本发明提供一种工件状态监测装置及方法，该装置包括：控制单元以及检测单元，其中，所述检测单元用于朝向腔室内的工件承载区域发射检测信号，并将接收到的反馈信号发送至所述控制单元；所述控制单元用于在机械手或者顶针上升过程中，记录所述反馈信号在每...

本申请公开一种半导体设备，所公开的半导体设备中：承载本体(300)设置于壳体(200)内，承载本体(300)设有至少一个承载片位(310)，至少一个承载片位(310)用于承载待加工件(100)，至少一个承载片位(310)中的第一个承载片...

本发明公开一种聚酰亚胺刻蚀方法，包括S1、向反应腔室中通入刻蚀气体，使所述反应腔室的压力处于稳定状态；S2、同时开启上射频电极和下射频电极，电离所述刻蚀气体，对晶圆上的聚酰亚胺层进行第一预设工艺时间的刻蚀；S3、关闭所述上射频电极和所述...

本发明公开一种芯片扇出封装结构中衬底的加工方法，衬底为碳化硅衬底，加工方法包括：在碳化硅衬底上旋涂光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影，使光刻胶层图案化；基于图案化的光刻胶层，在碳化硅衬底上沉积金属掩膜层；去除光刻胶层；基于金属掩膜层，刻...

本说明书一个或多个实施例公开了一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。所述方法包括：在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否...

本申请实施例公开了一种半导体工艺设备及聚焦环的加工方法，用以解决现有技术无法消除晶圆边缘的刻蚀倾斜效应的问题。所述半导体工艺设备，包括工艺腔室以及位于所述工艺腔室内的基座，所述基座用于承载晶圆；所述基座上设置有聚焦环，在所述基座在承载所...

本发明公开一种半导体反应腔室及半导体加工设备，半导体反应腔室包括腔体、静电卡盘、功能接线、抽气装置和/或充气装置；腔体围成内腔；静电卡盘位于内腔中，静电卡盘包括基体和功能层，功能层设置于基体上，且基体与功能层通过粘接固定，基体开设有接线...

本申请实施例提供了一种半导体设备建模方法及装置，该方法包括：响应于添加指示操作，确定用于展示设备模型对象的源控件的类型和用于展示设备模型树的目标控件的类型，其中，添加指示操作用于选择设备模型对象中的待添加模型和设备模型树中的目标模型；利...

本申请提供了一种信息交互方法和装置，其中，通讯接口接收控制系统发送的待发送信息，将待发送信息转换为第一格式，并将转换后的待发送信息发送至半导体设备，其中，待发送信息由控制系统利用预设信息交互规则发送，通讯接口外置于控制系统；和/或，接收...

本发明提供一种边缘吹扫装置、基座系统及工艺腔室，该边缘吹扫装置用于吹扫承载于基座上的基片的边缘处，该边缘吹扫装置包括：吹扫通道和气源；其中，吹扫通道的出气口沿基座的周向设置，且出气口的出气方向相对于竖直方向朝向基座倾斜。通过本发明可实现...

一种应用于等离子体系统的电荷传输装置，所述等离子体系统包括腔室以及置于所述腔室的下部电极，所述等离子体系统用于对置于所述下部电极上的工作件进行加工，所述下部电极包括电极及加热器，其中所述电极用于在对所述工作件进行加工时产生吸附力固定所述...

本发明提供一种晶片调度方法及装置、半导体处理设备、计算机可读存储介质，该晶片调度方法包括以下步骤：S1：判断真空锁腔的片盒中的未加工晶片是否为一片；若是，执行步骤S2；若否，则执行步骤S5；S2：卸载所有的已加工晶片，同时对所述未加工晶...

本申请提供一种聚酰亚胺刻蚀方法，包括以下步骤：S1、在聚酰亚胺层的表面形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层在聚酰亚胺层上形成图形化的沟槽；S2、在沟槽的底壁和侧壁上沉积保护层；S3、基于第一偏压功率，刻蚀掉底壁上的保护层，以显露聚酰亚胺层...

本发明提供的半导体制造设备及半导体制造方法，包括多个真空腔室、缓冲装置及机械手，其中一个真空腔室用作传输腔室，其余真空腔室用作功能腔室环绕设置在传输腔室周围，缓冲装置设置在至少一个真空腔室中，用于承载晶片，真空机械手设置在传输腔室中，用...

本发明实施例提供一种半导体腔室及退火装置，该半导体腔室包括腔体，以及用于去除该腔体内的金属污染物的吹扫装置，该吹扫装置包括至少两条进气管路和匀流结构，其中，匀流结构设置在腔体内，且具有匀流腔；至少两条进气管路均与匀流腔连通，用于向匀流腔...

本发明提供一种坩埚高温线的高度控制系统和方法、生长炉，该系统包括温度采集单元、控制单元和执行单元，其中，温度采集单元用于采集坩埚的不同高度处对应的实际温度，并将其发送至控制单元；控制单元用于基于坩埚的不同高度处对应的实际温度获得坩埚高温...

本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其集成供气系统。该集成供气系统设置于半导体工艺设备的气源及工艺腔室之间，用于向工艺腔室内输送气体，包括：多个气路输送模块，且每个气路输送模块之间可拆卸连接；气路输送模块包括第一基块及第一控制部件，第一...

本申请实施例提供了一种半导体加工设备及滑片检测的方法。该半导体加工设备包括：腔室、测距传感器、控制器及升降机构；升降机构至少部分位于腔室内，升降机构用于带动多个工件沿竖直方向上升或下降；测距传感器设置于腔室内，并且位于多个工位的至少一侧...

本发明实施例提供了一种半导体设备中晶片的处理方法和系统，涉及晶片处理的技术领域。上述方法包括：获取PM上停留的测试晶片Dummy Wafer的对象信息，对象信息包括：Dummy Wafer的使用次数和路径信息；将使用次数达到目标使用次数...

本申请提供了一种半导体工艺设备中工艺任务启动的方法、装置，该方法包括：生成半导体工艺设备当前工艺任务的工艺区域关系列表；确定所有待启动工艺任务，生成每一个待启动工艺任务的工艺区域关系列表；基于当前工艺任务的工艺区域关系列表和每一个待启动...