半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室具有相互连通的进气孔和工艺腔；间隔件，所述间隔件设置于所述工艺腔内，所述间隔件的外缘与所述工艺腔室的侧壁密封配合，所述工艺腔被所述间隔件分隔为发生腔和反应腔，所述进气孔与所述发生腔连通，所述间隔件具有连通孔，所述连通孔沿厚度方向贯穿所述间隔件，所述发生腔和所述反应腔通过所述连通孔连通；线圈，所述线圈设置于所述工艺腔内，且所述线圈环绕所述工艺腔的进气路径设置；线圈驱动机构，设置在所述工艺腔室上，所述线圈驱动机构与所述线圈连接，所述线圈驱动机构驱动所述线圈沿所述进气孔的轴向移动。上述方案可以解决目前调整线圈的位置较为困难，影响生产节奏的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体工艺设备。
技术介绍
在晶圆等半导体的加工过程中，刻蚀是必不可少的一个过程。目前，通常采用等离子体对晶圆进行刻蚀，半导体工艺设备通常采用射频线圈耦合气体的方式形成等离子体。半导体工艺设备设有进气孔和反应腔，静电卡盘放置在反应腔内，晶圆等待加工件承载于静电卡盘上，为了保证自进气孔进入的气体在移动待加工件处的过程中能够被离化成等离子体，通常需要使线圈与待加工件相互间隔。线圈与待加工件之间距离较小时，等离子体的离化效果和均匀度相对较高，可以提升刻蚀效果，线圈与待加工件之间距离较大时，线圈与待加工件之间的电磁场分布情况发生变化，可以改善待加工件边缘倾斜的情况，为了平衡上述情况，通常使线圈处于一个中间位置。但是，在工艺种类不同的情况下，线圈的中间位置通常也不同，目前通常需要停机调整线圈的位置，影响生产节奏，且调整难度大。
技术实现思路
本专利技术公开一种半导体工艺设备，以解决目前调整线圈的位置较为困难，影响生产节奏的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：一种半导体工艺设备，其包括：工艺腔室，所述工艺腔室具有相互连通的进气孔和工艺腔；间隔件，所述间隔件设置于所述工艺腔内，所述间隔件的外缘与所述工艺腔室的侧壁密封配合，所述工艺腔被所述间隔件分隔为发生腔和反应腔，所述进气孔与所述发生腔连通，所述间隔件具有连通孔，所述连通孔沿厚度方向贯穿所述间隔件，所述发生腔和所述反应腔通过所述连通孔连通；线圈，所述线圈设置于所述工艺腔内，且所述线圈环绕所述工艺腔的进气路径设置；线圈驱动机构，设置在所述工艺腔室上，所述线圈驱动机构与所述线圈连接，所述线圈驱动机构驱动所述线圈沿所述进气孔的轴向移动。本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：本专利技术公开一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室、间隔件、线圈和线圈驱动机构，线圈驱动机构与线圈连接，且线圈驱动机构可以驱动线圈沿进气孔的轴向移动，进而在生产过程中，可以借助线圈驱动机构直接改变线圈的位置，操作简单，且基本不会对生产节奏产生影响。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备的一种结构示意图；图2为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备的另一种结构示意图；图3为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中间隔件的结构示意图；图4为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中间隔件的剖面图；图5为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中进气孔与线圈的配合示意图；图6为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中线圈的一种结构示意图；图7为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中线圈的另一种结构示意图；图8为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中线圈的再一种结构示意图；图9为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中立体线圈与平面线圈的电场和磁场的分布示意图；图10为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中间隔件位于第一位置时工艺腔室内流场方向和电场方向的示意图；图11为本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中间隔件位于第二位置时工艺腔室内流场方向和电场方向的示意图。附图标记说明：100-工艺腔室、110-进气孔、111-外进气孔、112-内进气孔、120-发生腔、130-反应腔、140-顶壁、150-侧壁、200-间隔件、210-连通孔、300-线圈、310-边缘立体线圈、320-平面线圈、340-立体线圈、410-第一驱动部、420-支撑架、430-升降件、510-安装部、520-微调机构、531-连接杆、532-导向套、533-导向安装件、534-配重部、610-第二驱动部、620-支撑件、630-连接件、700-静电卡盘。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。如图1-图11所示，本专利技术实施例公开一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室100、间隔件200、线圈300和线圈驱动机构，其中工艺腔室100具有相互连通的进气孔110和工艺腔，借助进气孔110可以将工艺气体通入至工艺腔内进行离化形成等离子体，再借助等离子体对工艺腔内的晶圆等半导体材料进行刻蚀加工。工艺腔的尺寸和形状可以根据实际需求选定，例如，工艺腔可以为圆柱状结构。可选地，工艺腔室100可以包括反应部和副筒，副筒与反应部连接，围成工艺腔，副筒设置于反应部的上方，半导体材料可以借助静电卡盘700等设备置于反应部内。间隔件200设置在工艺腔内，间隔件200的外缘与工艺腔室100的侧壁150密封配合，工艺腔被间隔件200分隔为发生腔120和反应腔130，半导体待加工件(例如晶圆)可以借助静电卡盘700置于反应腔130内。进气孔110与发生腔120连通，从而使自进气孔110进入工艺腔室100的工艺气体能够先在发生腔120形成等离子体。由于间隔件200的外缘与工艺腔室100的侧壁150密封配合，为了保证发生腔120内形成的等离子体能够与位于反应腔130内的半导体进行反应，间隔件200开设有连通孔210，连通孔210沿间隔件200的厚度方向贯穿间隔件200，以通过连通孔210连通发生腔120和反应腔130，保证等离子体可以自连通孔210处进入反应腔130内，以与晶圆发生反应。由于晶圆为圆形结构，可选地，连通孔210可以为圆形孔，其尺寸可以根据实际需求灵活选定。线圈300设置在工艺腔内，且线圈300环绕工艺腔的进气路径设置，也就是说，在向工艺腔内送入工艺气体，且气体沿进气路径移动的过程中，会经过线圈300所在的位置处，以保证工艺气体能够被线圈300离化成等离子体。可选地，线圈300可以绕设在工艺腔室100的外壁之外，或者，线圈300也可以设置在工艺腔室100的内壁和外壁之间，也即，线圈300可以埋设在工艺腔室100内，或者，线圈300还可以设置在工艺腔室100的内壁之内，这均可以保证工艺气体在自进气孔110进入工艺腔内的过程中能够被线圈300离化。另外，线圈300还可以围绕进气孔110设置，从而随工艺气体进入工艺腔的过程中，借助线圈300可以直接离化工艺气体。线圈驱动机构设置在工艺腔室100上，且线圈驱动机构与线圈300连接，在线圈驱动机构的驱动作用下，线圈300能够沿进气孔110的轴向移动，从而改变线圈300与待加工件之间的间距。采用上述结构时，可以根据工艺的不同，借助线圈驱动机构驱动线圈300移动，改变线圈300本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：/n工艺腔室(100)，所述工艺腔室(100)具有相互连通的进气孔(110)和工艺腔；/n间隔件(200)，所述间隔件(200)设置于所述工艺腔内，所述间隔件(200)的外缘与所述工艺腔室(100)的侧壁(150)密封配合，所述工艺腔被所述间隔件(200)分隔为发生腔(120)和反应腔(130)，所述进气孔(110)与所述发生腔(120)连通，所述间隔件(200)具有连通孔(210)，所述连通孔(210)沿厚度方向贯穿所述间隔件(200)，所述发生腔(120)和所述反应腔(130)通过所述连通孔(210)连通；/n线圈(300)，所述线圈(300)设置于所述工艺腔内，且所述线圈(300)环绕所述工艺腔的进气路径设置；/n线圈驱动机构，设置在所述工艺腔室(100)上，所述线圈驱动机构与所述线圈(300)连接，所述线圈驱动机构驱动所述线圈(300)沿所述进气孔(110)的轴向移动。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：
工艺腔室(100)，所述工艺腔室(100)具有相互连通的进气孔(110)和工艺腔；
间隔件(200)，所述间隔件(200)设置于所述工艺腔内，所述间隔件(200)的外缘与所述工艺腔室(100)的侧壁(150)密封配合，所述工艺腔被所述间隔件(200)分隔为发生腔(120)和反应腔(130)，所述进气孔(110)与所述发生腔(120)连通，所述间隔件(200)具有连通孔(210)，所述连通孔(210)沿厚度方向贯穿所述间隔件(200)，所述发生腔(120)和所述反应腔(130)通过所述连通孔(210)连通；
线圈(300)，所述线圈(300)设置于所述工艺腔内，且所述线圈(300)环绕所述工艺腔的进气路径设置；
线圈驱动机构，设置在所述工艺腔室(100)上，所述线圈驱动机构与所述线圈(300)连接，所述线圈驱动机构驱动所述线圈(300)沿所述进气孔(110)的轴向移动。


2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括安装部(510)和连接部，所述安装部(510)固定于所述工艺腔室(100)，所述线圈驱动机构安装于所述安装部(510)，所述线圈驱动机构通过连接部与所述线圈(300)连接。


3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述线圈驱动机构包括第一驱动部(410)、支撑架(420)和升降件(430)，其中，
所述支撑架(420)安装于所述安装部(510)；
所述第一驱动部(410)设置在所述支撑架(420)上，所述第一驱动部(410)与所述升降件(430)连接，所述升降件(430)与所述连接部连接，所述第一驱动部(410)驱动所述升降件(430)沿所述进气孔(110)的轴向移动。


4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述连接部包括连接杆(531)、导向套(532)、导向安装件(533)和配重件(534)，其中，
所述导向套(532)固定于所述安装部(510)且位于所述安装部(510)远离所述工艺腔室(100)的一侧，所述导向套(532)套设于所述连接杆(531)之外；
所述导向安装件(533)固定于所述安装部(510)且位于所述安装部(510)朝向所述工艺腔室(100)的一侧，所述导向安装件(533)设置于所述连接杆(531)上；
所述连接杆(531)的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：成航航，崔咏琴，林源为，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11