半导体设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。本方案解决现有半导体设备所生产的芯片的生产良率较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备
本专利技术涉及半导体设备
，尤其涉及一种半导体设备。
技术介绍
在半导体设备中，通常将射频电源提供的射频能量传输到反应腔室中，以此电离高真空状态下的特殊气体(如氩气Ar、氦气He、氮气N2或氢气H2等)，从而产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子与置于反应腔室并暴露在等离子体环境下的晶圆之间发生各种物理和化学反应，从而使晶圆表面的性能产生变化，进而完成晶圆的刻蚀工艺。随着半导体制造设备的发展，半导体制造工艺过程中对颗粒尺寸和颗粒数量的要求不断提高，例如，对真空反应腔室内涂层和石英陶瓷件表面的喷涂的要求越来越高，不但要求涂层有更高的耐腐蚀性，也要求涂层与反应腔室的内表面有更高的结合强度。但是，具体的工作过程中，在反应腔室内的等离子体的轰击下，涂层表面可能会产生大量的聚合物颗粒，当反应腔室中的调节阀动作或者反应腔室的压力产生变化，涂层表面的聚合物颗粒将容易脱落，从而反弹至反应腔室中。如果聚合物颗粒在晶圆的刻蚀前或刻蚀中掉落，将会在晶圆表面形成掩膜，从而影响原有光刻图形转移，进而产生局部刻蚀缺陷，最终降低芯片生产良率。
技术实现思路
本专利技术公开一种半导体设备，以解决现有半导体设备所生产的芯片的生产良率较低的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：一种半导体设备，包括反应腔室、分子泵和调节阀，所述分子泵设置于所述反应腔室的底部，且所述分子泵通过所述调节阀与所述反应腔室的内腔连通，所述半导体设备还包括阻挡部，所述阻挡部设置于所述调节阀与所述分子泵的吸风口之间，所述阻挡部用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔。本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：本专利技术实施例公开的半导体设备中，通过在调节阀与分子泵的吸风口之间设置阻挡部来阻挡反弹回流的颗粒，以防止反弹回流的颗粒进入到内腔中，从而增加了内腔的洁净度，进而能够提升芯片的生产良率。与此同时，相比于现有的阻挡方式，此种方式占用反应腔室较小的内部空间，以使反应腔室的维护空间加大，从而便于维护反应腔室内的各个部件，进而能够减少维护时间，提高工作效率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例公开的半导体设备的剖视图；图2为本专利技术实施例公开的半导体设备中的阻挡部的结构示意图；图3为图2所示结构示意图的A-A截面的部分示意图；图4为本专利技术另一实施例公开的半导体设备中的阻挡部的结构示意图；图5为本专利技术另一实施例公开的半导体设备中的阻挡部在另一视角下的局部剖视图；图6为本专利技术再一实施例公开的半导体设备中的阻挡部的局部剖视图；图7为本专利技术实施例公开的半导体设备中的阻挡部的部分结构示意图；图8为本专利技术实施例公开的半导体设备中的阻挡叶片的局部剖视图。附图标记说明：100-反应腔室、110-内腔、120-进气口；200-分子泵；300-阻挡部、310-环形支架、311-沉台孔、320-阻挡叶片、321-倒圆角边缘、322-凹槽、330-加强筋、340-螺钉；400-调节阀；500-反应基座；600-过渡通道；700-颗粒的反弹方向。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。如图1～图3所示，本专利技术实施例公开一种半导体设备，所公开的半导体设备包括反应腔室100、分子泵200和调节阀400，反应腔室100具有内腔110，反应腔室100的内腔110能够为半导体设备的其他构件提供安装位置。请参考图1，反应基座500可以设置于内腔110，且反应腔室100开设有与内腔110连通的进气口120，在具体的工作过程中，工艺气体首先通过进气口120进入到反应腔室100的内腔110中，进一步地，将射频电源提供的射频能量传输到内腔110中，以此电离高真空状态下的工艺气体(如氩气Ar、氦气He、氮气N2或氢气H2等)，从而产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子与置于反应基座500并暴露在等离子体环境下的晶圆之间发生各种物理和化学反应，从而使晶圆表面的性能产生变化，进而完成晶圆的刻蚀工艺。分子泵200设置于反应腔室100的底部，且分子泵200通过调节阀400与反应腔室100的内腔110连通。具体的，请再次参考图1，为了便于分子泵200和调节阀400的安装，反应腔室100的底部可以设置有过渡通道600，分子泵200可设置在过渡通道600远离内腔110的一端，调节阀400可设置在过渡通道600朝向内腔110的一端。调节阀400可以为摆阀，从而使得调节阀400不仅能够实现分子泵200与内腔110的连通，还可以通过调节调节阀400打开的大小程度，从而控制分子泵200抽气的速率。具体的工作过程中，在完成晶圆的刻蚀工艺之后，可以通过分子泵200抽出内腔110中的工艺废气，以使内腔110中的工艺废气能够排出内腔110之外。本专利技术实施例公开的半导体设备还包括阻挡部300，阻挡部300设置于调节阀400与分子泵200的吸风口之间，阻挡部300用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至反应腔室100的内腔110。在具体的工作过程中，当分子泵200运行时，反应腔室100内生成的反应生成物通过阻挡部300排出，与此同时，由于分子泵200在运行过程中，分子泵200的叶片转动容易造成颗粒反弹回流，阻挡部300能够阻挡大部分反弹回流的颗粒，以防止反弹回流的颗粒进入到内腔110中。由上文可知，本专利技术实施例公开的半导体设备中，通过在调节阀400与分子泵200的吸风口之间设置阻挡部300来阻挡反弹回流的颗粒，以防止反弹回流的颗粒进入到内腔110中，从而增加了内腔110的洁净度，进而能够提升芯片的生产良率。与此同时，相比于现有的阻挡方式，此种方式占用反应腔室100较小的内部空间，以使反应腔室100的维护空间加大，从而便于维护反应腔室100内的各个部件，进而能够减少维护时间，提高工作效率。本专利技术公开的实施例中，阻挡部300可以包括环形支架310和多个阻挡叶片320，多个阻挡叶片320间隔设置于环形支架310的内周壁。请参考图2，可选地，阻挡部300可以包括多个长度不等的阻挡叶片320，多个长度不一的阻挡叶片320可以设置于环形支架310的内周壁、且相邻的两个阻挡叶片320可以平行设置。在装配时，阻挡叶片320可以通过环形支架310设置于调节阀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，其特征在于，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，其特征在于，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡部(300)包括环形支架(310)和多个阻挡叶片(320)，多个所述阻挡叶片(320)间隔设置于所述环形支架(310)的内周壁，且所述阻挡叶片(320)通过所述环形支架(310)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面成角度，且所述角度可根据所述调节阀(400)的开度进行调节。


4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面相垂直，在与所述颗粒的反弹方向(700)相垂直的平面上，相邻两个所述阻挡叶片(320)之间的间隙的第一端口的投影为第一投影，所述第一端口为所述间隙朝向所述吸风口的端口，其中一个所述阻挡叶片(320)的投影为第二投影，所述第一投影处于所述第二投影之内。...

【专利技术属性】
技术研发人员：马恩泽，郭士选，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11