晶体生长用籽晶下置式装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶体生长用籽晶下置式装置，包含圆筒状的下置式坩锅和圆筒状的保温结构，保温结构紧密地包裹在下置式坩锅的周围；保温结构包括：保温结构中部圆筒；设置于保温结构中部圆筒上方的保温结构上封顶盖；设置于保温结构中部圆筒下方的保温结构下封底托，保温结构下封底托中形成有一孔；对孔进行封堵的保温结构底部垫片；下置式坩锅包括：坩锅中部圆筒；设置于坩锅中部圆筒上方的坩锅上封顶盖；用以放置原料且设置于坩锅中部圆筒的内壁的环状凹槽；设置于坩锅中部圆筒下方的坩锅下封底托；及设置于坩锅下封底托上用以放置籽晶的漏斗状的晶片支撑架。本发明专利技术可实现升华‑凝华类晶体的高结晶质量、特定掺杂、大晶碇尺寸的应用需求。

Seed crystal down device for crystal growth

【技术实现步骤摘要】
晶体生长用籽晶下置式装置
本专利技术涉及一种晶体生长用籽晶下置式装置，可用于具有升华-凝华类晶体的生长，属于晶体材料的生长用装备领域。
技术介绍
升华-凝华类晶体生长的基本原理是将原料和籽晶分别放置在相对的高温区和低温区，生长过程中原料在高温区进行加热，固态的原料受热后变成气态，气态成分在载气、浓度扩散以及热扩散多重作用之下到达低温区，处于低温区位置的籽晶吸附气态成分完成凝华重结晶的过程。以常见碳化硅(SiC)晶体的生长为例，实现SiC晶体生长的核心装置是坩锅结构。通过外加的中频电流线圈的感应加热以及保温结构，在坩锅的两端形成相对的高温区与低温区。SiC粉体原料放置于高温区，SiC籽晶放置于低温区。通过坩锅中的升华-凝华的重结晶过程，实现高结晶质量SiC晶体的生长。目前，常见的升华-凝华类晶体生长用坩锅根据籽晶放置的位置可以分为籽晶上置式和籽晶下置式两种。例如，授权公告号为CN207498512U的专利公开了一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置。在该装置中，籽晶通过胶合材料粘结在坩锅顶端，原料通过过滤挡板堆积在坩锅底部。坩锅外围包裹的石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体生长用籽晶下置式装置，其特征在于，/n包含圆筒状的下置式坩锅和圆筒状的保温结构，其中所述保温结构紧密地包裹在所述下置式坩锅的周围；/n圆筒状的所述保温结构包括：保温结构中部圆筒；设置于所述保温结构中部圆筒的上方的保温结构上封顶盖；设置于所述保温结构中部圆筒的下方的保温结构下封底托，所述保温结构下封底托中形成有一孔；对所述孔进行封堵的保温结构底部垫片；/n圆筒状的所述下置式坩锅包括：坩锅中部圆筒；设置于所述坩锅中部圆筒的上方的坩锅上封顶盖；用以放置原料且设置于所述坩锅中部圆筒的内壁的环状凹槽；设置于所述坩锅中部圆筒的下方的坩锅下封底托；及设置于所述坩锅下封底托上用以放置籽晶的漏斗状的...

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长用籽晶下置式装置，其特征在于，
包含圆筒状的下置式坩锅和圆筒状的保温结构，其中所述保温结构紧密地包裹在所述下置式坩锅的周围；
圆筒状的所述保温结构包括：保温结构中部圆筒；设置于所述保温结构中部圆筒的上方的保温结构上封顶盖；设置于所述保温结构中部圆筒的下方的保温结构下封底托，所述保温结构下封底托中形成有一孔；对所述孔进行封堵的保温结构底部垫片；
圆筒状的所述下置式坩锅包括：坩锅中部圆筒；设置于所述坩锅中部圆筒的上方的坩锅上封顶盖；用以放置原料且设置于所述坩锅中部圆筒的内壁的环状凹槽；设置于所述坩锅中部圆筒的下方的坩锅下封底托；及设置于所述坩锅下封底托上用以放置籽晶的漏斗状的晶片支撑架。


2.根据权利要求1所述的晶体生长用籽晶下置式装置，其特征在于，所述保温结构上封顶盖的外径、保温结构中部圆筒的内径、保温结构下封底托的外径一致。


3.根据权利要求1或2所述的晶体生长用籽晶下置式装置，其特征在于，所述孔为形成于所述保温结构下封底托的中心的圆形孔。


4.根据权利要求3所述的晶体生长用籽晶下置式装置，其特征在于，所述保温结构底部垫片的外径与保温...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓世异，刘学超，严成锋，忻隽，孔海宽，施尔畏，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31