一种下电极组件及等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，通过介电环与基座配合，将介电环与基座之间的缝隙分隔成两个或两个以上间隙，以及在介电环与基座之间设置保护环，并在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件出现电弧放电的可能性，有效的保证了下电极组件的使用安全。

【技术实现步骤摘要】
一种下电极组件及等离子体处理装置
本技术涉及等离子体刻蚀
，尤其涉及一种在高射频功率下防止下电极组件产生电弧的等离子体处理

技术介绍
对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤，该工艺步骤在一反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体，以形成和保持等离子体。在反应室内部，暴露的基片被下电极组件支撑，并通过某种夹持力被固定在一固定的位置，以保证工艺制程中基片的安全性及加工的高合格率。下电极组件不仅包括固定基片的静电夹盘和支撑静电夹盘的基座，还包括环绕设置在基座周围的边缘环组件，在对基片进行制程工艺过程中，下电极组件除了用于支撑固定基片，还用于对基片的温度、电场分布等进行控制。现有技术中，基座常用的材料为铝，而环绕基座外围的插入环材料通常为陶瓷材料，由于二者的热膨胀系数相差较大，为了保证基座在较大温度范围内工作，插入环与基座之间要设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种下电极组件，用于承载待处理基片，其特征在于：其包括：基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部；/n静电夹盘，其位于所述基座的上方；及/n边缘环组件，其环绕所述基座及静电夹盘设置，所述边缘环组件包括：/n聚焦环，其环绕所述基座和/或静电夹盘设置，及/n介电环，其位于聚焦环下方并环绕所述基座设置，所述介电环包括介电环本体及自介电环本体向基座方向延伸的延伸部，所述介电环与所述基座之间设有间隙，所述台阶部与所述延伸部配合将所述间隙至少分隔成第一间隙和第二间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种下电极组件，用于承载待处理基片，其特征在于：其包括：基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部；
静电夹盘，其位于所述基座的上方；及
边缘环组件，其环绕所述基座及静电夹盘设置，所述边缘环组件包括：
聚焦环，其环绕所述基座和/或静电夹盘设置，及
介电环，其位于聚焦环下方并环绕所述基座设置，所述介电环包括介电环本体及自介电环本体向基座方向延伸的延伸部，所述介电环与所述基座之间设有间隙，所述台阶部与所述延伸部配合将所述间隙至少分隔成第一间隙和第二间隙。


2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于：所述基座的外侧设有保护层。


3.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于：所述保护层为氧化铝和/或氧化钇材料层。


4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于：所述边缘环组件与所述基座和/或静电夹盘之间进一步环绕设有保护环。


5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环的至少一部分与所述介电环和基座相互抵...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵函一，黄国民，叶如彬，涂乐义，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31