本发明提供一种顶针升降装置和半导体工艺腔室，用于驱动工艺腔室中的多个顶针同步升降，以使顶针的顶端高于或低于基座的承载面，该顶针升降装置包括升降本体、升降连接件和气压控制结构，其中，升降本体设置在顶针的下方，且在升降本体中设置有空腔；升降...

一种半导体加工装置，所述半导体加工装置包括腔室、置于所述腔室内的多根支柱以及用于支撑所述多根支柱的基座，所述多根支柱用于承载工作件，所述半导体加工装置包括检测装置，所述检测装置耦接至所述多根支柱中的至少两根支柱，通过对所述至少两根支柱中...

本发明公开了一种弹性等电位环、上电极齿轮箱、上电极组件和半导体处理设备。所述弹性等电位环包括第一安装面、与所述第一安装面相对设置的第二安装面以及连接所述第一安装面与所述第二安装面的弧形连接面，所述弧形连接面在受到挤压力时能够发生变形，以...

本发明提供一种晶片夹持装置扭矩测量系统，用于测量晶片夹持装置的扭矩，包括：支撑盘以及测力部件；所述支撑盘用于与所述晶片夹持装置的齿轮盘的一侧固定连接，且连接后所述支撑盘在所述齿轮盘的一侧的投影与所述齿轮盘的同心；所述测力部件用于与所述支...

本发明提供一种冷却装置及立式炉系统，该冷却装置包括：供液装置、回液装置以及多个盘管，其中，所述盘管均沿竖直方向自立式炉体的顶部至底部布置在所述立式炉体的外壁上，所述盘管的进液口位于所述立式炉体的顶部，所述盘管的出液口位于所述立式炉体的底...

本发明提供一种调平机构、反应腔室及半导体加工设备，该调平机构包括沿待调平件的周向间隔分布的至少三个高度调节组件，每个高度调节组件包括：支撑件，设置在待调平件的底部，用于支撑待调平件；配合件，位于支撑件的下方，并且配合件具有相对于水平面倾...

本发明提供一种用于向工艺腔室供气的供气管路，包括反应源和管路组件。该管路组件包括载气管、第一工艺气体管和第二工艺气体管，第一工艺气体管和第二工艺气体管均用于将载气管与反应源选择性地连通。管路组件还包括能够调节供气管路的连通状态的通路调节...

一种上电极提升装置及半导体设备。上电极提升装置包括：主提升机构；辅助提升机构，辅助提升机构与主提升机构分别位于线圈盒的对面；测距传感器，分别靠近主提升机构和辅助提升机构以检测反应腔室顶部与线圈盒之间的距离；控制器，控制器分别与主提升机构...

本发明提供一种清洗设备，包括：清洗平台以及清洗装置，所述清洗平台上设置有清洗工位；所述清洗工位用于放置晶盒或花篮；所述清洗装置包括围绕所述清洗工位设置的多个喷头，所述多个喷头用于向放置在所述清洗工位上的所述晶盒或所述花篮喷射清洗介质。通...

本发明提供一种用于炉管设备的工艺方法及设备，所述方法包括：将产品晶圆和挡片晶圆放置在所述炉管设备的晶舟内相应位置；对所述产品晶圆和所述挡片晶圆进行工艺处理；在当前工艺完成之后，检测所述产品晶圆的表面质量参数；判断所述表面质量参数是否超出...

本发明公开一种微凸透镜阵列结构的加工方法，包括：在透镜基材的表面形成图形化的掩膜液滴，其中，所述掩膜液滴包括亲水性掩膜材料；固化所述掩膜液滴，形成图形化的掩膜层；刻蚀所述掩膜层和所述透镜基材，形成微凸透镜阵列结构，其中，所述透镜基材的被...

本发明提供的尾气净化装置，连接在工艺腔室与真空泵之间，包括腔体，腔体包括接收工艺腔室排出的尾气的主腔体和环绕主腔体的夹层腔体，其中，尾气净化装置的两端分别设有与主腔体连通的进气口和出气口，进气口连接工艺腔室的气体排出口，出气口连接真空泵...

本发明实施例提供一种清洗装置，其包括基座和边缘清洗机构，其中，基座可旋转并用于承载待清洗件，且基座的外径小于待清洗件的直径，以使待清洗件的边缘部分能够自基座的外周面伸出；边缘清洗机构设置在基座的一侧，且包括清洗结构和边缘喷嘴结构，其中，...

本发明实施例提供的机械手，用于传输晶圆，其包括手指结构和承载组件；其中，承载组件包括多个支撑部件，多个支撑部件设置于手指结构上，且在同一圆周上间隔分布，每个支撑部件用于与晶圆的边缘接触以支撑晶圆，且使晶圆避免与手指结构相接触。本发明实施...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备。该半导体清洗设备包括：工艺槽组件及槽盖组件；工艺槽组件包括：内工艺槽、外工艺槽、循环管路及冷却管路，其中，内工艺槽的开口设置于外工艺槽内部，并且内工艺槽与外工艺槽通过循环管路连通，槽盖组件用于开启或...

本发明提供一种晶圆的干燥方法，其在喷头移动的整个预设路径中选择至少一段路程开启喷头以向旋转中的晶圆表面喷出干燥气体，同时根据喷头和晶圆的中心之间的水平间距的变化调节喷头移动的速度。这样，可以根据晶圆表面各个位置上的线速度和离心力差异，灵...

本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室...

本发明提供一种内衬、反应腔室和半导体加工设备，该内衬包括内衬本体，该内衬本体包括沿其轴向设置的上本体和下本体，并且上本体的下端面和下本体的上端面之间具有缝隙，上本体的上端设置有上接地结构，该上接地结构与反应腔室的腔室壁电导通，下本体的下...

一种应用于等离子体系统的方法，所述等离子体系统具有腔室、置于所述腔室内的下部电极以及通过匹配电路耦接至所述下部电极的射频源，所述等离子体系统用于对置于所述下部电极上的工作件进行加工。所述方法包括:启动所述射频源；增加所述射频源的射频功率...

本申请实施例提供了一种立式炉设备。该立式炉设备用于对晶圆进行热处理工艺，包括：炉体结构、进气结构及排气结构；炉体结构包括壳体及炉管，壳体包覆于炉管的外侧，炉管内部自上至下依次划分为多个加热区域；进气结构设置于壳体的一侧，并且包括多个进气...