流量阈值的确定方法、控制装置及半导体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于气体管路的流量阈值的确定方法、报警方法、控制装置和半导体加工设备。所述确定方法包括步骤：将主气管路的第二端封闭，将所述主气管路与旁气管路连通；以预定气压向所述主气管路供气；根据所述预定气压确定所述主气管路的漏气上限流量；测量所述旁气管路的稳定气体流量；根据所述旁气管路的稳定气体流量和所述漏气上限流量确定流入所述主气管路的气体的流量上限阈值。该用于气体管路的流量阈值的确定方法至少实现流量上限阈值的动态调整。

Determination method of flow threshold, control device and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
流量阈值的确定方法、控制装置及半导体加工设备
本专利技术涉及气体管路
，更具体地，涉及一种用于气体管路的流量阈值的确定方法、一种用于气体管路的流量的报警方法、一种用于气体管路的流量的控制装置和一种半导体加工设备。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底技术常用于高亮度的GaN基LED的制造工艺中。图形化蓝宝石衬底工艺的一种典型的刻蚀工艺腔参见图1所示，射频电源12连接线圈11，用于在这个工艺腔内产生高频电场。蓝宝石衬底被放置在托盘15之上(图1中没有示出)。托盘15、密封圈16和卡盘14之间形成一个封闭腔室。主气管路(图1中没有示出)穿过卡盘14向这个封闭腔室内通入诸如氦气等气体，通过这些气体将托盘15上的热量传导到卡盘14上，进一步通过其他冷却措施冷却卡盘14的温度，从而实现对托盘14降温的目的。另外，托盘15与蓝宝石衬底之间也可以形成封闭腔室，向这个封闭腔室通入氦气等气体也可以实现将蓝宝石衬底上的热量传导到托盘15的目的。图1中的压环13用于将其下的各部件压紧固定。图2示出了用于图1所示刻蚀工艺腔室的气路。氦气气源经调压阀PR流过压力表P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于气体管路的流量阈值的确定方法，所述气体管路包括主气管路和旁气管路，所述主气管路与所述旁气管路选择性地连通，所述主气管路的第一端用于接收气体，所述主气管路的第二端用于与封闭腔室选择性地连通，其特征在于，所述流量阈值包括流入所述主气管路的气体的流量上限阈值，所述方法包括下述步骤：/n将所述主气管路的第二端封闭，将所述主气管路与所述旁气管路连通；/n以预定气压向所述主气管路供气；/n根据所述预定气压确定对应的所述主气管路的预设漏气上限流量；/n测量所述旁气管路的稳定气体流量；/n根据所述旁气管路的稳定气体流量和所述漏气上限流量确定流入所述主气管路的气体的流量上限阈值。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于气体管路的流量阈值的确定方法，所述气体管路包括主气管路和旁气管路，所述主气管路与所述旁气管路选择性地连通，所述主气管路的第一端用于接收气体，所述主气管路的第二端用于与封闭腔室选择性地连通，其特征在于，所述流量阈值包括流入所述主气管路的气体的流量上限阈值，所述方法包括下述步骤：
将所述主气管路的第二端封闭，将所述主气管路与所述旁气管路连通；
以预定气压向所述主气管路供气；
根据所述预定气压确定对应的所述主气管路的预设漏气上限流量；
测量所述旁气管路的稳定气体流量；
根据所述旁气管路的稳定气体流量和所述漏气上限流量确定流入所述主气管路的气体的流量上限阈值。


2.根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述流量上限阈值为所述稳定气体流量和所述漏气上限流量之和。


3.根据权利要求1或2所述的确定方法，其特征在于，所述流量阈值还包括流入所述主气管路的气体的流量下限阈值，所述方法还包括步骤：根据所述稳定气体流量确定流入所述主气管路的气体的流量下限阈值。


4.根据权利要求3所述的确定方法，其特征在于，所述流量下限阈值为所述稳定气体流量。


5.一种用于气体管路的流量的报警方法，所述气体管路包括主气管路和旁气管路，所述主气管路与所述旁气管路选择性地连通，所述主气管路的第一端用于接收气体，所述主气管路的第二端用于与封闭腔室选择性地连通，其特征在于，包括下述步骤：
将所述主气管路的第二端与封闭腔室连通；
监控流入所述主气管路的气体的流量；
当所述流量在流量上限阈值以上时报警，所述流量上限...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜宏伟，程旭文，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11