本发明公开一种半导体设备的反应腔室，包括用于承载晶片的基座和晶片升降装置，该晶片升降装置包括：基座升降组件和晶片升降组件；基座升降组件包括升降轴，升降轴的一端伸入反应腔室内且与基座连接，以带动基座升降；晶片升降组件包括：支撑盘套设于升降...

本申请提供一种刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，向刻蚀腔室内通入第一工艺气体，并开启电源，对多晶硅栅极顶部表面进行刻蚀；上射频电源和下射频电源皆输出连续波；掺杂刻蚀步骤，通入第二工艺气体，对多晶硅栅极进行刻蚀；上射频电源输出连续波，下射频电源...

本发明公开了一种半导体设备，包括工艺炉，工艺炉包括：工艺炉体和自内而外依次环绕工艺炉体设置的保温层和外壳，且工艺炉体与保温层之间设置有第一环形通道；两个环形封堵部，两个环形封堵部分别环绕设置在工艺炉体的两个端部，每个环形封堵部均与外壳密...

本发明公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括托盘支撑部、多个夹持组件、支撑架和用于放置晶圆的托盘；托盘支撑部与支撑架相连接，多个夹持组件沿托盘的周向间隔设置，多个夹持组件围成托盘夹持空间，托盘夹持空间用于放置托盘；夹持组...

本申请实施例公开一种半导体设备中的装载腔、晶圆分布状态检测方法，该装载腔包括：传感器，用于发射检测光线和接收检测光线的反射光线；反光镜组部分位于片槽内，且在片槽的目标槽位上装载有晶圆时，晶圆能够遮挡检测光线或反射光线，目标槽位是指对应于...

本发明提供一种加热灯的位置校正装置，包括校正插件和座体，座体上开设有限位槽和容纳槽，其中，限位槽用于与加热灯的灯座组件配合，限定座体与灯座组件的相对位置，其中，加热灯安装在灯座组件上；容纳槽用于在座体与灯座组件的相对位置被限定后，容纳加...

本申请公开了一种半导体装置，包括：腔室主体，和设置在所述腔室主体上的进气机构，所述进气机构包括中空的均流管，所述均流管包括成角度地相连的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部设置有出气口并处于所述腔室主体的内部，所述第二延伸部为进气管并...

本发明公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室设置有用于承载晶片的基座，反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；上电极包括介质窗和电极壳体，电极壳体包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与腔室本体相连接，第一壳体套装于第二壳...

本发明公开一种半导体加工设备，包括腔体；支架，支架设置于腔体的侧壁上；密封圈，密封圈设置于支架上；介质窗，介质窗设置于密封圈上；传热部，传热部环绕介质窗设置，且传热部通过柔性连接部与支架相连，传热部能够推动柔性连接部压缩或拉伸，以使传热...

本申请实施例公开了一种用于半导体的气体调节柜，所述气体调节柜中设置有多条气体分支管路以及与各条气体分支管路相连的气体总管路，所述气体总管路中设置有混气阀和腔室进气阀，所述混气阀用于对所述气体总管路中的气体进行混气；所述腔室进气阀用于将混...

本发明公开一种半导体加工设备，包括：反应腔室；工艺管，工艺管的至少部分处于反应腔室内；工艺管具有容置部、进气部和出气部，进气部具有进气口，出气部具有出气口，工艺管开设有多个进气孔和多个出气孔，多个进气孔和多个出气孔在工艺管的轴线方向间隔...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室内设置有基座，所述基座用于承载能容置多个待加工件的托盘；所述基座上设置有接盘机构，所述接盘机构能相对于所述基座升降，用于从机械手上获取所述托盘，并将所述托盘放置在所述基座上；所...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、固定内衬及活动内衬；腔室本体的侧壁上开设有传片口；固定内衬设置于腔室本体内，且环绕侧壁设置，用于遮蔽侧壁，固定内衬上对应于传片口的位置设置有缺口；活动内衬设置于...

本发明公开一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，所...

本发明提供一种半导体清洗设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的承载台，承载台用于承载待清洗件，半导体清洗设备还包括：至少一个第一喷淋头，设置于承载台的上方；至少一组清洗液供应组件，均与第一喷淋头连通，用于向第一喷淋头提供清洗液；以及，至...

本申请公开了一种半导体工艺设备中的炉管以及一种半导体工艺设备。该炉管包括：管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，所述进...

本发明公开一种冷却装置及冷却方法，冷却装置包括具有冷却腔的冷却本体、设置于冷却腔内的承载部，承载部用于承载待冷却件，与承载部配合的预热部，预热部用于在待冷却件放入冷却腔之前，加热承载部，并使承载部的温度不超过目标温度，以及在待冷却件放入...

本发明公开一种预热装置及预热方法，预热装置包括预热腔、加热部和红外测温部，所述预热腔用于容纳所述被加热件，所述预热腔的顶部设有测温窗；所述红外测温部设置于所述预热腔之外，所述红外测温部与所述预热腔活动连接；在对所述被加热件预热前或进行预...

本发明公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室具有相互连通的进气孔和工艺腔；间隔件，所述间隔件设置于所述工艺腔内，所述间隔件的外缘与所述工艺腔室的侧壁密封配合，所述工艺腔被所述间隔件分隔为发生腔和反应腔，所述进气孔与所述发生腔...

本发明涉及一种真空结构及新型晶圆传送盒门打开机构，该真空结构，用于半导体制造设备中吸附晶圆传送盒门，真空结构包括：基板，具有至少一个通孔；至少一个真空吸附机构，其中，各真空吸附机构具体包括：真空安装块，设置于基板上；真空吸附单元，设置于...