本发明提供一种基片承载装置，包括基片固定组件和基片支撑组件，基片固定组件包括间隔设置的多个定位部，任意相邻两个定位部之间具有定位间隔，定位间隔用于插入基片；基片支撑组件位于基片固定组件下方，基片支撑组件用于在基片插入定位间隔时，托住基片...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种线圈结构，包括至少一组线圈组；线圈组包括第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈缠绕形成环形区域，第一线圈的第一端和第二线圈的第一端均逐渐靠近环形区域的内环，第一线圈的第二端和第二线圈的第二端均逐渐靠...

本实用新型提供一种石墨舟和化学气相沉积设备，包括沿第一方向间隔设置的多片舟片，且各舟片的用于接触被加工工件的第一面与第一方向相互垂直，多片舟片在第一方向上划分为内片组和位于该内片组两侧的两组外片组，其中，各外片组包括至少一片舟片，且为外...

本发明提供一种半导体工艺执行方法，应用于半导体工艺设备中，其特征在于，包括：接收当前工艺对应的工艺配方并存储在本地；接收所述当前工艺的工艺信息，创建工艺任务，其中，所述工艺信息包括所述工艺配方的名称；将所述工艺配方及所述工艺信息存储至内...

本申请实施例公开了一种用于半导体工艺设备的软件控制方法和半导体工艺设备，该方法包括：根据用户的软件启动操作，检测上位机与下位机是否能进行通信；若上位机与下位机能进行通信，则控制下位机执行预定启动脚本，以启动下位机中的第一目标软件；在确定...

本发明实施例公开了半导体设备控制系统和系统监控方法，系统包括：上位机单元用于定时发送测试数据到下位机单元；根据是否发送成功确定下位机单元工作状态；下位机单元用于定时判断下位机测试状态值是否发生变化，进而确定上位机单元工作状态；下位机单元...

本申请实施例公开了一种热处理的控制方法、装置及设备，用以解决现有的热处理配方执行效率低、耗时长的问题。该热处理的控制方法包括：判断热处理过程的当前待处理步骤与上一已处理步骤中的电机参数是否满足跳过执行设定操作的条件，电机参数包括电机速度...

本发明提供一种元器件寿命监控方法及系统，该方法包括以下步骤：S1：接收并存储元器件的属性信息，所述属性信息包括使用事件和寿命当前值；S2：实时监控所述使用事件是否被触发；若是，执行步骤S3；若否，返回所述步骤S2；S3：累加所述寿命当前...

本发明提供的基座旋转装置和反应腔室，包括旋转轴、固定基座和密封结构，其中，旋转轴中具有进气通道，固定基座具有空腔，固定基座的一侧设置有开口，旋转轴自开口伸入固定基座中，固定基座上还设置有通孔，通孔用于将向进气通道输送气体，密封结构设置在...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其下电极组件。该下电极组件包括承载装置及紧固组件，其中：承载装置设置于半导体设备的腔室本体内的底壁上；紧固组件的可调节端设置于底壁外侧，紧固组件的非可调节端穿过底壁与承载装置连接，用于将承载装置固定于底...

本申请提供一种薄膜沉积方法，包括：主沉积步骤，进行薄膜沉积工艺，在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜，并在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；应力转变步骤，将冷却气体由第一流量降低至第二流量，使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设...

本发明公开了一种射频线圈、工艺腔室和半导体处理设备。射频线圈包括线圈本体和线圈姿态调整部件；所述线圈姿态调整部件与所述线圈本体连接，用于调整所述线圈本体所在的平面与预设基准平面之间的角度。这样，在工艺腔室结构不对称时，可以通过所设置的可...

本实用新型提供一种混合装置及半导体加工设备，混合装置用于硅外延设备的掺杂气体混合，包括携带气体管道、掺杂气体管道和混合管道；其中，携带气体管道和掺杂气体管道均与混合管道的进气端相连；携带气体管道用于向混合管道输送携带气体；掺杂气体管道用...

本实用新型公开一种用于大气机械手的机械手指，包括：至少一个指叉，指叉的末端设有凸台，凸台上设有负压气孔和围绕负压气孔的吸盘。通过在指叉末端的凸台上设置吸盘，在取放晶圆的过程中，吸盘能够提高凸台与晶圆曲面贴合度，从而防止晶圆滑落，提高机械...

本发明公开了一种药液混合装置及药液混合补水系统，药液混合装置包括：药液罐，顶部设有药液入口、补水口和药液循环入口，底部设有药液出口；药液供给管路，出口端连接药液入口，入口端连接药液供给端，药液供给管路上设有第一阀门；补水管路，出口端连接...

本发明提供一种过滤装置及清洗设备，包括过滤本体和回收部，其中，过滤本体用于对待过滤流体进行过滤，回收部与过滤本体可拆卸的连接，用于回收经过滤本体过滤出的固体杂质。本发明提供的过滤装置及清洗设备便于对过滤装置进行清理，使过滤装置能够重复利...

本发明提供一种暖机方法及刻蚀方法，该暖机方法包括：控温阶段，检测绝缘筒的温度，并在所述绝缘筒的温度小于预设的温度范围时，进行升温工艺，以控制反应腔室的绝缘筒的温度维持在预设的温度范围内，所述升温工艺为等离子体起辉加热所述反应腔室；工艺阶...

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。工艺腔室包括微波产生结构、微波传输结构、微波耦合件、等离子体产生腔和工艺腔；微波传输结构分别连接等离子体产生腔和微波产生结构；微波耦合件穿设在等离子体产生腔中，其能够将微波产生结构产生的微波耦合...

本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚用于盛装碳化硅粉料，并通过对所述碳化硅粉料进行加热，以使所述碳化硅粉料升华分解为气相组分；籽晶托，用于盛装能够生长碳化硅单晶的籽晶；导热容器，包括容器壁和空腔，所述导热容器...

本申请公开了一种气相沉积装置，包括：下腔罩组件；上腔罩，上腔罩装配在下腔罩组件的上方，包括上腔罩板、自上腔罩板沿径向向外延伸的第一延伸部和自上腔罩板沿轴向且向下腔罩组件延伸的第二延伸部，且第一延伸部在高度上处于上腔罩板的上方，第二延伸部...