气相反应器系统和其使用方法技术方案

公开了适合与在常温常压下为固相的前体一起使用的气相反应器系统和方法。如本文中所描述的系统和方法可用于例如在衬底的表面上形成非晶、多晶或外延层(例如，一个或多个掺杂半导体层)。

【技术实现步骤摘要】
气相反应器系统和其使用方法
本公开大体上涉及气相反应器系统和其使用方法。
技术介绍
气相反应器，如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、原子层沉积(ALD)等，可以用于多种应用，包括在衬底表面上沉积材料并加以蚀刻。例如，气相反应器可用于在衬底上沉积并且/或者蚀刻各层，以形成半导体装置、平板显示装置、光伏装置、微电子机械系统(MEMS)等。典型的气相反应器系统包括一个或多个反应器，每个反应器包括一个或多个反应室；流体联接到一个或多个反应室的一个或多个前体和/或反应物气体源；流体联接到一个或多个反应室的一个或多个载气源和/或吹扫气体源；递送气体(例如，一种或多种前体/反应物气体和/或一种或多种载气或吹扫气体)到反应室内的衬底表面的一个或多个气体分配系统；以及流体联接到一个或多个反应室的至少一个排气源。气相反应器系统中使用在常温常压下为固体的前体(固体源化学品)可能是合乎需要的，因为此类前体可能运输相对容易，可能运输相对安全，可提供期望的膜性质，和/或可能使用相对廉价。然而，使用在常温常压下为固体的前体可能是成问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应器系统，包含：/n反应室；/n固体前体源容器，其含有固体源化学品，流体联接到所述反应室；/n气体分配系统，其流体联接到所述固体前体源容器，所述气体分配系统包含联接到多个第一气体出口的第一气体管线；/n法兰总成，其包含多个出口孔口，所述多个出口孔口中的每个出口孔口联接到所述多个第一气体出口中的第一气体出口；以及/n加热管线，位于所述固体前体源容器与所述反应室之间。/n

【技术特征摘要】
20190424 US 62/838,1751.一种反应器系统，包含：
反应室；
固体前体源容器，其含有固体源化学品，流体联接到所述反应室；
气体分配系统，其流体联接到所述固体前体源容器，所述气体分配系统包含联接到多个第一气体出口的第一气体管线；
法兰总成，其包含多个出口孔口，所述多个出口孔口中的每个出口孔口联接到所述多个第一气体出口中的第一气体出口；以及
加热管线，位于所述固体前体源容器与所述反应室之间。


2.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述法兰总成包含至少一个加热器。


3.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述法兰总成包含至少一个冷却通道。


4.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述法兰总成包含第一表面，所述第一表面包含凹部以接收密封构件。


5.根据权利要求4所述的反应器系统，其中所述密封构件由选自由全氟弹性体和含氟聚合物组成的组的材料形成。


6.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述反应室包含外延反应室。


7.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述固体前体源容器包含：
外壳基部；
外壳盖；
第一入口阀，其被安装在所述外壳盖上并且与第一蛇形路径流体连通；
第一出口阀，其被安装在所述外壳盖上并且与所述第一蛇形路径流体连通；
第二入口阀，其被安装在所述外壳盖上并且与第二蛇形路径流体连通；
第二出口阀，其被安装在所述外壳盖上并且与所述第二蛇形路径流体连通；以及
排气阀，其被安装并且与所述第一蛇形路径和所述第二蛇形路径中的至少一个流体连通。


8.根据权利要求1所述的反应器系统，进一步包含监测器，所述监测器位于所述固体前体源容器与所述反应室之间以监测在所述固体前体源容器与所述反应室之间流动的前体的量。


9.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述固体源化学品包含III族、IV族和V族元素中的一种或多种。


10.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述气体分配...

【专利技术属性】
技术研发人员：J托尔，J马杰蒂斯，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL