【技术实现步骤摘要】
一种立式气相反应炉
本专利技术涉及半导体设备
,尤其涉及一种立式气相反应炉。
技术介绍
立式气相反应炉作半导体设备
中的一种气相反应设备,可以对层叠的多层材料进行批量化处理,为便于制造,立式气相反应炉往往采用在炉顶上方开设单个供气口的结构,利用重力作用使反应气体从上至下依次经过各层材料并发生反应。但这种供气方式会在立式气相反应炉的反应空间内高度较低的区域形成一个反应气体浓度较低的亏气区,亏气区内的材料往往得不到充分反应。
技术实现思路
本申请实施例提供一种立式气相反应炉,以解决上述问题。本申请实施例采用下述技术方案:本申请实施例提供一种立式气相反应炉,包括外壳、第一供气结构和第二供气结构,所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间,所述反应空间内存在亏气区,所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通,所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。优选地,所述第一供气结构包括多个第一供气开口,所述第一供气开口设置于所述反应空间的顶部;所述第二供气结构包括多 ...
【技术保护点】
1.一种立式气相反应炉,其特征在于,包括外壳、第一供气结构和第二供气结构,所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间,所述反应空间内存在亏气区,所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通,所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。/n
【技术特征摘要】
1.一种立式气相反应炉,其特征在于,包括外壳、第一供气结构和第二供气结构,所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间,所述反应空间内存在亏气区,所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通,所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。
2.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,所述第一供气结构包括多个第一供气开口,所述第一供气开口设置于所述反应空间的顶部;所述第二供气结构包括多个第二供气开口,所述第二供气开口沿所述外壳的周向排布。
3.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,至少部分所述第二供气开口与所述亏气区对应设置,以覆盖所述亏气区。
4.如权利要求1所述的立式气相反应炉,其特征在于,还包括配合供气组件,所述配合供气组件包括供气围壁和供气喷嘴,所述供气围壁套设于所述外壳的外部且所述供气围壁的上端和下端与所述外壳密闭连接,所述供气围壁与所述外壳的侧壁共同围成供气环腔,所述第二供气开口位于所述供气环腔内,所述第二供气开口与所述供气环腔相互连通,所述供气喷嘴由外界穿入所述供气环腔内。
5.如权利要求3所述的立式气相反应炉,其特征在于,所述供气喷嘴设置为多个,多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨帅,杨慧萍,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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