基板处理装置制造方法及图纸

本公开涉及一种用于处理基板的装置。所述基板处理装置包括散射器，前述散射器安置于挡板上方且分离等离子体与杂质。前述散射器包括：具有第一开口的板，前述第一开口在自上方检视时形成于前述板的中心区域中；及碰撞区域，前述碰撞区域安置于前述第一开口上方以面向前述第一开口且与自等离子体产生单元供应的等离子体及杂质碰撞。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本文中描述的本公开概念的实施例涉及一种基板处理装置，且更特定而言，涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理装置。
技术介绍
等离子体是指含有离子、自由基及电子的离子化气态物质，且通过加热中性气体至极高温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场影响来产生。半导体装置制造工艺包括使用等离子体移除基板上的薄膜的灰化或蚀刻工艺。灰化或蚀刻工艺通过允许含有于等离子体中的离子及自由基与基板上的膜碰撞或反应来执行。图1为说明典型等离子体处理装置的视图。参看图1，等离子体处理装置2000具有处理单元2100及等离子体产生单元2300。处理单元2100使用通过等离子体产生单元2300产生的等离子体处理基板W。处理单元2100包括外壳2110、支撑单元2120及挡板2130。外壳2110具有内部空间2112，且支撑单元2120支撑基板W于内部空间2112中。挡板2130具有形成于其中的多个孔，且安置于支撑单元2120上方。等离子体产生单元2300产生等离子体。等离子体产生单元2300包括等离子体产生腔室2310、气体供应单元23本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包含：/n外壳，其具有形成于其中的处理空间；/n支撑单元，其经组态以将所述基板支撑于所述处理空间中；/n等离子体产生单元，其定位于所述支撑单元上方且经组态以将等离子体供应至所述处理空间中；/n挡板，其安置于所述支撑单元与所述等离子体产生单元之间且经组态以允许所述等离子体通过；及/n散射器，其安置于所述挡板上方且经组态以分离所述等离子体与杂质；/n其中所述散射器包括：/n具有第一开口的板，所述第一开口在自上方检视时形成于所述板的中心区域中；及/n碰撞区域，所述碰撞区域安置于所述第一开口上方以面向所述第一开口且经组态以与自所述等离子体产生单元供应的所述等离子体以...

【技术特征摘要】
20190430 KR 10-2019-00506771.一种用于处理基板的装置，所述装置包含：
外壳，其具有形成于其中的处理空间；
支撑单元，其经组态以将所述基板支撑于所述处理空间中；
等离子体产生单元，其定位于所述支撑单元上方且经组态以将等离子体供应至所述处理空间中；
挡板，其安置于所述支撑单元与所述等离子体产生单元之间且经组态以允许所述等离子体通过；及
散射器，其安置于所述挡板上方且经组态以分离所述等离子体与杂质；
其中所述散射器包括：
具有第一开口的板，所述第一开口在自上方检视时形成于所述板的中心区域中；及
碰撞区域，所述碰撞区域安置于所述第一开口上方以面向所述第一开口且经组态以与自所述等离子体产生单元供应的所述等离子体以及所述杂质碰撞。


2.如权利要求1所述的装置，其中所述板具有第二开口，所述第二开口在自上方检视时形成于所述板的边缘区域中。


3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二开口在自上方检视时具有圆弧形状。


4.如权利要求2所述的装置，其中多个所述第二开口形成于所述板的所述边缘区域中且沿着所述板的圆周方向彼此隔开。


5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泓胜，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR