【技术实现步骤摘要】
基座加热方法和基座加热装置
本专利技术实施例涉及半导体加工
，具体涉及一种基座加热方法和基座加热装置。
技术介绍
化学气相淀积工艺是将多种工艺气体在一定温度和压力下通过化学反应的方式在基片上镀膜或者刻蚀的一种工艺方式。图1为现有技术中进行化学气相淀积工艺的工艺腔室的示意图，如图1所示，当前采用的工艺腔室1中，利用基座3作为基片的承载结构，其中，基座3内部均匀分布有加热器件(如加热丝等)；通过加热基座3，将热量传导给基片2，使工艺气体在一定温度下发生反应，并在基片2上沉积成薄膜或与基片表面的物质反应。基座3加热的稳定性和均匀性直接影响工艺的结果。目前，一种典型的基座加热的控制方法为：利用热电偶4检测基座3的温度，并将检测的温度传送给温控器，温控器根据该温度以及预设加热温度调整加热器件的输出功率，从而控制基座的温度，以实现对基片的稳定加热。这种方式将整个基座的加热器件作为一个整体结构进行统一控制，但是，在整个基座中，并不能保证加热器件的分布是均匀的，且整个加热器件的加热功率较大，一旦加热功率稍有误差，就会导致基座3加热温度的不均匀...
【技术保护点】
1.一种基座加热方法，所述基座包括第一加热区和至少一个第二加热区，所述第一加热区和每个所述第二加热区用于进行分区加热；其特征在于，所述基座加热方法包括：/n获取所述第一加热区当前的加热功率和所述第二加热区当前的温度；/n判断所述第二加热区当前的温度是否满足预设条件；/n当所述第二加热区当前的温度满足预设条件时，根据目标温度、所述第二加热区当前的温度以及所述第一加热区当前的加热功率，调整所述第二加热区的加热功率，以使所述第二加热区与所述第一加热区之间的温度差异减小；/n当所述第二加热区当前的温度不满足预设条件时，根据预设规则调整所述第二加热区的加热功率。/n
【技术特征摘要】
1.一种基座加热方法，所述基座包括第一加热区和至少一个第二加热区，所述第一加热区和每个所述第二加热区用于进行分区加热；其特征在于，所述基座加热方法包括：
获取所述第一加热区当前的加热功率和所述第二加热区当前的温度；
判断所述第二加热区当前的温度是否满足预设条件；
当所述第二加热区当前的温度满足预设条件时，根据目标温度、所述第二加热区当前的温度以及所述第一加热区当前的加热功率，调整所述第二加热区的加热功率，以使所述第二加热区与所述第一加热区之间的温度差异减小；
当所述第二加热区当前的温度不满足预设条件时，根据预设规则调整所述第二加热区的加热功率。
2.根据权利要求1所述的基座加热方法，其特征在于，所述预设条件为：所述第二加热区当前的温度大于预设温度且小于过冲温度，其中，所述预设温度小于所述目标温度，所述过冲温度大于所述目标温度。
3.根据权利要求2所述的基座加热方法，其特征在于，当所述第二加热区当前的温度不满足预设条件时，所述基座加热方法还包括：
判断所述第二加热区当前的温度是否小于或等于所述预设温度；
所述预设规则包括：
当所述第二加热区当前的温度小于或等于所述预设温度时，将所述第二加热区的加热功率调整为最大值。
4.根据权利要求2所述的基座加热方法，其特征在于，当所述第二加热区当前的温度不满足预设条件时，所述基座加热方法还包括：判断所述第二加热区当前的温度是否大于或等于所述过冲温度；
所述预设规则包括：
当所述第二加热区当前的温度大于或等于所述过冲温度时，停止对所述第二加热区加热。
5.根据权利要求2所述的基座加热方法，其特征在于，所述根据所述第二加热区当前的温度以及所述第一加热区当前的加热功率，调整所述第二加热区的加热功率，以使所述第二加热区与所述第一加热区之间的温度差异减小，包括：
根据所述目标温度、所述预设温度、所述第二加热区当前的温度、所述第二加热区的额定加热功率以及所述第一加热区的额定加热功率，确定所述第二加热区的加热功率系数；
根据所述第一加热区当前的加热功率以及所述加热功率系数确定所述第二加热区的加热功率。
6.根据权利要求5所述的基座加热方法，其特征在于，根据以下公式确定所述第二加热区的加热功率系数：
X＝K(N-U)*W2/(L*(W2+W1))；
其中，X为所述加热功率系数，K为根据所述目标温度设定的系数，N为所述预设温度，U为所述第二加热区当前的温度，W1为所述第一加热区的额定加热功率，W2为所述第二加热区的额定加热功率，L为所述目标温度。
7.根据权利要求1至6中任一所述的基座加热方法，其特征在于，所述基座加热方法还包括：
获取所述第一加热区当前的温度；
根据所述第一加热区当前的温度和所述目标温度的差异，控制所述第一加热区的加热功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡云龙，郑波，文莉辉，马振国，崔江华，李江号，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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