用于外延反应腔室的衬里装置及外延反应腔室制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于外延反应腔室的衬里装置及外延反应腔室，装置包括：下部衬环以及置于下部衬环上方且与下部衬环同轴设置的上部衬环；下部衬环的朝向上部衬环的一面设置有的导气槽和排气槽，导气槽和排气槽沿下部衬环的周向相对设置，且导气槽的导气方向与下部衬环的轴向成角度；上部衬环包括环本体和设置于环本体上的第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部自环本体的外边缘朝向导气槽延伸，以与下部衬环配合形成进气部，第二延伸部自环本体的外边缘朝向排气槽延伸，以与下部衬环配合形成排气部。实现使进入到工艺腔室的气流场更加平顺、均匀，提高外延工艺效果。

Lining device and epitaxial reaction chamber for epitaxial reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
用于外延反应腔室的衬里装置及外延反应腔室
本专利技术涉及半导体设备
，更具体地，涉及一种用于外延反应腔室的衬里装置及外延反应腔室。
技术介绍
在外延生长过程中，腔室气流场均匀性对外延层的各项指标都有很大的影响。根据化学气相沉积(CVD)工艺技术的反应机理可知：必须使衬底表面附近存在均匀分布的气流场和浓度场才能获得优异的外延工艺结果。根据CVD生长薄膜所需要的掺杂均匀、厚度均匀等要求，要求在生长过程中只有输运到衬底表面各个部位的反应物及掺杂物的速率都相等，气流场保持均匀地平行层流，避免任何波动、湍流和对流涡旋，才能满足薄膜的厚度、电阻率均匀性的要求。现有技术中，如图1和图2所示，由上部衬环101和下部衬环102共同围成的腔室内部空间的横截面为圆形。反应气体由下部衬环102上的进气端103进入，反应气体供应路径为呈递升的阶级形状，气流需要经过两次垂直的拐弯后，然后流过腔室再从排气端105排出。如图2所示，在下部衬环102的进气端103，导气槽104呈柱型，其壁表面为圆弧形，众多导气槽104沿下部衬环102的圆周排布，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于外延反应腔室的衬里装置，其特征在于，包括：下部衬环以及置于所述下部衬环上方且与所述下部衬环同轴设置的上部衬环；/n所述下部衬环的朝向所述上部衬环的一面设置有的导气槽和排气槽，所述导气槽和所述排气槽沿所述下部衬环的周向相对设置，且所述导气槽的导气方向与所述下部衬环的轴向成角度；/n所述上部衬环包括环本体和设置于所述环本体上的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部自所述环本体的外边缘朝向所述导气槽延伸，以与所述下部衬环配合形成进气部，所述第二延伸部自所述环本体的外边缘朝向所述排气槽延伸，以与所述下部衬环配合形成排气部。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于外延反应腔室的衬里装置，其特征在于，包括：下部衬环以及置于所述下部衬环上方且与所述下部衬环同轴设置的上部衬环；
所述下部衬环的朝向所述上部衬环的一面设置有的导气槽和排气槽，所述导气槽和所述排气槽沿所述下部衬环的周向相对设置，且所述导气槽的导气方向与所述下部衬环的轴向成角度；
所述上部衬环包括环本体和设置于所述环本体上的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部自所述环本体的外边缘朝向所述导气槽延伸，以与所述下部衬环配合形成进气部，所述第二延伸部自所述环本体的外边缘朝向所述排气槽延伸，以与所述下部衬环配合形成排气部。


2.根据权利要求1所述的用于外延反应腔室的衬里装置，其特征在于，所述上部衬环还包括垂直于所述环本体设置的第一导流部和第二导流部，所述第一导流部和所述第二导流部均设置在所述进气部与所述排气部之间，且所述第一导流部的朝向所述衬里装置中心的表面与所述第二导流部的朝向所述衬里装置中心的表面均与所述环本体的直径方向平行。


3.根据权利要求1所述的用于外延反应腔室的衬里装置，其特征在于，所述导气槽为多个，且相邻所述导气槽之间设置有隔板，所述隔板的顶端设有用于支撑所述第一延伸部的切槽。


4.根据权利要求3所述的用于外延反应腔室的衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁福顺，李晓军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11