反应腔室及半导体设备制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室及半导体设备，包括介质筒和环绕在介质筒周围的线圈，在线圈内设置有冷却通道，冷却通道用于通入冷却介质，通过冷却介质来对介质筒进行冷却。本发明专利技术提供的反应腔室及半导体设备能够对介质筒进行冷却，从而避免衬底糊胶的情况发生，提高反应腔室的工作可靠性。

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体设备
本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种反应腔室及半导体设备。
技术介绍
目前，等离子体发生装置广泛地应用于集成电路(IC)、功率器件和微机电系统(MEMS)的制造工艺中。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和衬底(Wafer)相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应，从而使材料表面性能获得变化。现有技术中，等离子体发生装置包括等离子体产生腔和线圈，在施加功率的射频线圈作用下，等离子体产生腔内部产生等离子体。随着高刻蚀速率的需求，等离子体功率密度也随之增高，立体线圈的使用成为必然。但是，立体线圈等离子体产生腔在高等离子体功率密度下，其温度能够达到460℃之高，产生的热辐射可能导致衬底糊胶。另外，立体线圈等离子体产生腔的高温，会超过等离子体发生装置内的密封圈(O-ring)的使用温度，使之失效，影响等离子体发生装置的正常工作，因此，现在亟需一种能够对立体线圈等离子体产生腔进行冷却的装置。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，包括介质筒和环绕在所述介质筒周围的线圈，其特征在于，在所述线圈内设置有冷却通道，所述冷却通道用于通入冷却介质，通过所述冷却介质来对所述介质筒进行冷却。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括介质筒和环绕在所述介质筒周围的线圈，其特征在于，在所述线圈内设置有冷却通道，所述冷却通道用于通入冷却介质，通过所述冷却介质来对所述介质筒进行冷却。


2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却通道沿所述线圈的轴向中心线贯通所述线圈，且所述冷却通道的入口和出口分别位于所述线圈的两端。


3.根据权利要求1或2所述的反应腔室，其特征在于，所述线圈为立体式螺旋线圈；所述立体式螺旋线圈的螺旋中心线与所述介质筒的竖直轴线重合。


4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述线圈为至少两个，至少两个所述线圈的螺旋中心线重合，不同所述线圈的螺旋直径不同。


5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述线圈为两个，各个所述线圈处的温度与该所述线圈与所述介质筒之间的径向距离满足公式：



其中，r为各个所述线圈分别与所述介质筒之间的径向距离，t为时刻，c为所述冷却介质的体积比热，k为所述冷却介质的扩散系数，u为各个所述线圈在所述时刻t位于距离所述介质筒为所述径向距离r处的温度。


6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，在两个所述线圈中，其中一个所述线圈的螺旋直径的取值范围在110mm-150mm；其中另一个所述线圈的螺旋直径的取值范围在260mm-32...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺斌，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11