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气相反应器系统和其使用方法技术方案
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文档序号:26175832
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公开了适合与在常温常压下为固相的前体一起使用的气相反应器系统和方法。如本文中所描述的系统和方法可用于例如在衬底的表面上形成非晶、多晶或外延层(例如,一个或多个掺杂半导体层)。...
该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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