一种等离子体处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种等离子体处理设备，导电基座周围的边缘环由多个独立的圆弧部组成，每个圆弧部包括上方暴露于等离子体的圆弧形陶瓷部和位于所述圆弧形陶瓷部下方的圆弧形导电部，多个圆弧形导电部共同构成耦合环，多个圆弧形陶瓷部共同构成聚焦环，每个圆弧部连接一个驱动部，分别驱动各圆弧部沿垂直于导电基座的方向运动。这样，可以分段进行各段边缘环的高度调节，从而，分段补偿随着刻蚀工艺进行边缘环中聚焦环的损耗，进而，精确补偿各段聚焦环的高度，提高晶片加工的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理设备
本专利技术涉及半导体加工设备领域，特别涉及一种等离子体处理设备。
技术介绍
等离子体处理设备，是借助于射频耦合放电产生等离子体，进而利用等离子体进行沉积、刻蚀等加工工艺。在等离子刻蚀设备中，基座作为电极连接到射频源，基座周围还设置有包围基片的聚焦环，聚焦环用于调节晶片周围的电场分布，保证晶片刻蚀的均匀性，而聚焦环的上表面暴露在等离子体环境中，随着刻蚀工艺的进行会有所消耗，这会导致晶片周围电场的变化，导致晶片边缘刻蚀方向和速率发生变化，影响晶片加工的均匀性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理设备，分段调节聚焦环的高度，精确补偿各段聚焦环的高度，提高晶片加工的均匀性。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种等离子体处理设备，包括：反应腔；设置于所述反应腔内的导电基座，所述导电基座包括下电极及其上的静电夹盘；环绕所述导电基座的边缘环，所述边缘环由多个独立的圆弧部组成，每个圆弧部包括上方暴露于等离子体的圆弧形陶瓷部和位于所述圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：/n反应腔；/n设置于所述反应腔内的导电基座，所述导电基座包括下电极及其上的静电夹盘；/n环绕所述导电基座的边缘环，所述边缘环由多个独立的圆弧部组成，每个圆弧部包括上方暴露于等离子体的圆弧形陶瓷部和位于所述圆弧形陶瓷部下方的圆弧形导电部，所述多个圆弧形导电部共同构成耦合环，多个圆弧形陶瓷部共同构成聚焦环；/n多个驱动部，各所述驱动部分别驱动各所述圆弧部沿垂直于所述导电基座方向运动。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：
反应腔；
设置于所述反应腔内的导电基座，所述导电基座包括下电极及其上的静电夹盘；
环绕所述导电基座的边缘环，所述边缘环由多个独立的圆弧部组成，每个圆弧部包括上方暴露于等离子体的圆弧形陶瓷部和位于所述圆弧形陶瓷部下方的圆弧形导电部，所述多个圆弧形导电部共同构成耦合环，多个圆弧形陶瓷部共同构成聚焦环；
多个驱动部，各所述驱动部分别驱动各所述圆弧部沿垂直于所述导电基座方向运动。


2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述下电极电连接至射频电源，各所述驱动部包括导电驱动轴，所述导电驱动轴的一端与所述圆弧部中的圆弧形导电部电连接，另一端经可变阻抗装置电连接至所述射频电源所在射频路径上。


3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，还包括设置于所述边缘环下方、环绕所述导电基座的导电外接部，所述导电外接部包括下电极外延部、或者下电极外延部及下电极及电极外延部下的设备板，所述外接部与所述边缘环之间还设置有隔离环；还包括绝缘套，所述导电驱动轴设置于所述外接...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宏旭，赵馗，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31