阻变存储器件的制备方法及阻变存储器件技术

本发明专利技术公开了一种阻变存储器件制备方法和阻变存储器件。包括在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；将所述阻变材料层进行退火处理。通过诸如磁控溅射技术等工艺沉积得到包含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层，能够很好地保持材料的化学计量比，通过退火处理改善了所形成的阻变材料层的缺陷状态，提高了阻变存储器件的转变一致性。此外，阻变存储器件具有存储窗口宽、数据保持时间长、耐久性高的优点。

Preparation method and resistive memory device

【技术实现步骤摘要】
阻变存储器件的制备方法及阻变存储器件
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种阻变存储器件的制备方法以及一种由该方法制作形成的阻变存储器件。
技术介绍
半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，广泛应用于信息、社会安全、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域，是国家竞争力的重要体现。随着大数据、云计算、物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式增长，因此存储器有着巨大的市场。如何不断提高存储的性能成为信息科学领域的一个关键性基础问题。为了实现更高的数据存储密度、更小的单位比特成本，急需一种新型的与CMOS工艺高度兼容的存储器结构。阻变存储器(RRAM)由于简单的器件结构、紧凑的存储阵列、优良的存储性能和与现有CMOS工艺的高兼容度，成为最具潜力的解决方案之一。自1967年，Simons和Verderber发现并研究了Au/SiO2/Al结构的电阻转变行为后，经过四十多年的薄膜制备技术的逐渐成熟和非挥发存储技术的发展，越来越多适用于阻变存储器的的薄膜材料被报道，并被工业界应用于存储芯片的试制，寻找综合性能优异本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻变存储器件的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤S110、在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；/n步骤S120、将所述阻变材料层进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S110、在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；
步骤S120、将所述阻变材料层进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S110具体包括：
将沉积有第一电极的衬底放置到磁控溅射设备中，并调整靶材与所述衬底之间的间距，其中，所述靶材包括所述多种金属元素和所述氧元素；
待所述磁控溅射设备的真空度达到预定值时，将所述衬底加热至目标温度；
向所述磁控溅射设备提供溅射功率和溅射工艺气体，以利用所述溅射功率将所述溅射工艺气体激发形成等离子体；
利用所述等离子体轰击所述靶材，使得靶材中的元素逸出表面并沉积在所述衬底的表面，形成所述阻变材料层。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射设备的溅射工艺参数满足至少下述一项：
所述靶材与所述衬底的间距范围为65mm～85mm；
所述磁控溅射设备的真空度范围为3×10-9Torr～3×10-7Torr；
射频功率的范围为700w～900w；
所述衬底的目标温度范围为300℃～500℃；
溅射工艺气体的压力范围为9mTorr～11mTorr；

【专利技术属性】
技术研发人员：郭万国，蒋秉轩，宋海洋，王宽冒，高晓丽，刘菲菲，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11