承载装置及外延反应腔室制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种承载装置,用于外延反应腔室。该承载装置包括：基座，基座的上表面设有第一凹槽，且在第一凹槽的第一底面上设置有第二凹槽，第一凹槽的第一底面用于承载晶圆；第二凹槽用于与承载的晶圆的下表面形成释放腔；第二凹槽的第二底面还设置有贯穿基座的多个释放孔，多个释放孔的轴线均与基座的下表面成预设夹角。本申请实施例实现了晶圆底面扩散出的掺杂气体可以从释放孔流出，减小从边缘扩散到晶圆上表面的杂质，从而有效降低自掺杂，改善晶圆边缘区的外延层的掺杂量，保证了电阻率的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
承载装置及外延反应腔室
本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种承载装置及外延反应腔室。
技术介绍
目前，随着集成电路产业向先进制程的发展，对晶圆外延层电阻率均匀性的要求越来越高。在硅外延工艺中，自掺杂和热场分布是影响电阻率均匀性的两个重要因素，因此通过优化和晶圆直接接触的承载装置，减少自掺杂、提高热场均匀性，对提高外延层电阻率均匀性具有十分重要的意义。现有技术中的承载装置由于晶圆背面蒸发出的掺杂气体只能通过晶圆与承载装置接触的边缘扩散到晶圆的上表面，影响到晶圆边缘掺杂浓度，导致外延层电阻率不均匀,并且重复性较差。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种承载装置及外延反应腔室，用以解决现有技术存在的掺杂气体污染晶圆边缘区域，以及晶圆边缘区域外延层电阻率不均匀的技术问题。第一个方面，本申请实施例提供了一种承载装置，用于外延反应腔室内。该承载装置包括：基座，所述基座的上表面设有第一凹槽，且在所述第一凹槽的第一底面上设置有第二凹槽，所述第一凹槽的第一底面用于承载晶圆；所述第二凹槽用于与承载的所述晶圆的下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种承载装置，用于外延反应腔室，其特征在于，包括：基座，所述基座的上表面设有第一凹槽，且在所述第一凹槽的第一底面上设置有第二凹槽，所述第一凹槽的第一底面用于承载晶圆；/n所述第二凹槽用于与承载的所述晶圆的下表面形成释放腔；/n所述第二凹槽的第二底面还设置有贯穿所述基座的多个释放孔，多个所述释放孔的轴线均与所述基座的下表面成预设夹角。/n

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，用于外延反应腔室，其特征在于，包括：基座，所述基座的上表面设有第一凹槽，且在所述第一凹槽的第一底面上设置有第二凹槽，所述第一凹槽的第一底面用于承载晶圆；
所述第二凹槽用于与承载的所述晶圆的下表面形成释放腔；
所述第二凹槽的第二底面还设置有贯穿所述基座的多个释放孔，多个所述释放孔的轴线均与所述基座的下表面成预设夹角。


2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，多个所述释放孔在所述第二凹槽的第二底面呈圆环状均匀排布。


3.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于，多个所述释放孔在所述基座的下表面的开口在所述基座的下表面呈圆环状均匀排布，且最外圈的所述圆环的直径小于所述第二凹槽的径向尺寸。


4.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏俊涵，夏振军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11