本发明提供一种承载装置及工艺腔室，所述承载装置包括：可旋转的承载盘，在所述承载盘上设置有沿其周向间隔设置的多个用于承载晶片的工位；并且，在所述承载盘的每个所述工位中设置有至少三个沿其厚度贯穿的通孔，至少三个所述通孔沿其所在的所述工位的周...

本发明提供一种开盖机构及半导体加工设备，该开盖机构包括：导向件，竖直设置在上电极机构的一侧，且与腔室固定连接；第一定位结构，用于限制所述导向件与所述腔室的相对位置和旋转自由度；滑动件，与所述导向件滑动配合，且与所述上电极机构固定连接；第...

本发明提供一种的一种预清洗方法在使工艺气体起辉后，先减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，再对被加工工件进行刻蚀，即先在步骤S3中减小工艺气体的流量和反应腔室的压力，再在步骤S4中改变上射频功率源和下射频功率源的输出功率，以对被加工工件进...

本发明提供的吹扫方法及结构、沉积工艺及进气系统，用于化学气相沉积工艺中，其中基片承载在卡盘上，在进行化学气相沉积工艺的过程中，向基片的边缘输送吹扫气体和工艺气体。由于向基片的边缘通入吹扫气体和工艺气体，其中的工艺气体与通入腔室中的工艺气...

本发明提供一种反应腔室及半导体设备，包括介质筒和环绕在介质筒周围的线圈，在线圈内设置有冷却通道，冷却通道用于通入冷却介质，通过冷却介质来对介质筒进行冷却。本发明提供的反应腔室及半导体设备能够对介质筒进行冷却，从而避免衬底糊胶的情况发生，...

本发明公开一种下电极组件及工艺腔室，该下电极组件包括承载盘和设置于承载盘的中心区域的转盘，转盘的周向设有叉指，转盘能够相对于承载盘转动和带动叉指升降，其中：转盘包括上下叠置的压盘和固定盘，以及设置于压盘和固定盘之间的至少一个高度调节组件...

本发明公开了一种用于外延反应腔室的衬里装置及外延反应腔室，装置包括：下部衬环以及置于下部衬环上方且与下部衬环同轴设置的上部衬环；下部衬环的朝向上部衬环的一面设置有的导气槽和排气槽，导气槽和排气槽沿下部衬环的周向相对设置，且导气槽的导气方...

本发明公开一种用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备，该进排气构件包括环形主体，沿环形主体的周向侧壁设置的进气通道和排气通道，进气通道和排气通道的对称面为同一平面，且环形主体的轴线位于对称面内；进气通道和排气通道设置于环形主体上，消...

本发明公开了一种冷却装置和半导体处理设备。所述冷却装置包括吹扫组件，所述吹扫组件包括进气主管路、与所述进气主管路并联连接的若干个进气支管路以及分别与各所述进气支管路连接的若干个吹扫件，各所述吹扫件排列形成第一非完整环形结构。本发明的冷却...

本发明提供一种观察窗组件及半导体加工设备，包括观察窗和底座，所述底座用于固定安装在腔室壁上；在所述底座中设置有容纳观察窗的空腔，并且在所述底座上，且位于所述空腔的两侧分别设置有用于显露所述观察窗的开口。本发明提供的观察窗组件，其可以简化...

本发明实施例提供一种气体分配装置和方法、原子层沉积设备，该气体分配装置包括N条进气气路，各条进气气路的进气端均与气体供应装置的输出端连接，各条进气气路的出气端分别与各个工艺腔室的进气口连接；在各条进气气路上均设置有可调节流单元和压差检测...

本发明提供一种气体输送系统和半导体设备，可以利用第一回收管路和回收装置，使通入进气管路中的、流量不稳定的工艺气体进入回收装置，以使回收装置溶解或吸附工艺气体中的前驱物。本发明还提供一种气体输送方法，先使工艺气体经第一回收管路进入回收装置...

本发明公开了一种磁控管驱动机构、工艺腔室和半导体处理设备。包括第一旋转臂，设置有第一旋转轴和第二旋转轴，第一旋转轴与第一驱动源相连；第二旋转臂，与第二旋转轴连接且固定设置有磁控管；传动机构，其包括第一主动轮和第一从动轮，第一主动轮与第一...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构包括：背板组件、活动磁极及固定磁极；背板组件包括第一背板及第二背板，第二背板能相对于第一背板移动；多个固定磁极设置于第一背板的底面上，多个活动磁极设置于第二背板的底面上；当...

本发明提供一种半导体晶片处理腔室及半导体处理设备，该半导体晶片处理腔室包括腔体、设置在该腔体内可沿竖直方向移动的片盒和设置在腔体内的加热组件，还包括温度检测组件，该温度检测组件的检测部为温度检测板，该温度检测板设置在腔体内，且与腔体固定...

本发明公开了一种位置转换装置和清洗设备。包括位置转换槽，用于容纳各待处理件；若干组承载件，每组均包括若干个子承载件，每个子承载件均用于承载对应的待处理件；若干个调距组件，对应所述若干组承载件设置，每个调距组件均能够驱动对应的一组承载件内...

本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗机，该晶圆清洗装置清洗槽，其特征在于，晶圆清洗装置还包括底部支撑组件；底部支撑组件设置在清洗槽的底部，包括第一支撑件和第二支撑件；第一支撑件固定设置在清洗槽的底壁上，用于支撑晶圆；第二支撑件用于支撑并...

本申请实施例提供了一种承载装置,用于外延反应腔室。该承载装置包括：基座，基座的上表面设有第一凹槽，且在第一凹槽的第一底面上设置有第二凹槽，第一凹槽的第一底面用于承载晶圆；第二凹槽用于与承载的晶圆的下表面形成释放腔；第二凹槽的第二底面还设...

本实用新型提供一种上电极机构及半导体加工设备，其中，上电极机构，包括射频电源、匹配器和多组线圈，多组线圈相互环绕设置，并且各组线圈均通过匹配器与射频电源电连接，上电极机构还包括至少一个切换组件，切换组件分别与匹配器以及至少一组线圈对应电...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括管路组件、静电卡盘、工艺腔室和用于向管路组件发送控制信号的控制单元，管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至静电卡盘。冷却源包括第一冷却部和第二冷却部，管路组件至少包括第一分管路和第二分管路，第一分管路的一...