本发明公开一种半导体工艺设备，包括一外石英轴和石英轴固定装置，用于固定外石英轴，该石英轴固定装置包括：轴筒，轴筒用于容纳外石英轴，轴筒的筒壁包括一可变形段，可变形段能够通过变形调节其径向尺寸；环形夹紧结构，环形夹紧结构沿可变形段的周向设...

本发明公开了一种优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备。包括：步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S13...

本发明提供一种报警配置方法及装置，该报警配置方法包括以下步骤：S1：判断设备是否满足报警功能的报警触发条件；若是，执行步骤S2；S2：判断所述报警功能是否配置为启用；若是，执行步骤S3；若否，执行步骤S4；S3：进入报警流程；S4：忽略...

本发明实施例提供了一种半导体衬底的刻蚀方法，其包括：通过调节指定工艺参数来对覆盖在半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，以使掩膜图形的横向收缩速率大于半导体衬底的横向收缩速率；对覆盖有刻蚀后的掩膜图形的半导体衬底进行刻蚀，以获得期望形貌的衬底...

本发明提供一种暖机方法，以及采用该暖机方法使腔室达到工艺所需的工作状态的一种基片的刻蚀方法。该暖机方法包括步骤S1：对光胶片进行第一刻蚀，以将生成的聚合物覆盖在暴露于腔室内的工艺环境中的部件表面；步骤S2：对光胶片进行第二刻蚀，用于在暴...

本申请提供一种光刻胶的去胶方法，包括：传输步骤，将完成刻蚀工艺后的晶圆传入去胶腔室；准备步骤，向去胶腔室通入辅助气体，同时对去胶腔室进行抽气使去胶腔室处于第一预设压力，流经去胶腔室的辅助气体携带附着在光刻胶上的刻蚀副产物排出去胶腔室；去...

本申请提供一种立式反应炉，包括炉门盖、反应腔室、导向缓冲组件及弹簧容纳腔，反应腔室具备朝上的腔室开口，导向缓冲组件包括导向螺栓和弹性支撑件，导向螺栓与炉门盖相连，弹性支撑件套设于导向螺栓并弹性支撑件与炉门盖及反应腔室均相互抵接，限位部与...

本发明公开一种半导体加工设备，包括：反应腔室(100)；转轴(200)，转轴(200)至少部分设置于反应腔室(100)内且可转动；坩埚(300)，坩埚(300)设置于转轴(200)上；测距装置(400)，测距装置(400)设置于反应腔室...

本发明实施例公开了一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备，所述方法包括：基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格的晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度...

本申请公开了一种吊装组件和吊装装置。该吊装组件用于吊装半导体工艺设备，包括安装套筒，轴向穿过所述安装套筒的转轴，所述转轴的中部处于所述安装套筒的内部，所述转轴的两端均处于所述安装套筒的外部，并且所述转轴能相对于所述安装套筒转动和沿所述轴...

本发明公开一种过滤装置及半导体加工设备，所公开的过滤装置用于半导体加工设备，过滤装置包括壳体(100)和滤芯(200)，其中：所述壳体(100)具有第一内腔(110)、入口(120)和出口(130)，所述滤芯(200)设置于所述第一内腔...

本申请提供一种立式气相反应炉，其特征在于，包括外壳、第一供气结构和第二供气结构，所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间，所述反应空间内存在亏气区，所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通，所述第二供气结构用于向所述亏气区提...

本发明实施例公开了一种紫外固化设备中的风机控制方法及紫外固化设备，所述方法包括：获取所述紫外固化设备中紫外固化灯头的目标风压值，检测当前所述紫外固化灯头内的第一风压值；基于所述目标风压值和所述第一风压值，根据预设闭环控制算法，确定所述紫...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。该基座包括金属盘，该金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一子盘均与射频源和偏压电源连接，基座还设置有偏压电源的调整电路，所有子盘均与调整电路连接，调整...

本发明提供一种孔填充方法，包括预填充阶段以及在所述预填充阶段之后的主填充阶段；所述预填充阶段包括：持续进行第一预定时间的第一预填充步骤，以在待填充孔中沉积反应物；持续进行第二预定时间的第二预填充步骤，以刻蚀所述待填充孔中的所述沉积反应物...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，工艺腔室中设置有用于承载衬底的基座、用于加热基座的第一热源组件，工艺腔室中还设置有第二热源组件，第一热源组件环绕第二热源组件设置，第二热源组件包括驱动机构和第二热源，其中，第二热源用于加热基座...

本发明提供的腔室，包括腔体和设置在腔体中的工艺基座，还包括设置在腔体中的冷却基座和传输机构，其中，冷却基座用于对置于其上的晶片进行冷却，传输机构用于在工艺基座与冷却基座之间传递晶片。本发明的腔室，将工艺基座和冷却基座集成在同一个腔体中，...

本发明提供一种硅介质材料刻蚀方法，其包括：向反应腔室内通入混合气体，并使所述气体电离形成等离子体，以选择性地对衬底上的待刻蚀硅介质材料进行刻蚀；其中，气体包括刻蚀气体和调节气体，调节气体能够电离形成单原子正离子，且不与刻蚀气体反应的调节...

本发明提供一种成膜设备，包括反应腔室和第一进气管路，还包括吹扫管路、排气管路和尾气处理装置。本发明还提供一种采用该成膜设备进行成膜工艺的成膜方法，该方法在成膜工艺前，仅对第一进气管路进行吹扫；在成膜工艺后，对第一进气管路和反应腔室同时进...

本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其晶舟升降装置。该晶舟升降装置包括：第一升降机构、第二升降机构、传动组件、推拉舟、驱动器、同步检测组件及控制器；第一升降机构及第二升降机构间隔设置，推拉舟与第一升降机构及第二升降机构连接；驱动器与第一...