进气装置及半导体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种进气装置及半导体加工设备，包括进气件、第一进气管路和第二进气管路，其中，进气件用于向反应腔室内喷入气体的进气件，第一进气管路与进气件连接，用于通过进气件向反应腔室内通入第一前驱体；第二进气管路与反应腔室连通，用于直接向反应腔室内通入第二前驱体。本发明专利技术提供的进气装置及半导体加工设备，能够减少前驱体在进气件上形成的沉积物，从而延长进气件的清洗周期，增加进气件的使用寿命，还能够降低薄膜的颗粒度，提高薄膜的均匀性和质量。

Air intake device and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
进气装置及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体加工
，具体地，涉及一种进气装置及半导体加工设备。
技术介绍
随着半导体行业的发展，集成电路元器件逐渐向着多样化、微型化发展。精确控制薄膜厚度和均匀性，保持较高深宽比的覆盖都显得尤为重要。原子层沉积(Atomiclayerdeposition，ALD)技术可以精确控制薄膜厚度，并且具有良好的保型性。采用原子层沉积工艺制备的氮化钛(TiN)薄膜不仅薄膜厚度可以精确控制，而且均匀致密并具有较低的电阻率，能够有效的阻挡金属材料向硅器件中的扩散，是优秀的阻挡层薄膜材料。现有的氮化钛原子层沉积工艺中，通过进气件(Showerhead)将前躯体四氯化钛(TiCl4)和氨气(NH3)喷入反应腔室中，具体的，在进气件中设置有与反应腔室连通的喷气通道，首先将四氯化钛通过喷气通道通入反应腔室内，使四氯化钛吸附在衬底的表面上，之后对喷气通道和反应腔室进行吹扫，之后将氨气通过喷气通道通入反应腔室内，与吸附在衬底表面上的四氯化钛反应生成氮化钛。但是，在现有的氮化钛原子层沉积工艺中，当四氯化钛经过喷气通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进气装置，包括用于向反应腔室内喷入气体的进气件，其特征在于，还包括：/n第一进气管路，与所述进气件连接，用于通过所述进气件向所述反应腔室内通入第一前驱体；/n第二进气管路，与所述反应腔室连通，用于直接向所述反应腔室内通入第二前驱体。/n

【技术特征摘要】
1.一种进气装置，包括用于向反应腔室内喷入气体的进气件，其特征在于，还包括：
第一进气管路，与所述进气件连接，用于通过所述进气件向所述反应腔室内通入第一前驱体；
第二进气管路，与所述反应腔室连通，用于直接向所述反应腔室内通入第二前驱体。


2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第二进气管路的出气端伸入至所述反应腔室内，且所述第二进气管路的出气端位于所述进气件的下方。


3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述第二进气管路的出气端的位置与所述反应腔室的抽气口的位置相对于所述反应腔室的中心对称。


4.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，还包括第一吹扫管路，所述第一进气管路的两端分别与所述第一吹扫管路和所述进气件连接。


5.根据权利要求4所述的进气装置，其特征在于，还包括第一支路、第二支路、第一前驱体源瓶和多个通断阀，所述第一支路的两端分别与所述第一前驱体源瓶和所述第一吹扫管路连接，所述第二支路的两端分别与所述第一前驱体源瓶和所述第一进气管路连接；
所述第二支路的进气端伸入至所述第一前驱体源瓶内，且位于所述第一支路的出气端的下方，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文强，史小平，兰云峰，秦海丰，纪红，赵雷超，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11