间，用于将来自所述环形谐振腔的微波能量耦合至所述介质窗中；
所述中心谐振腔覆盖所述介质窗的整个上表面；
所述微波传输机构用于同时向所述中心谐振腔和所述环形谐振腔传输微波。
4.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述边缘增强结构包括：
磁性单元，环绕设置在所述介质窗的周围，用于产生吸引等离子体中的电子朝向所述介质窗的边缘区域运动的磁场。
5.根据权利要求2或3所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述微波传输机构包括第一波导、功率分配单元、同轴结构单元、第二波导、波导转换单元和第三波导，其中，
所述第一波导用于将由所述微波源机构提供的微波传输至所述功率分配单...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓丽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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