基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于半导体加工技术领域，具体涉及基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。该基座包括金属盘，该金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一子盘均与射频源和偏压电源连接，基座还设置有偏压电源的调整电路，所有子盘均与调整电路连接，调整电路用于：以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。其通过对基座上的电场分布进行调整，即通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，对基座上的偏压电源分区进行自动调整，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置
本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。
技术介绍
在半导体制造工艺中，电感耦合等离子体发生装置(ICP)可以在较低工作气压下获得高密度的等离子体，而且结构简单、造价低，同时可以对产生等离子体的射频源(决定等离子体密度)与基座射频源(决定入射到晶圆上的粒子能量)独立控制，因此广泛应用于等离子体刻蚀(IC)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、微电子机械系统(MEMS)和发光二极管(LED)等工艺中。在气相沉积工艺中的电感耦合等离子体发生装置，作为预清洗(Preclean)腔室，刻蚀速率和均匀性是其重要的技术指标，通常采用SiO2晶圆(Wafer)作为标定对象。在实际应用中，刻蚀速率控制是较易实现的，而刻蚀均匀性的影响因素则很多，比如反应腔体的形状、上下电极的功率配比、气体流场分布、基座上的电场分布等等，是考察设备性能的重要参数。如图1所示，基座的金属盘11(TopPlate)为梯形凹面，凹面深度主要取决于待处理的晶圆13的径本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基座，包括金属盘，其特征在于，所述金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接，所述基座还设置有所述偏压电源的调整电路，所有所述子盘均与所述调整电路连接，所述调整电路用于：以所有所述子盘中绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。/n

【技术特征摘要】
1.一种基座，包括金属盘，其特征在于，所述金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接，所述基座还设置有所述偏压电源的调整电路，所有所述子盘均与所述调整电路连接，所述调整电路用于：以所有所述子盘中绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。


2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述调整电路包括偏压检测模块、控制模块、补偿模块和保护模块，其中：
所述偏压检测模块，其数量与所述子盘的数量相同，每一所述偏压检测模块与一所述子盘连接，用于获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，并将所述偏压电源的直流偏压值传送至所述控制模块；
所述控制模块，用于对所有所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值进行比较，计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差；
所述补偿模块，用于根据所述压差，生成对应的直流补偿偏压；
所述保护模块，设置于所述射频源与所述补偿模块之间，至少用于将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。


3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于，所述偏压检测模块包括电压获取部、滤波部和运算放大部，其中：
所述电压获取部，与所述子盘连接，包括根据与所述偏压检测模块连接的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值大小设置的分压电阻，通过所述分压电阻确定所述分压电阻分压的比例，以获得正电压形式的所述偏压电源的直流偏压值；
所述滤波部，用于对所述偏压电源滤除直流以外的信号，并将滤波后的所述偏压电源传输至所述运算放大部；
所述运算放大部，用于将所述偏压电源的直流偏压值调整至所述控制模块的处理范围内。


4.根据权利要求1-3任一项所述的基座，其特征在于，各所述子盘的所述偏压电源为负压，处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值，所述调整电路用于将处于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11