单晶生长设备制造技术

一种单晶生长设备，包括反应腔室(106)、上盖(110)、上开盖组件(111)、下盖(113)和下开盖组件(114)，上盖(110)和下盖(113)分别可开闭地设于反应腔室(106)的顶部和底部，分别用于密封反应腔室(106)的顶部开口和底部开口，上开盖组件(111)与上盖(110)连接，用于开闭上盖(110)，下开盖组件(114)与下盖(113)连接，用于开闭下盖(113)。本实用新型专利技术能够解决单晶生长炉单一开盖方式装卸料带来的操作空间要求大、晶体品质下降、污染环境等问题。

Single crystal growth equipment

【技术实现步骤摘要】
单晶生长设备
本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种单晶生长设备。
技术介绍
碳化硅(SiC)作为极具前景和市场空间的第三代半导体材料，具有非常优异的物理、化学性能，在高端光电、大功率、微波射频等领域具有广阔的应用前景和市场空间。碳化硅单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质；可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、工业生产、供电、变电领域有巨大的应用价值。碳化硅单晶生长方法中PVT法是目前应用最成熟最普遍的方法。PVT生长方法把原料放置在坩埚底部，在2200℃以上的高温和低压下使原料升华，再根据原料和籽晶的温度梯度，在籽晶上凝华成单晶。碳化硅单晶材料的生长需要特殊的工艺装备。该工艺装备主要由生长炉组件、加热组件、气体输运组件及控制组件、水冷组件等组成，其中生长炉组件和加热组件是关键组件。生长炉组件主要包括石英管或不锈钢炉壳、炉盖、开盖升降组件和旋转结构，其中炉盖与炉壳形成密封的腔室，开盖升降组件是工艺前后卸料、装料、装卸热场的必需窗口。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶生长设备，其特征在于，包括反应腔室(106)、上盖(110)、上开盖组件(111)、下盖(113)和下开盖组件(114)，所述上盖(110)和下盖(113)分别可开闭地设于所述反应腔室(106)的顶部和底部，分别用于密封所述反应腔室(106)的顶部开口和底部开口，所述上开盖组件(111)与所述上盖(110)连接，用于开闭所述上盖(110)，所述下开盖组件(114)与所述下盖(113)连接，用于开闭所述下盖(113)。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶生长设备，其特征在于，包括反应腔室(106)、上盖(110)、上开盖组件(111)、下盖(113)和下开盖组件(114)，所述上盖(110)和下盖(113)分别可开闭地设于所述反应腔室(106)的顶部和底部，分别用于密封所述反应腔室(106)的顶部开口和底部开口，所述上开盖组件(111)与所述上盖(110)连接，用于开闭所述上盖(110)，所述下开盖组件(114)与所述下盖(113)连接，用于开闭所述下盖(113)。


2.根据权利要求1所述的单晶生长设备，其特征在于，所述上开盖组件(111)包括上盖丝杠导轨组件支撑件(224)、上盖升降电机(214)、上盖丝杠导轨组件(215)、上盖升降支撑件；
所述上盖丝杠导轨组件支撑件(224)将所述上盖丝杠导轨组件(215)固定在机架上，所述上盖丝杠导轨组件(215)沿竖直方向设置；
所述上盖升降支撑件包括上盖丝杠螺母转接件(217)、一对上盖升降支撑板(218，221)，所述上盖丝杠螺母转接件(217)连接于上盖丝杠导轨组件(215)，所述一对上盖升降支撑板(218，221)相对于所述上盖(110)的中心轴对称设置，且每个所述上盖升降支撑板(218，221)的一端均连接于所述上盖丝杠螺母转接件(217)，另一端均连接于所述上盖(110)；
所述上盖升降电机(214)设置在所述上盖丝杠导轨组件(215)的顶端，用于驱动所述上盖丝杠导轨组件(215)带动所述上盖升降支撑件升降，进而带动所述上盖(110)升降。


3.根据权利要求2所述的单晶生长设备，其特征在于，每个所述上盖升降支撑板(218，221)远离所述上盖丝杠导轨组件(215)的一端的下部均设有安装槽，所述上开盖组件(111)还包括一对上盖升降调节板(219)，所述一对上盖升降调节板(219)分别嵌入一个所述上盖升降支撑板(218，221)的安装槽内，且连接于所述安装槽的顶面，每个所述上盖升降调节板(219)均通过预紧连接组件连接于所述上盖(110)的上表面。


4.根据权利要求3所述的单晶生长设备，其特征在于，所述预紧连接组件包括预紧调节螺柱(204)、预紧螺母(203)和预紧弹簧(202)，所述上盖升降调节板(219)和所述上盖(110)通过所述预紧调节螺柱(204)和所述预紧螺母(203)进行连接，所述预紧弹簧(202)设于所述上盖升降调节板(219)和所述上盖(110)之间，套设于所述预紧调节螺柱(204)。


5.根据权利要求2所述的单晶生长设备，其特征在于，所述上开盖组件(111)还包括上盖升降底座(223)、提拉杆升降电机(212)、提拉杆丝杠导轨组件支撑件(213)、提拉杆丝杠导轨组件(209)、提拉杆丝杠导轨转接件(211)、提拉杆固定架(210)、提拉杆(208)、密封波纹管(205)；
所述上盖升降底座(223)为板状，水平连接于所述一对上盖升降支撑板(218，221)之间，所述提拉杆丝杠导轨组件支撑件(213)沿竖直方向连接于所述上盖升降底座(223)上，所述提拉杆丝杠导轨组件(209)沿竖直方向连接于所述提拉杆丝杠导轨组件支撑件(213)，所述提拉杆固定架(210)通过所述提拉杆丝杠导轨转接件(211)连接于所述提拉杆丝杠导轨组件(209)，所述密封波纹管(205)沿竖直方向设置，其一端连接于所述提拉杆固定架(210)，另一端穿过所述上盖(110)连接于所述反应腔室(106)内的坩埚，所述密封波纹管(205)与所述上盖(110)、所述坩埚密封连接，所述提拉杆(208)穿设于所述密封波纹管(205)内，且一端连接于所述提拉杆固定架(210)，另一端连接于所述坩埚；...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖凤英，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11