半导体工艺设备中的炉管以及半导体工艺设备制造技术

本申请公开了一种半导体工艺设备中的炉管以及一种半导体工艺设备。该炉管包括：管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。通过使用进气环，可以在炉管内形成均匀的工艺气体气氛，从而提高晶圆封装修复良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备中的炉管以及半导体工艺设备
本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体工艺设备中的炉管。本申请还涉及包括这种炉管的半导体工艺设备。
技术介绍
聚酰氩胺薄膜作为绝缘类材料，由于其具有较高的耐温性，高介电性，耐辐射性及粘结性，而广泛应用于芯片或晶圆的封装中。在芯片或晶圆封装制程中，在将聚酰氩胺液体真空加热固化之后，为修复聚酰氩胺薄膜的损伤以及加固其粘结性，通常采用芯片或晶圆封装修复装置。芯片或晶圆封装修复装置通常为使用炉管的立式炉，待处理的晶圆设置在炉管内。通过向炉管内供入相应的工艺气体(例如氮气和氧气)，从而在炉管内产生形成所需的气氛，然后就可以对芯片或晶圆封装修复。在现有技术中，炉管通常为上方进气、下方排气的结构，这易于导致炉管内气体分布不均匀，并因此甚至导致芯片或晶圆封装修复不良。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出了一种半导体工艺设备中的炉管。还提出了使用这种炉管的半导体工艺设备。根据本专利技术的第一方面的半导体工艺设备中的炉管，包括：管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。在一个实施例中，所述多个出气口在周向上以相同的圆心角间隔分布。在一个实施例中，所述出气口设置在所述进气环的顶壁上，并且所述出气口的轴线倾斜指向所述管体的上部。在一个实施例中，所述进气环的底壁上偏离所述出气口还设置有清洁口。在一个实施例中，所述进气环贴合所述管腔的内壁设置。在一个实施例中，所述进气环的截面为多边形，所述进气环与所述内壁贴合的侧壁与所述内壁相适配。在一个实施例中，还包括设置于所述管口处的法兰结构，所述内管的至少部分固定附接在所述法兰结构上。在一个实施例中，所述炉管还包括排气通道，所述排气通道设置在所述管体的外侧，并且所述排气通道的入口与所述出气口连通，所述排气通道的出口处于所述管体的下部。在一个实施例中，所述排气通道的出口与所述进气口处于相同高度。根据本专利技术的第二方面的半导体工艺设备，其特征在于，包括：晶舟、保温桶、根据上文所述的炉管，所述炉管用于容纳所述晶舟和所述保温桶。在一个实施例中，所述保温桶能够相对于所述炉管转动，并且带动所述晶舟相对于所述炉管转动。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：在将炉管应用于半导体工艺设备时，工艺气体从炉管的下部进入管腔内，废气从炉管的顶部排出。这样有助于在进行修复之前，工艺气体对管腔内部环境进行彻底吹扫或置换，从而在管腔内形成良好的工艺气体气氛，从而有助于高品质地修复芯片或晶圆的封装薄膜。此外，在进气环上形成有多个出气口，这有助于在管腔内快速形成和保持均匀的工艺气体气氛，从而进一步有助于高品质修复芯片或晶圆的封装薄膜。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示意性地显示了根据本专利技术的一个实施例的半导体工艺设备中的炉管。图2以截面图示意性地显示了炉管的结构。图3以俯视图示意性地显示了炉管的结构。图4示意性地显示了进气环的结构。图5示意性地显示了进气环与法兰的位置关系。图6示意性地显示了根据本专利技术的一个实施例的半导体工艺设备。图7示意性地显示了半导体工艺设备内的气流路径。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。图1示意性地显示了根据专利技术的一个实施例的半导体工艺设备中的炉管1。如图1所示，炉管1包括管体100，和安装在管体100的管腔101内的进气环200。管体100的管口110设置在管体100的底端。管体100的上部设置有排气口102，在管体100的下部设置有进气口103，进气环200与进气口103连通。进气环200处于管腔101的下部并沿管腔101的周向延伸。在进气环200上设置有多个朝向管腔101的出气口201。管体100大体为圆柱形，在将炉管1应用于根据本专利技术的半导体工艺设备2(如图6所示)时，炉管1以竖直方式安装，即，管体100的上部(或排气口102)朝上，下部(或进气口103或管口110)朝下。待处理的晶圆等通过管口110进入到管体100的内部。这样，在使用半导体工艺设备2进行修复工艺时(此时，晶圆处于炉管1的管腔101内)，工艺气体(例如，氮气或氧气)经进气口103、进气环200、出气口201而从炉管1的下部进入管腔101内，废气(例如，包括多种有机物的混合气体)经排气口102从炉管1的顶部排出。这样有助于在进行修复之前，工艺气体对管腔101内部环境进行彻底吹扫或置换，从而在管腔1内形成良好的工艺气体气氛，从而有助于实现高品质的修复。此外，在进气环200上形成有多个出气口201，这有助于在管腔101内快速形成和保持均匀的工艺气体气氛，从而进一步有助于提高修复品质。在一个实施例中，为了便于与其他设备连接，在进气口103处还设置有进气接管120。管体100优选为石英材质。这样，管体100具有良好的耐高温性、透光性、化学稳定性等优良性能，特别适于需要进行加热的环境。更优选地，进气环200也是石英材质。这样，进气环200和管体100的材质相同，从而在将进气环200安装在管体100内后，不会出现因热膨胀率不同而导致安装不牢固甚至发生损坏的情况。在一个具体的实施例中，可以将进气环200焊接在管体100上，例如将进气环200紧贴管腔101的内壁104而焊接。由于进气环200和管体100的材质相同，因此这种焊接易于进行，而且在使用炉管1期间，也能保持进气环200与管体100的牢固连接。在一个实施例中，多个出气口201在周向上以相同的圆心角间隔分布。如图4所示，相邻的出气口201之间的圆心角α相同。例如，如果出气口201的数量为四个，则圆心角α为90度；如果出气口201的数量为六个，则圆心角α为60度，这里不再列举。专利技术人发现，这种分布的多个出气口201有助于气流的均匀性，并且快速在管腔101快速形成并保持均匀的工艺气体气氛，从而有助于提高修复良率。出气口201的数量可以根据实际情况而定，例如对于直径为345mm的进气环200，出气口201的直径为9mm到10mm，数量为4。考虑到进气总量、出气口210的孔径大小，进气环200的直径等因素，出气口201的数量还可以进一步增加或减少，这里不再赘述。优选地，如图4所示，出气口201处于进气环20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备中的炉管，其特征在于，包括：/n管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，/n所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备中的炉管，其特征在于，包括：
管体，所述管体的管口设置在所述管体的底端，所述管体的上部设置有排气口，所述管体的下部设置有进气口，所述管体的管腔内设置有进气环，所述进气环与所述进气口连通，
所述进气环处于所述管腔的下部并沿所述管腔的周向延伸，并且所述进气环上设置有多个朝向所述管腔的出气口。


2.根据权利要求1所述的炉管，其特征在于，所述多个出气口在周向上以相同的圆心角间隔分布。


3.根据权利要求2所述的炉管，其特征在于，所述出气口设置在所述进气环的顶壁上，并且所述出气口的轴线倾斜指向所述管体的上部。


4.根据权利要求1-3任一项所述的炉管，其特征在于，所述进气环的底壁上偏离所述出气口还设置有清洁口。


5.根据权利要求1-3任一项所述的炉管，其特征在于，所述进气环贴合...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩子迦，杨慧萍，杨帅，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11