半导体设备的反应腔冷却装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体设备的反应腔冷却装置。该装置包括：反应腔冷却装置包括液槽、液道隔板和挡液条：所述液槽包括液槽底板和液槽侧板；所述反应腔置于所述液槽中，且所述液槽用于容纳冷却液；所述液槽侧板分立于所述液槽底板的左右两侧；所述挡液条分立于所述液槽底板的前后两侧、且位于液槽侧板的内侧；所述挡液条的高度小于所述液槽侧板的高度；所述液道隔板排布于所述液槽底板上，在所述液槽中隔离出多条液道。采用本申请所公开的方案，可以提高散热效率，并避免外延反应腔下表面局部过热的问题。

Reaction chamber cooling device for semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体设备的反应腔冷却装置
本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体设备的反应腔冷却装置。
技术介绍
APCVD设备的大致结构如图1(a)和图1(b)所示，其中图1(a)为APCVD设备的侧视图，图1(b)为APCVD设备的俯视图。APCVD设备利用CVD(ChemicalVaporDeposition)技术在硅基等衬底表面生长硅外延层。衬底在外延之前会被放置在圆形基座C1-1的片槽C1-5内，流经硅片表面的反应物在控制温度下因发生化学反应而在衬底表面生成外延薄膜。一般地，为了使外延层获得较好的厚度均匀性，基座在外延过程中需以一定速度绕支承轴旋转。石墨基座被安放在由石英材质制作的封闭腔室C1-2内。反应气体从一侧通入，流经基座表面后从对面一侧流出。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带着，而不会留在反应腔中。APCVD设备还包括气体传输管路C1-3和尾气处理管路C1-4等。外延反应腔表面涂有可以将红外辐射反射回去的反射层(代表性的反射层为镀金层)，可以将高温下基座发射的红外辐射反射至腔内，提高热量的利用率。C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备的反应腔冷却装置，其特征在于，所述反应腔冷却装置包括液槽、液道隔板和挡液条；/n所述液槽包括液槽底板和液槽侧板；所述反应腔置于所述液槽中，且所述液槽用于容纳冷却液；/n所述液槽侧板分立于所述液槽底板的左右两侧；/n所述挡液条分立于所述液槽底板的前后两侧、且位于液槽侧板的内侧；/n所述挡液条的高度小于所述液槽侧板的高度；/n所述液道隔板排布于所述液槽底板上，在所述液槽中隔离出多条液道。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的反应腔冷却装置，其特征在于，所述反应腔冷却装置包括液槽、液道隔板和挡液条；
所述液槽包括液槽底板和液槽侧板；所述反应腔置于所述液槽中，且所述液槽用于容纳冷却液；
所述液槽侧板分立于所述液槽底板的左右两侧；
所述挡液条分立于所述液槽底板的前后两侧、且位于液槽侧板的内侧；
所述挡液条的高度小于所述液槽侧板的高度；
所述液道隔板排布于所述液槽底板上，在所述液槽中隔离出多条液道。


2.根据权利要求1所述的反应腔冷却装置，其特征在于，所述液道隔板按照下列之一的图案排布：
多个同心圆、多个同中心椭圆、螺线形、多个同心方形。


3.根据权利要求1或2所述的反应腔冷却装置，其特征在于，所述反应腔冷却装置还包括多个第一喷嘴以及多条出液管；
所述出液管穿过所述液槽底板，将冷却液引入所述液槽中；
所述第一喷嘴设置于所述液道内，且与所述出液管连接，用于喷射冷却液；
所述第一喷嘴与所述液槽底板之间的距离小于所述液道隔板的高度；
所述第一喷嘴与所述出液管一一对应设置。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11