【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其工艺腔室
本申请涉及半导体加工
,具体而言,本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。
技术介绍
目前,60兆赫(MegaHertz,MHz)频率的介质刻蚀设备产生的等离子体对工艺腔室内壁刻蚀很严重,需要设置内衬结构保护工艺腔室内壁。常见的2MHz、13.56MHz及40MHz频率的介质刻蚀设备的内衬结构不能满足60MHz频率的介质刻蚀设备对于等离子体的约束能力。为了解决上述问题,需要设置侧衬保护工艺腔室的内壁,设置底衬约束等离子体,侧衬和底衬共同组成了内衬结构。为了提高侧衬的耐刻蚀能力及约束电流路径,一般选用石英材料;为了起到约束等离子体同时屏蔽电磁场的作用,底衬一般选用金属材料。但是现有技术中,上电极组件在工艺腔室开合盖的过程中,容易与侧衬发生摩擦及碰撞导致侧衬碎裂,严重影响刻蚀工艺效率;并且由于圆环形侧衬影响传片的实现,现有技术中采用的解决办法是把侧衬升至上电极组件之后,再进行开合盖动作,但是由于需要在上电极组件设置侧衬升降机构,增加了上电极组件的重量和复杂程度,不利于工艺腔室开合盖。< ...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备的工艺腔室,其特征在于,包括腔室本体、固定内衬及活动内衬;/n所述腔室本体的侧壁上开设有传片口;/n所述固定内衬设置于所述腔室本体内,且环绕所述侧壁设置,用于遮蔽所述侧壁,所述固定内衬上对应于所述传片口的位置设置有缺口;/n所述活动内衬设置于所述腔室本体内,所述活动内衬能相对于所述固定内衬移动以闭合或开启所述缺口。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的工艺腔室,其特征在于,包括腔室本体、固定内衬及活动内衬;
所述腔室本体的侧壁上开设有传片口;
所述固定内衬设置于所述腔室本体内,且环绕所述侧壁设置,用于遮蔽所述侧壁,所述固定内衬上对应于所述传片口的位置设置有缺口;
所述活动内衬设置于所述腔室本体内,所述活动内衬能相对于所述固定内衬移动以闭合或开启所述缺口。
2.如权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述缺口沿所述固定内衬的轴向延伸设置,所述活动内衬能相对所述固定内衬作升降运动。
3.如权利要求2所述的工艺腔室,其特征在于,所述固定内衬包括固定底板及固定侧板,所述固定底板呈圆环板状,环绕所述工艺腔室内的下电极组件设置,与所述下电极组件和/或所述侧壁固定连接;所述固定侧板呈圆筒状,所述固定侧板的底部固定连接于所述固定底板上;
所述缺口包括开设于所述固定底板上的底板缺口,以及开设于所述固定侧板上的侧板缺口。
4.如权利要求3所述的工艺腔室,其特征在于,所述活动内衬的包括活动底板、活动侧板及升降机构,所述活动底板的...
【专利技术属性】
技术研发人员:周坤玲,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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