半导体设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。本方案解决现有半导体设备所生产的芯片的生产良率较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备
本专利技术涉及半导体设备
，尤其涉及一种半导体设备。
技术介绍
在半导体设备中，通常将射频电源提供的射频能量传输到反应腔室中，以此电离高真空状态下的特殊气体(如氩气Ar、氦气He、氮气N2或氢气H2等)，从而产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子与置于反应腔室并暴露在等离子体环境下的晶圆之间发生各种物理和化学反应，从而使晶圆表面的性能产生变化，进而完成晶圆的刻蚀工艺。随着半导体制造设备的发展，半导体制造工艺过程中对颗粒尺寸和颗粒数量的要求不断提高，例如，对真空反应腔室内涂层和石英陶瓷件表面的喷涂的要求越来越高，不但要求涂层有更高的耐腐蚀性，也要求涂层与反应腔室的内表面有更高的结合强度。但是，具体的工作过程中，在反应腔室内的等离子体的轰击下，涂层表面可能会产生大量的聚合物颗粒，当反应腔室中的调节阀动作或者反应腔室的压力产生变化，涂层表面的聚合物颗粒将容易脱落，从而反弹至反应腔室中。如果聚合物颗粒在晶圆的刻蚀前或刻蚀中掉落，将会在晶圆表面形成掩膜，从而影响原有光刻图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，其特征在于，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，其特征在于，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡部(300)包括环形支架(310)和多个阻挡叶片(320)，多个所述阻挡叶片(320)间隔设置于所述环形支架(310)的内周壁，且所述阻挡叶片(320)通过所述环形支架(310)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面成角度，且所述角度可根据所述调节阀(400)的开度进行调节。


4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面相垂直，在与所述颗粒的反弹方向(700)相垂直的平面上，相邻两个所述阻挡叶片(320)之间的间隙的第一端口的投影为第一投影，所述第一端口为所述间隙朝向所述吸风口的端口，其中一个所述阻挡叶片(320)的投影为第二投影，所述第一投影处于所述第二投影之内。...

【专利技术属性】
技术研发人员：马恩泽，郭士选，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11