用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备制造技术

本发明专利技术公开一种用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备，该进排气构件包括环形主体，沿环形主体的周向侧壁设置的进气通道和排气通道，进气通道和排气通道的对称面为同一平面，且环形主体的轴线位于对称面内；进气通道和排气通道设置于环形主体上，消除现有技术中分体式进排气口的装配间隙，减少腔室边缘区域的气体紊流，改善晶圆表面生长的外延层厚度均匀性；同时气体从进气通道至排气通道的流动方式，扩大气流的流动空间，减少边缘紊流区对晶圆上方气流场的影响，保证晶圆上方气体的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备
本专利技术属于集成电路制造设备领域，更具体地，涉及一种用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备。
技术介绍
硅外延设备是用来实现外延工艺的重要反应腔室，其所提供的气流场稳定性是影响外延工艺厚度的主要因素，因此保证反应腔室中气流场的均匀性是硅外延设备的重要因素。通常使用的硅外延设备工艺腔室是由透明石英构成密封反应腔室，其中工艺气体从上下石英环构成的进气口水平流经预热环、托盘，到晶圆上沉积薄膜，在工艺反应中，反应剩余物会从上下石英环构成的排气口流进排气管路。由于进排气口宽度的局限性，使得工艺气体在流进晶圆边缘区时气流方向改变，导致晶圆边缘区上方的气流紊乱，从而影响晶圆边缘区生长的外延层厚度波动，因此通过优化排气口与腔室的匹配位置，减少气体紊流区域，有助于改善晶圆表面生长的外延层厚度均匀性。现有技术中，反应腔为单片式圆形腔室，前端装有进气模块，后端装配排气模块，通过上下石英件构成的进气口使工艺气体水平流过旋转托盘上表面，经过高温反应后的工艺气体从排气口流出。图1a现有技术的上石英件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于外延生长设备的进排气构件，其特征在于，所述进排气构件包括环形主体(13)，沿所述环形主体(13)的周向侧壁设置的进气通道(8)和排气通道(9)，所述进气通道(8)和所述排气通道(9)的对称面(12)为同一平面，且所述环形主体(13)的轴线位于所述平面内。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于外延生长设备的进排气构件，其特征在于，所述进排气构件包括环形主体(13)，沿所述环形主体(13)的周向侧壁设置的进气通道(8)和排气通道(9)，所述进气通道(8)和所述排气通道(9)的对称面(12)为同一平面，且所述环形主体(13)的轴线位于所述平面内。


2.根据权利要求1所述的用于外延生长设备的进排气构件，其特征在于，所述进气通道(8)包括沿所述环形主体(13)平行且等距离设置的多个通孔。


3.根据权利要求1所述的用于外延生长设备的进排气构件，其特征在于，所述进气通道(8)的纵向截面为折线型，所述进气通道(8)的进气口开设于所述环形主体(13)的外周壁，所述进气通道(8)的出气口开设于与所述进气通道(8)的进气口相对应的所述环形主体(13)的内周壁，且所述进气通道(8)的进气口的轴线和所述进气通道(8)的出气口的轴线均平行于所述环形主体(13)的端面。


4.根据权利要求3所述的用于外延生长设备的进排气构件，其特征在于，所述排气通道(9)的轴线与所述环形主体(13)的端面之间形成倾斜角(12)，所述排气通道(9)的进气口开设于所述环形主体(13)的内周壁，所述排气通道(9)的出气口开设于与所述排气通道(9)的进气口相对应的所述环形主体(13)的外周壁，且所述排气通道(9)的进气口高于所述进气通道(9)的出气口。


5.根据权利要求4所述的用于外延生长设备的进排气构件，其特征在于，所述进气通道(8)的出气口与所述排气通道(9)的进气口位置相对应，且高度一致。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏俊涵，孙中岳，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11