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本实用新型提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，通过介电环与基座配合，将介电环与基座之间的缝隙分隔成两个或两个以上间隙，以及在介电环与基座之间设置保护环，并在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件...
该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。

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